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63.发明授权가변자기저항 타입의 디렉트 드라이브 (Variable Reluctance type Direct Drive) 모터의 속도제어장치 및 제어방법 失效可变电抗器直接驱动电机速度控制装置及方法
公开(公告)号：KR1019940000642B1
公开(公告)日：1994-01-26
申请号：KR1019910008505
申请日：1991-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김동일
IPC: G11B15/46
Abstract: The apparatus comprises a microprocessor (10), a D/D motor (1), a resolver (2), a hall sensor (11), a resolver, a latch (18), 1st, 2nd pre-amplifiers (12,13), 1st, 2nd A/D converters (14,15), 1st address decoder (16), 1st, 2nd D/A converters (20,21), a pulse width modulation signal generator (22), and a gate drive board (24) applying the PWM signal to MOS-FET. Also the method includes the 8 steps and obtains an excellent dynamic characteristics.
Abstract translation: 该装置包括微处理器（10），D / D电机（1），旋转变压器（2），霍尔传感器（11），旋转变压器，闩锁（18），第1，第2前置放大器 ），第一，第二A / D转换器（14,15），第一地址解码器（16），第一，第二D / A转换器（20,21），脉宽调制信号发生器（22） （24）将PWM信号施加到MOS-FET。 该方法还包括8个步骤，并获得了极好的动态特性。
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公开(公告)号：KR1019930006454A
公开(公告)日：1993-04-21
申请号：KR1019910016322
申请日：1991-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김동일
IPC: G01R31/34
Abstract: 본 발명은 유도전동기의 회전자 저항 추정방법에 관한 것이다. 유도전동기는 각종전동기의사용률중 80%이상을 사용하고 있으며, 기계적인 정류기와 브러쉬가 없는 관계로 정기적인 보수가 필요없는 반면에 제어에 필수적인 회전자축의 제어변수들이 간접적인 방법에 의해서만 측정되고, 제어변수들이 결합된 비선형 다변수시스템으로 표시되기 때문에 제어가 쉽지 않은바, 본 발명에 의하면, 회전자 저항의 변화량에 대한 이차방정식을 구성하여 회전자 저항의 변화량을 계산하고, 계산한 회전자 저항을 새로운 회전자 저항값을 대치하여, 온도나 주위환경의 영향에 의해 변화한 외전자 저항을 보상하므로 유도전동기의 벡터제어가 완전하게 이루어지도록된 유도전동기의 회전자 저항 추정방법인 것이다.
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Patent Agency Ranking66.发明公开
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公开(公告)号：KR100513396B1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：KR1019990003790
申请日：1999-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김동일
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 반도체 제조용 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 특히 구동 기어가 결합된 구동축을 갖는 개폐 실린더와, 상기 구동 기어와 맞물리는 링기어를 갖는 승강 실린더와, 상기 승강 실린더의 승강축에 결합되어 승강 및 회동 작동을 항하여 하부 쉴드의 통공을 개방 또는 폐쇄시키는 셔터를 구비한 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 구동축과 구동 기어에는 구동축이 헛도는 것을 감지하도록 서로 대향하는 위치 감지 센서가 장착된 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 외력이나 스크류의 이완 등에 의해 개폐 실린더의 작동에 따라 회전되는 구동축의 회전력이 구동 기어로 전달되지 못하는 경우에 위치 감지 센서에 의해 감지하여 장치를 정지시키거나 경고음을 발함므로써 셔터의 오작동 등에 의한 증착 불량 등이 미연에 방지되고, 증착 품질이 균일하게 유지되며, 셔터의 작동이 정확하게 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1020020044909A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：KR1020000074166
申请日：2000-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for optimizing a cleaning process of a CVD(Chemical Vapor Deposition) method is provided to optimize the cleaning process by using a gas such as ClF3 or NF3. CONSTITUTION: A semiconductor wafer is loaded in a quartz tube. The first cleaning process is performed and evaluated by supplying a cleaning gas into the quartz tube with a constant pressure and a constant temperature. A pure quartz sample is loaded in the quartz tube. The second cleaning process is performed and evaluated by supplying the cleaning gas into the quartz tube with the constant pressure and the constant temperature. An optimum condition for the cleaning process is determined according to the first evaluation process and the second evaluation process. The semiconductor wafer is loaded in the quartz tube. An ending point of the cleaning process is determined under the optimum cleaning condition.
Abstract translation: 目的：提供一种用于优化CVD（化学气相沉积）方法的清洁过程的方法，以通过使用诸如ClF 3或NF 3的气体来优化清洁过程。 构成：半导体晶片装载在石英管中。 通过在恒定压力和恒定温度下将清洁气体供给到石英管中来进行和评价第一清洁处理。 纯石英样品装载在石英管中。 通过在恒定压力和恒定温度下将清洁气体供应到石英管中来进行和评估第二清洗过程。 根据第一评估过程和第二评估过程确定清洁过程的最佳条件。 半导体晶片装载在石英管中。 在最佳清洁条件下确定清洁过程的终点。
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