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公开(公告)号:CN109005667A
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201780020935.8
申请日:2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/16 , C08J3/24 , C08J5/18 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜,其为能量射线固化性,在照射能量射线而制成保护膜时,保护膜的拉伸弹性模量为1×108Pa以上。保护膜形成用复合片具有支撑片、并在支撑片上具有该保护膜形成用膜,在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时,保护膜与支撑片之间的粘着力为50~1500mN/25mm。
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公开(公告)号:CN108701640A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201780011923.9
申请日:2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , B32B7/02 , B32B27/00 , B32B27/16 , C08F2/44 , C08J5/18 , C09J7/00 , C09J201/00
CPC classification number: B32B7/02 , B32B27/00 , B32B27/16 , C08F2/44 , C08J5/18 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、并具有高弹性模量的保护层的、能量射线固化性的保护膜形成用膜。本发明的保护膜形成用膜13为能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用膜13的拉伸弹性模量为30MPa以上。
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公开(公告)号:CN108350108A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680062585.7
申请日:2016-10-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜,其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜,该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性:在通过照射能量线使该保护膜形成用膜固化而形成固化物时,该固化物的杨氏模量为500MPa以上,且断裂伸长率为8%以上。
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公开(公告)号:CN106463375A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580030575.0
申请日:2015-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
Abstract: 本发明为一种切割片,所述切割片(1)具备:基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层的剥离片(6),其中,基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上,在将切割片(1)在130℃下加热2小时后,基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧
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公开(公告)号:CN106463370A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201480078687.9
申请日:2014-07-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用薄膜,其可以得到保护膜的强度高、有助于带有保护膜的晶片的生产率的提高、且高可靠度的带有保护膜的晶片。本发明的保护膜形成用薄膜,其用于形成保护半导体晶片的保护膜,保护膜形成用薄膜包括环氧类热固化性成分,环氧类热固化性成分包含具有环氧基的缩合环式芳香族化合物。
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公开(公告)号:CN106415793A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201480079216.X
申请日:2014-07-04
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用薄膜,其可以得到保护膜的强度高、有助于带有保护膜的晶片的生产率的提高、且高可靠度的带有保护膜的晶片。本发明的保护膜形成用薄膜,其用于形成保护半导体晶片的保护膜,保护膜形成用薄膜包括环氧类热固化性成分,环氧类热固化性成分包含固化物的玻璃化转移温度为220℃以上的环氧化合物。
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公开(公告)号:CN104718264A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201380053363.5
申请日:2013-10-09
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J133/06 , C09J7/02
CPC classification number: C09J133/06 , C08F220/06 , C08F220/10 , C09J7/385
Abstract: 本发明涉及一种粘合片,其具有由粘合剂组合物形成的粘合剂层,所述粘合剂组合物含有50质量%以上的丙烯酸类共聚物(A),所述丙烯酸类共聚物(A)包含来源于具有碳原子数1~20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(a1)的结构单元(a1),并且含有3摩尔%以上的来源于丙烯酸衍生物(a2)的结构单元(a2),所述丙烯酸衍生物(a2)具有羧基且其均聚物的玻璃化转变温度为80℃以下。所述粘合片即使将该粘合剂层薄膜化至10.0μm以下,也具有高粘合力,且耐热黄变性优异。
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公开(公告)号:CN102171122A
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN200980138704.2
申请日:2009-09-28
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B65H37/002 , B32B43/006 , B65H2301/51122
Abstract: 本发明提供了一种薄膜剥离方法,该薄膜剥离方法是从在粘着剂层的一侧层压有轻剥离薄膜、在另一侧层压有重剥离薄膜的无基材两面粘着片上连续地剥离轻剥离薄膜的薄膜剥离方法,其中,该薄膜剥离方法包括:一边沿着贴着无基材两面粘着片的一个以上的输送转向辊,改变轻剥离薄膜的输送方向和/或剥离后的无基材两面粘着片的输送方向,一边从无基材两面粘着片的与输送转向辊接触的部位剥离轻剥离薄膜,并且,从轻剥离薄膜的剥离面到剥离后的无基材两面粘着片的剥离面的角度(θ1)为28度以上。通过上述薄膜剥离方法,能够在从无基材两面粘着片剥离轻剥离薄膜时实现稳定的剥离以及转移粘着的抑制。
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公开(公告)号:CN119141993A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411359173.2
申请日:2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/32 , B32B27/30 , B32B7/12 , C08J5/18 , C08L33/08 , C08K3/36 , C08F265/06 , C08F222/14 , C09J133/08 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种即使在氧气存在下、也能够防止发生固化不良的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片,这样的保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜,其中,在所述保护膜形成用膜中,掺合有波长365nm的吸光系数为4.0×101ml/(g·cm)以上的光自由基引发剂。所述光自由基引发剂优选为在1分子内具有3个以上的芳香环的夺氢型光自由基引发剂,优选为在1分子内具有2个以上的光分解性基团的光自由基引发剂。
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