公开(公告)号：CN108886058A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780018536.8

申请日：2017-03-16

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

CPC classification number: G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

Abstract: 一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。

公开(公告)号：CN108028270A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053386.X

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。

公开(公告)号：CN104205340B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201380015030.3

申请日：2013-03-14

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 松本真二 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  高田美树子 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/445 ,  H01L23/5328 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供导电薄膜，其包含：含有铟和锡的金属氧化物；以及金。

公开(公告)号：CN107204291A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710153480.9

申请日：2017-03-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 曾根雄司 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、存储和显示元件、显示装置和系统的制法。用于制造包括栅绝缘层、活性层、和钝化层的场效应晶体管的方法。所述方法包括形成所述栅绝缘层的第一过程；和形成所述钝化层的第二过程。所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物。

公开(公告)号：CN106356406A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610552716.1

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 早乙女辽一 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

Abstract: 公开场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。场效应晶体管包括：基底；钝化层；形成于基底和钝化层之间的栅绝缘层；形成为与栅绝缘层接触的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成且与栅绝缘层、源电极、和漏电极接触的半导体层；以及与栅绝缘层接触且经由栅绝缘层面对半导体层的栅电极，其中钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第一复合氧化物，和其中栅绝缘层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合氧化物。

公开(公告)号：CN102844874B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180019311.7

申请日：2011-02-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  曾根雄司 ,  安部由希子

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869

Abstract: 所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。

公开(公告)号：CN105684135A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480059693.X

申请日：2014-10-23

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 早乙女辽一 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  新江定宪

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0278 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/7869

Abstract: 场效应晶体管，包括：基体材料；钝化层；在它们之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；在至少所述源电极和所述漏电极之间形成的且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触的半导体层；和与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层的栅电极，其中所述钝化层包含第一钝化层和形成为与该第一钝化层接触的第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，且所述第二钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物。

公开(公告)号：CN105261649A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510408238.2

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C09D5/24 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/0421 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明涉及涂布液、场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统。所述场效应晶体管包括：配置成施加栅电压的栅电极；配置成取出电流的源电极和漏电极；由n-型氧化物半导体形成且与所述源电极和所述漏电极接触地设置的有源层；以及设置在所述栅电极和所述有源层之间的栅绝缘层，其中所述n-型氧化物半导体包括选自Re、Ru、和Os的至少一种作为掺杂剂。

公开(公告)号：CN105097952A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510559715.5

申请日：2010-12-22

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 曾根雄司 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/136 ,  G09G3/20 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  H01L27/108 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/1635 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3648 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/788

Abstract: 场效应晶体管包括：基板；在该基板上形成的源极电极、漏极电极和栅极电极；半导体层，当向栅极电极施加预定电压时，通过该半导体层在该源极电极和漏极电极之间形成沟道；以及栅极绝缘层，提供在该栅极电极和该半导体层之间。该栅极绝缘层由包括一种或两种或更多种碱土金属元素以及从由Ga、Sc、Y和除了Ce之外的镧系元素构成的组中选择的一种或两种或更多种元素的非晶复合金属氧化物绝缘膜形成。

公开(公告)号：CN104507686A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040170.6

申请日：2013-07-19

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC: B41J2/135 ,  B05C5/00

CPC classification number: B41J2/162 ,  B23P15/16 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/11 ,  Y10T29/49401

Abstract: 本发明公开一种喷嘴板，其具有沿厚度方向贯穿该喷嘴板的喷嘴孔。所述喷嘴板包括形成于喷嘴孔处的排出口，若排出口的开口形状的四个角部的曲率记为R1、R2、R3和R4，则排出口的开口形状配置为近似满足方程式R1＝R2≥R3＝R4≈0。