Abstract:
PURPOSE: An apparatus and method for notifying a packet channel transmission power in a mobile communication system for transmitting high-speed packet data is provided to notify the transmission power capable of being assigned in a current or future packet channel in the mobile communication system for simultaneously performing a packet data service and a voice service. CONSTITUTION: A block encoder(111) and a signal point mapper(113) process QoS(Quality of Service) matching indicator information and output processed QoS matching indicator information as the first channel signal of a data traffic MAC(Medium Access Control) channel. A symbol repeater(121) and a signal point mapper(123) process inverse direction activity indicator information. A block encoder(131) and a signal point mapper(133) process Walsh space indicator information. A channel encoder(141) and a signal point mapper(143) process first information. A TDM(Time Division Multiplexer)(125) multiplexes the outputs of the signal point mapper(123), the signal point mapper(133), and the signal point mapper(143), and outputs the multiplexed signal as the second channel signal of the data traffic MAC channel.
Abstract:
가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 불연속 전송모드 이동통신 단말기에서 데이터 유무의 판별 및 전력 제어에 관한 기술이다. 나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 본 발명은 불연속 전송모드 이동통신 단말기에서 데이터의 유무를 판별하는 장치 및 방법을 제공하고, 나아가 이동통신 시스템으로 순방향 전력 제어를 위해 제공하기 위한 순방향 전력 제어 명령을 생성하여 전송하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 또한 이를 통해 이동통신 시스템에서 원활한 순방향 전력 제어를 이룰 수 있는 장치 및 방법을 제공한다. 다. 발명의 해결방법의 요지 이와 같은 불연속 전송모드 이동통신 단말기에서 전력 제어를 위한 방법은, 한 프레임은 복수의 슬롯을 포함하고 각 슬롯은 전력 제어 비트를 포함하며 상기 프레임을 수신하고 상기 수신된 프레임에 근거된 전력 제어 명령을 발생하는 방법으로, 상기 슬롯들 내의 전력 제어 비트들의 에너지의 누적값과 상기 슬롯들 내의 잡음의 누적값의 비에 의해 주어지는 전력 제어 비트들 대 잡음비를 제공하는 과정과, 상기 제공된 전력 제어 비트들 대 잡음비가 양호할 때 상기 슬롯들 내의 트래픽 심벌 비트들의 에너지들의 누적값 대 상기 전력 제어 비트들의 에너지들의 누적값의 비에 근거하여 전력 제어 명령을 발하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한다. 라. 발명의 중요한 용도 불연속 전송모드 이동통신 시스템에 사용한다.
Abstract:
PURPOSE: An ON-OFF key receiving signal detecting apparatus and method in a mobile communication system of CDMA are provided to detect an accurate symbol by detecting a symbol of an ON-OFF key receiving signal by using a variable critical value determined by a channel estimation energy for a reference signal experiencing the same channel as a paging indicator signal. CONSTITUTION: An ON-OFF key receiving detector computes a symbol energy of a paging indicator signal which has passed a channel(610). The computation operation may be operations such as a back diffusion for the receiving signal, a symbol accumulation and a phase compensation. The ON-OFF key receiving signal detector computes an energy of a reference signal which passes the same channel(620). At this time, the reference signal is a signal which the receiver already recognizes its amplitude, for which a common channel signal may be used. The ON-OFF key receiving signal detector determines a symbol detection critical value by using the reference signal energy(630). At this time, the determining operation may be an operation of multiplying a reference signal energy by a predetermined gain to convert the magnitude of the reference signal energy. The ON-OFF key receiving signal detector detects a symbol of the paging indicator signal according to the determined symbol detection critical value. This is possibly performed by comparing the energy of the paging indicator signal with the symbol detection critical value.
Abstract:
본 발명은 저농도 도핑된 소스영역을 갖는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판상에 제1 절연막, 부유게이트, 제2 절연막 및 제어게이트가 순차적으로 형성되어 있고, 반도체 기판의 표면에 드레인영역, 저농도 도핑된 소스영역 및 고농도 도핑된 소스영역이 형성되어 있다. 이때, 고농도 도핑된 소스영역은 드레인영역보다 얕게 형성되어 있고 부유게이트와 중첩되지 않는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해, 메모리 셀의 집적도를 향상시킬 수 있으며, 부유게이트와 저농도 도핑된 소스영역사이에 형성되어 있는 제1 절연막내에 전자들이 포획되는 것을 감소시켜 메모리 셀의 특성을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A frame synchronization device using synchronization channel of CDMA communication system synchronizes a frame by using a spread code, and performs an initial capture by using a spread code. CONSTITUTION: A frame synchronization device includes a base station transmitter, and a terminal receiver. The base station transmitter synchronizes a synchronization channel with a period of a short PN sequence, maintains a constant orthogonal pattern in a constant period or all periods, multiplies the orthogonal code set to be changed to another format in the next period, and performs a spread transmission. The terminal receiver performs an initial capture by calculating a spread sequence of a short period and a correlation value by using a pilot channel at an initial time, inversely spreads a synchronization channel by using a determined orthogonal code set, and obtains a synchronization of a data frame by calculating energy. Thereby, a previous synchronous channel structure can be maintained, and a frame synchronization is easily obtained.
