고속 패킷 데이터 전송을 위한 이동 통신시스템의 패킷채널 송신 전력 통보 장치 및 방법
    61.
    发明公开
    고속 패킷 데이터 전송을 위한 이동 통신시스템의 패킷채널 송신 전력 통보 장치 및 방법 无效
    用于发送高速分组数据的移动通信系统中的分组信道传输功率的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020020044526A

    公开(公告)日:2002-06-15

    申请号:KR1020000078095

    申请日:2000-12-05

    CPC classification number: H04W52/54 H04W52/52

    Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for notifying a packet channel transmission power in a mobile communication system for transmitting high-speed packet data is provided to notify the transmission power capable of being assigned in a current or future packet channel in the mobile communication system for simultaneously performing a packet data service and a voice service. CONSTITUTION: A block encoder(111) and a signal point mapper(113) process QoS(Quality of Service) matching indicator information and output processed QoS matching indicator information as the first channel signal of a data traffic MAC(Medium Access Control) channel. A symbol repeater(121) and a signal point mapper(123) process inverse direction activity indicator information. A block encoder(131) and a signal point mapper(133) process Walsh space indicator information. A channel encoder(141) and a signal point mapper(143) process first information. A TDM(Time Division Multiplexer)(125) multiplexes the outputs of the signal point mapper(123), the signal point mapper(133), and the signal point mapper(143), and outputs the multiplexed signal as the second channel signal of the data traffic MAC channel.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于在移动通信系统中通知分组信道发送功率用于发送高速分组数据的装置和方法,用于通知移动通信系统中当前或未来分组信道中能够分配的发送功率同时 执行分组数据业务和语音业务。 构成:块编码器(111)和信号点映射器(113)将QoS(服务质量)匹配指示符信息和输出处理后的QoS匹配指示符信息作为数据业务MAC(媒体访问控制)信道的第一信道信号进行处理。 符号中继器(121)和信号点映射器(123)处理反向活动指示符信息。 块编码器(131)和信号点映射器(133)处理沃尔什空间指示符信息。 信道编码器(141)和信号点映射器(143)处理第一信息。 TDM(时分多路复用器)(125)多路复用信号点映射器(123),信号点映射器(133)和信号点映射器(143)的输出,并将多路复用信号作为第二通道信号输出 数据流量MAC通道。

    불연속 전송모드 이동통신 시스템의 순방향 전력 제어장치 및 방법
    62.
    发明授权
    불연속 전송모드 이동통신 시스템의 순방향 전력 제어장치 및 방법 有权
    用于不连续发射模式的前向功率控制的装置和方法

    公开(公告)号:KR100330243B1

    公开(公告)日:2002-03-25

    申请号:KR1020000036214

    申请日:2000-06-28

    Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
    불연속 전송모드 이동통신 단말기에서 데이터 유무의 판별 및 전력 제어에 관한 기술이다.
    나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
    본 발명은 불연속 전송모드 이동통신 단말기에서 데이터의 유무를 판별하는 장치 및 방법을 제공하고, 나아가 이동통신 시스템으로 순방향 전력 제어를 위해 제공하기 위한 순방향 전력 제어 명령을 생성하여 전송하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 또한 이를 통해 이동통신 시스템에서 원활한 순방향 전력 제어를 이룰 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.
    다. 발명의 해결방법의 요지
    이와 같은 불연속 전송모드 이동통신 단말기에서 전력 제어를 위한 방법은, 한 프레임은 복수의 슬롯을 포함하고 각 슬롯은 전력 제어 비트를 포함하며 상기 프레임을 수신하고 상기 수신된 프레임에 근거된 전력 제어 명령을 발생하는 방법으로, 상기 슬롯들 내의 전력 제어 비트들의 에너지의 누적값과 상기 슬롯들 내의 잡음의 누적값의 비에 의해 주어지는 전력 제어 비트들 대 잡음비를 제공하는 과정과, 상기 제공된 전력 제어 비트들 대 잡음비가 양호할 때 상기 슬롯들 내의 트래픽 심벌 비트들의 에너지들의 누적값 대 상기 전력 제어 비트들의 에너지들의 누적값의 비에 근거하여 전력 제어 명령을 발하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
    라. 발명의 중요한 용도
    불연속 전송모드 이동통신 시스템에 사용한다.

