-
公开(公告)号:CN102820264B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201210192120.7
申请日:2012-06-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/50 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/16 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/5446 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/131 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29124 , H01L2224/2957 , H01L2224/296 , H01L2224/3003 , H01L2224/30155 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/83125 , H01L2224/83127 , H01L2224/83192 , H01L2224/83895 , H01L2224/94 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/1461 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装结构及其制作方法,该晶片封装结构的制作方法包括:提供一第一基板,其定义有多个预定切割道;将一第二基板接合至第一基板,其中第一基板与第二基板之间具有一间隔层,间隔层具有多个晶片支撑环、一切割支撑结构、多个阻挡环、以及一间隙图案,晶片支撑环分别位于元件区中,切割支撑结构位于晶片支撑环的周围,阻挡环分别围绕晶片支撑环,间隙图案分隔开阻挡环、切割支撑结构以及晶片支撑环;以及沿着预定切割道切割第一基板与第二基板,以形成多个晶片封装结构。本发明使经切割后的基板的边缘可保持较为完整的形状,进而提升切割而成的晶片封装结构的可靠度。
-
公开(公告)号:CN104103614A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201410147809.7
申请日:2014-04-14
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2224/14131 , H01L2224/14145 , H01L2224/14177 , H01L2224/14179 , H01L2224/16058 , H01L2224/16227 , H01L2224/17051 , H01L2224/17517 , H01L2224/17519 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/14146 , H01L2224/81 , H01L2224/81907 , H01L2924/00012 , H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括:一封装基材;一晶片;以及多个焊球,设于此封装基材及此晶片之间,以将此晶片接合至此封装基材上,其中这些焊球包含一第一尺寸及不同于此第一尺寸的第二尺寸。本发明不仅可提升良率,且所形成的晶片封装体的耐用性及效能均能显著改善。
-
公开(公告)号:CN103426856A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201310184941.0
申请日:2013-05-17
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5384 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L23/60 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/02331 , H01L2224/02371 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05617 , H01L2224/05624 , H01L2224/08147 , H01L2224/08148 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/10155 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L21/304 , H01L21/76898 , H01L2221/68304 , H01L2224/0231 , H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一第一基底;一第二基底,设置于该第一基底之上,其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层,且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫;一导电层,设置于该第二基底的该上半导体层之上,且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分;一开口,自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层;以及一保护层,设置于该上半导体层及该导电层之上,其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上,且不覆盖该开口中的该下半导体层。
-
公开(公告)号:CN103325740A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310095231.0
申请日:2013-03-22
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C3/001 , B81C2201/019 , H01L21/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶圆堆栈结构及方法,该晶圆堆栈结构包括:基板、设于该基板上且其表面具有凸部的坝块、以及设于该坝块上且具有凹处的晶圆。通过该坝块表面上的凸部嵌卡至该晶圆的凹处,能避免该晶圆的凹处与该坝块之间产生气室,所以在晶圆堆栈结构进行后续封装制程时,该晶圆不致因气室存在而与坝块分离。
-
公开(公告)号:CN103199065A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201310009469.7
申请日:2013-01-10
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B81C1/00888 , H01L21/561 , H01L23/12 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法,该半导体堆栈结构的制法通过将相堆栈的基板与晶圆进行切割制程,主要通过在切割处上先移除部分晶圆材质,以在该晶圆的芯片边缘形成应力集中处,再进行切割,使应力被迫集中在该晶圆的芯片边缘,而令该芯片的边缘翘曲。因此,可避免该应力延伸至该芯片的内部。
-
公开(公告)号:CN103165551A
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201210540336.8
申请日:2012-12-13
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81C1/0023 , B81C1/00301
Abstract: 一种半导体封装件及其制法,该半导体封装件包括:具有微机电系统的芯片第一部分、设于该第一部分上且具有通孔的芯片第二部分、以及形成于该通孔中的第一部分上的止蚀层。通过通孔的设计,可将电子组件收纳于该通孔中,使该半导体封装件具有微机电系统的功能及该电子组件的功能,所以不需于电路板上设置该电子组件,以有效达到缩减该电路板的布设空间的目的。
-
公开(公告)号:CN102544101A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110419164.4
申请日:2011-12-14
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/13091 , H01L2924/157 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制作方法,晶片封装体包括一半导体基底,具有相反的一第一表面与一第二表面,且第一表面具有一凹槽;一漏极电极,配置于第一表面上并覆盖凹槽;一源极电极,配置于第二表面上,且与覆盖凹槽的漏极电极对应设置;以及一栅极电极,配置于第二表面上。本发明可提升导电效能,并提供足够的结构强度,以避免在传送半导体基底的过程中产生破片等情况,且在封装制程中,半导体基底可维持一定的平整度而不会因为厚度过薄而有边缘翘曲等情况产生。
-
公开(公告)号:CN107221540B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201710165062.1
申请日:2017-03-20
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括一基底,具有一第一表面及与其相对的一第二表面,其中基底具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区。晶片封装体还包括一介电层,设置于基底的第一表面上,其中对应于切割道区的介电层内具有一通槽,且通槽沿切割道区的延伸方向延伸。本发明可维持或改善晶片封装体可靠度及效能,避免基底翘曲,且可进一步缩小晶片封装体的尺寸。
-
公开(公告)号:CN105975114B
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201610124502.4
申请日:2016-03-04
Applicant: 精材科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法,该晶片尺寸等级的感测晶片封装体包括感测晶片、触板以及着色层。感测晶片具有相对的第一上表面与第一下表面,且包括:感测元件以及多个相邻该感测元件的导电垫,位于邻近该第一上表面处;多个硅通孔,位在第一下表面且露出其所对应的导电垫的表面;多个导电结构,设置于第一下表面;及一重布线层,位于第一下表面以及多个硅通孔内,用以分别连接每一导电垫以及每一导电结构。触板具有相对的第二上表面与第二下表面,且设置于感测晶片上。着色层位于感测晶片与触板之间。本发明不需要选择提高电容值所需要的高介质系数材料,由此降低了生产成本,且可使感测晶片封装模组的效率更高。
-
公开(公告)号:CN106098666B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201610213046.0
申请日:2016-04-07
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/4846 , H01L23/147 , H01L23/3121 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/06182 , H01L2224/08267 , H01L2224/08268 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16267 , H01L2224/16268 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/00014 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/11 , H01L2924/014
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含:一第一基板,具有相对的一第一表面与一第二表面;一第一无源元件,位于第一表面上;一第一保护层,覆盖第一无源元件,第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面;以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构,位于第一保护层中,并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上,且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件,其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间,且能降低已知电感元件的成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-