Abstract:
PURPOSE: A nonvolatile memory devices and method thereof are provided to improve efficiencies of the programming and the erasing. CONSTITUTION: The nonvolatile memory comprises: a semiconductor substrate(100) divided by an active region and a device isolating region having a recess of slope surface at the surface of regions formed a source(150) and a drain(160) in the active regions; gate electrode patterns of memory cell formed on the semiconductor substrate located between adjacent recesses and sequentially laminated a gate insulating layer(110), a floating gate(120) and a control gate(140); and a source(150') and a drain(160') formed underneath the recess located between the gate electrode patterns, wherein the source and drain are overlapped with the floating gate through the slope surface of the recess.
Abstract:
본 발명은 전기적으로 소거 및 프로그램 가능 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서, 낸드 구조로된 셀들을 가지는 전기적으로 소거 및 프로그램 가능 불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 메모리 셀을 선택하기 위한 선택라인의 선택트랜지스터의 비활성영역에도 두번의 채널스톱층을 위한 이온주입이 수행되어 소자분리특성이 향상되며 상기 비활성영역 가장자리 상에 연장된 부분의 제 1폴리실리콘은 그 표면과 측면은 층간절연막 제거공정에 의해 노출되며 그 노출된 부위를 통해 또 다른 도전체와의 접촉을 하게 되고 전기적으로 하나의 게이트가 되며 선택트랜지스터로서의 역할을 한다. 종래의 버팅콘택 또는 활성영역상에서 층간절연막의 제거로 전기적 접촉을 하는 선택트랜지스터의 제조방법에 비해 집적도를 증가시켜며 향상된 소자분리특성을 가지는 효과가 있다.
Abstract:
얕은 트렌치 소자분리(STI) 구조를 갖는 반도체 장치의 소자분리 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상의 액티브 영역이 형성될 부위에 마스크층을 형성한다. 상기 마스크층을 이용하여 상기 반도체 기판을 소정 깊이로 이방성 식각함으로써 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치의 내부를 절연막으로 매립시킴으로써 트렌치 소자분리 영역을 형성한다. 상기 마스크층을 제거한 후, 결과물의 전면에 실리콘-질소(Si-N) 결합을 함유하는 식각 방지층을 형성한다. 상기 액티브 영역의 상부에 게이트 산화막 또는 터널 산화막 중의 어느 하나를 형성한다. 상기 식각 방지층은 트렌치를 매립하는 산화막보다 느린 습식 식각율을 갖기 때문에, 후속 습식 식각 공정에 의해 액티브 영역의 엣지에서 트렌치 산화막에 홈이 생기는 것을 차단하여 트렌치 산화막이 소모되는 것을 방지할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 불휘발성 반도체 메모리 장치에 사용되는 메모리 셀의 층간절연막의 제조방법에 관한 것으로, 이러한 제조방법은 네이티브 옥사이드막의 성장을 방지하기 위해, 800∼900℃에서 와 희석 가스를 함유하는 분위기로 나이트라이데이션시키는 단계와; 상기 가스를 배출한후 연속적으로 순수 가스를 유입시키면서 950∼1050℃에서 소정 두께로 하부 산화막을 형성시키는 단계와; 연속적으로 순수 가스 분위기에서 상기 하부 산화막에 질소를 침투시키는 단계와; 상기 반응한 가스를 배출시킨후 750∼950℃에서 와 의 반응으로 질화막을 침적시키는 단계와; 연속적으로 상기 반응한 가스를 배출시킨후 750∼950℃에서 와 의 반응으로 상부 산화막을 침적시키는 단계와; 연속적으로 950∼1050℃의 온도범위에서
Abstract:
본 발명은 높은 커플링비를 갖는 자기정합되지 않은 쎌 구조에 필드산화막의 절연막 두께를 높여 절연 능력 특성 및 소자분리 특성을 향상시키기 위한 불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 요지는 일정간격으로 서로 직교하는 복수의 비트라인 및 복수의 워드라인과, 상기 비트라인과 워드라인이 교차되는 부분에 형성된 메모리 쎌들과, 상기 메모리 쎌들로 형성된 쎌 어레이와, 상기 메모리 쎌들 상부에 각각 형성된 제1도전층과, 상기 제1도전층의 상부와 네측면을 감싸며 적층되어 형성된 제2도전층을 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서, 기판상부 전면에 일정두께로 형성되어 활성영역들을 형성하는 제1절연막과, 상기 활성영역들 사이에 위치하여 상호 분리하기 위하여 소정두께로 형성된 다수개의 소자분리막들과, 상기 제1도전 층들 사이 및 상기 소자분리막들 상부표면에 소정두께로 형성된 제3절연막과, 하부표면이 상기 제1도전층 상부표면 및 네측면과 상기 제3절연막 상부표면에 면접하고 상기 제1도전층과 상기 제2도전층 사이에 소정두께로 형성된 제2절연막을 구비하는 것이다.