    부호분할 다중접속 방식의 이동통신시스템에서 온-오프키잉 수신신호 검출 장치 및 방법
    63.
    发明公开
    부호분할 다중접속 방식의 이동통신시스템에서 온-오프키잉 수신신호 검출 장치 및 방법 失效
    CDMA移动通信系统中的接通信号接收信号检测装置和方法

    公开(公告)号:KR1020010067158A

    公开(公告)日:2001-07-12

    申请号:KR1020000052724

    申请日:2000-09-06

    Inventor: 김종한 문희찬

    CPC classification number: H04L27/02 H04B1/707

    Abstract: PURPOSE: An ON-OFF key receiving signal detecting apparatus and method in a mobile communication system of CDMA are provided to detect an accurate symbol by detecting a symbol of an ON-OFF key receiving signal by using a variable critical value determined by a channel estimation energy for a reference signal experiencing the same channel as a paging indicator signal. CONSTITUTION: An ON-OFF key receiving detector computes a symbol energy of a paging indicator signal which has passed a channel(610). The computation operation may be operations such as a back diffusion for the receiving signal, a symbol accumulation and a phase compensation. The ON-OFF key receiving signal detector computes an energy of a reference signal which passes the same channel(620). At this time, the reference signal is a signal which the receiver already recognizes its amplitude, for which a common channel signal may be used. The ON-OFF key receiving signal detector determines a symbol detection critical value by using the reference signal energy(630). At this time, the determining operation may be an operation of multiplying a reference signal energy by a predetermined gain to convert the magnitude of the reference signal energy. The ON-OFF key receiving signal detector detects a symbol of the paging indicator signal according to the determined symbol detection critical value. This is possibly performed by comparing the energy of the paging indicator signal with the symbol detection critical value.

    Abstract translation: 目的:提供CDMA移动通信系统中的ON-OFF密钥接收信号检测装置和方法,通过使用由信道估计确定的可变临界值检测ON-OFF密钥接收信号的符号来检测精确符号 用于与寻呼指示符信号经历相同信道的参考信号的能量。 构成:ON-OFF键接收检测器计算通过信道的寻呼指示符信号的符号能量(610)。 计算操作可以是诸如用于接收信号的反向扩散,符号累积和相位补偿的操作。 ON-OFF键接收信号检测器计算通过相同信道的参考信号的能量(620)。 此时,参考信号是接收机已经识别出其幅度的信号,可以使用公共信道信号。 ON-OFF键接收信号检测器通过使用参考信号能量来确定符号检测临界值(630)。 此时,确定操作可以是将参考信号能量乘以预定增益的操作,以转换参考信号能量的大小。 ON-OFF键接收信号检测器根据确定的符号检测临界值检测寻呼指示符信号的符号。 这可以通过将寻呼指示符信号的能量与符号检测临界值进行比较来执行。

    비휘발성 메모리소자 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR100278661B1

    公开(公告)日:2001-02-01

    申请号:KR1019980048655

    申请日:1998-11-13

    Inventor: 최정혁 김종한

    Abstract: 본 발명은 저농도 도핑된 소스영역을 갖는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판상에 제1 절연막, 부유게이트, 제2 절연막 및 제어게이트가 순차적으로 형성되어 있고, 반도체 기판의 표면에 드레인영역, 저농도 도핑된 소스영역 및 고농도 도핑된 소스영역이 형성되어 있다. 이때, 고농도 도핑된 소스영역은 드레인영역보다 얕게 형성되어 있고 부유게이트와 중첩되지 않는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해, 메모리 셀의 집적도를 향상시킬 수 있으며, 부유게이트와 저농도 도핑된 소스영역사이에 형성되어 있는 제1 절연막내에 전자들이 포획되는 것을 감소시켜 메모리 셀의 특성을 향상시킬 수 있다.

