晶片封装体及其制作方法
    67.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102544101A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110419164.4

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制作方法,晶片封装体包括一半导体基底,具有相反的一第一表面与一第二表面,且第一表面具有一凹槽;一漏极电极,配置于第一表面上并覆盖凹槽;一源极电极,配置于第二表面上,且与覆盖凹槽的漏极电极对应设置;以及一栅极电极,配置于第二表面上。本发明可提升导电效能,并提供足够的结构强度,以避免在传送半导体基底的过程中产生破片等情况,且在封装制程中,半导体基底可维持一定的平整度而不会因为厚度过薄而有边缘翘曲等情况产生。

    晶片封装体及其制造方法
    68.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107221540B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201710165062.1

    申请日:2017-03-20

    Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括一基底,具有一第一表面及与其相对的一第二表面,其中基底具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区。晶片封装体还包括一介电层,设置于基底的第一表面上,其中对应于切割道区的介电层内具有一通槽,且通槽沿切割道区的延伸方向延伸。本发明可维持或改善晶片封装体可靠度及效能,避免基底翘曲,且可进一步缩小晶片封装体的尺寸。

    晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法

    公开(公告)号:CN105975114B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201610124502.4

    申请日:2016-03-04

    Abstract: 本发明提供一种晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法,该晶片尺寸等级的感测晶片封装体包括感测晶片、触板以及着色层。感测晶片具有相对的第一上表面与第一下表面,且包括:感测元件以及多个相邻该感测元件的导电垫,位于邻近该第一上表面处;多个硅通孔,位在第一下表面且露出其所对应的导电垫的表面;多个导电结构,设置于第一下表面;及一重布线层,位于第一下表面以及多个硅通孔内,用以分别连接每一导电垫以及每一导电结构。触板具有相对的第二上表面与第二下表面,且设置于感测晶片上。着色层位于感测晶片与触板之间。本发明不需要选择提高电容值所需要的高介质系数材料,由此降低了生产成本,且可使感测晶片封装模组的效率更高。

Patent Agency Ranking