    부호분할다중접속통신시스템의동기채널을이용한프레임동기장치및방법
    65.
    发明公开
    부호분할다중접속통신시스템의동기채널을이용한프레임동기장치및방법 失效
    使用CDMA通信系统和帧同步方法的同步信道的帧同步设备

    公开(公告)号:KR1020000020342A

    公开(公告)日:2000-04-15

    申请号:KR1019980038919

    申请日:1998-09-17

    Inventor: 문희찬 김종한

    CPC classification number: H04J13/004 H04J3/0602 H04J13/102

    Abstract: PURPOSE: A frame synchronization device using synchronization channel of CDMA communication system synchronizes a frame by using a spread code, and performs an initial capture by using a spread code. CONSTITUTION: A frame synchronization device includes a base station transmitter, and a terminal receiver. The base station transmitter synchronizes a synchronization channel with a period of a short PN sequence, maintains a constant orthogonal pattern in a constant period or all periods, multiplies the orthogonal code set to be changed to another format in the next period, and performs a spread transmission. The terminal receiver performs an initial capture by calculating a spread sequence of a short period and a correlation value by using a pilot channel at an initial time, inversely spreads a synchronization channel by using a determined orthogonal code set, and obtains a synchronization of a data frame by calculating energy. Thereby, a previous synchronous channel structure can be maintained, and a frame synchronization is easily obtained.

    Abstract translation: 目的:使用CDMA通信系统的同步信道的帧同步装置通过使用扩展码来同步帧,并通过使用扩展码进行初始捕获。 构成:帧同步装置包括基站发射机和终端接收机。 基站发射机将同步信道与短PN序列的周期同步,在恒定周期或所有周期内保持恒定的正交模式,将待改变的正交码组与下一周期中的其他格式相乘,并执行扩频 传输。 终端接收机通过在初始时间通过使用导频信道计算短周期的扩频序列和相关值来进行初始捕获,通过使用确定的正交码集反向扩展同步信道,并获得数据的同步 框架通过计算能量。 由此,可以保持先前的同步信道结构,并且容易地获得帧同步。

    프로그램및소거효율이개선된불휘발성메모리장치및그제조방법
    66.
    发明公开
    프로그램및소거효율이개선된불휘발성메모리장치및그제조방법 失效
    非易失性存储器件改进编程和擦除效率及其方法

    公开(公告)号:KR1020000001034A

    公开(公告)日:2000-01-15

    申请号:KR1019980021058

    申请日:1998-06-08

    Inventor: 김종한

    Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory devices and method thereof are provided to improve efficiencies of the programming and the erasing. CONSTITUTION: The nonvolatile memory comprises: a semiconductor substrate(100) divided by an active region and a device isolating region having a recess of slope surface at the surface of regions formed a source(150) and a drain(160) in the active regions; gate electrode patterns of memory cell formed on the semiconductor substrate located between adjacent recesses and sequentially laminated a gate insulating layer(110), a floating gate(120) and a control gate(140); and a source(150') and a drain(160') formed underneath the recess located between the gate electrode patterns, wherein the source and drain are overlapped with the floating gate through the slope surface of the recess.

    Abstract translation: 目的:提供非易失性存储器件及其方法以提高编程和擦除的效率。 构成:非易失性存储器包括:由有源区域划分的半导体衬底(100)和在区域的表面处具有倾斜表面的凹部的器件隔离区域,形成有源区域中的源极(150)和漏极(160) ; 形成在位于相邻凹部之间的半导体衬底上并顺序层叠栅极绝缘层(110),浮动栅极(120)和控制栅极(140)的存储单元的栅电极图案。 以及形成在位于所述栅极电极图案之间的所述凹部下方的源极(150')和漏极(160'),其中所述源极和漏极通过所述凹部的所述斜面与所述浮动栅极重叠。

    불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법
    67.
    发明授权
    불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법 失效
    非线性半导体存储器件的制造方法

    公开(公告)号:KR100185637B1

    公开(公告)日:1999-03-20

    申请号:KR1019960047189

    申请日:1996-10-21

    Abstract: 본 발명은 전기적으로 소거 및 프로그램 가능 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서, 낸드 구조로된 셀들을 가지는 전기적으로 소거 및 프로그램 가능 불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 메모리 셀을 선택하기 위한 선택라인의 선택트랜지스터의 비활성영역에도 두번의 채널스톱층을 위한 이온주입이 수행되어 소자분리특성이 향상되며 상기 비활성영역 가장자리 상에 연장된 부분의 제 1폴리실리콘은 그 표면과 측면은 층간절연막 제거공정에 의해 노출되며 그 노출된 부위를 통해 또 다른 도전체와의 접촉을 하게 되고 전기적으로 하나의 게이트가 되며 선택트랜지스터로서의 역할을 한다. 종래의 버팅콘택 또는 활성영역상에서 층간절연막의 제거로 전기적 접촉을 하는 선택트랜지스터의 제조방법에 비해 집적도를 증가시켜며 향상된 소자분리특성을 가지는 효과가 있다.

    반도체 장치의 소자분리 방법

    公开(公告)号:KR1019990017051A

    公开(公告)日:1999-03-15

    申请号:KR1019970039817

    申请日:1997-08-21

    Inventor: 김종한

    Abstract: 얕은 트렌치 소자분리(STI) 구조를 갖는 반도체 장치의 소자분리 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상의 액티브 영역이 형성될 부위에 마스크층을 형성한다. 상기 마스크층을 이용하여 상기 반도체 기판을 소정 깊이로 이방성 식각함으로써 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치의 내부를 절연막으로 매립시킴으로써 트렌치 소자분리 영역을 형성한다. 상기 마스크층을 제거한 후, 결과물의 전면에 실리콘-질소(Si-N) 결합을 함유하는 식각 방지층을 형성한다. 상기 액티브 영역의 상부에 게이트 산화막 또는 터널 산화막 중의 어느 하나를 형성한다. 상기 식각 방지층은 트렌치를 매립하는 산화막보다 느린 습식 식각율을 갖기 때문에, 후속 습식 식각 공정에 의해 액티브 영역의 엣지에서 트렌치 산화막에 홈이 생기는 것을 차단하여 트렌치 산화막이 소모되는 것을 방지할 수 있다.

    불휘발성 반도체 메모리 장치에 사용되는 메모리 셀의 층간절연막의 제조방법
    69.
    发明公开
    불휘발성 반도체 메모리 장치에 사용되는 메모리 셀의 층간절연막의 제조방법 失效
    用于制造非易失性半导体存储器件中使用的存储器单元的层间绝缘膜的方法

    公开(公告)号:KR1019980076934A

    公开(公告)日:1998-11-16

    申请号:KR1019970013850

    申请日:1997-04-15

    Inventor: 김종한

    Abstract: 본 발명은 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 불휘발성 반도체 메모리 장치에 사용되는 메모리 셀의 층간절연막의 제조방법에 관한 것으로, 이러한 제조방법은 네이티브 옥사이드막의 성장을 방지하기 위해, 800∼900℃에서 와 희석 가스를 함유하는 분위기로 나이트라이데이션시키는 단계와; 상기 가스를 배출한후 연속적으로 순수 가스를 유입시키면서 950∼1050℃에서 소정 두께로 하부 산화막을 형성시키는 단계와; 연속적으로 순수 가스 분위기에서 상기 하부 산화막에 질소를 침투시키는 단계와; 상기 반응한 가스를 배출시킨후 750∼950℃에서 와 의 반응으로 질화막을 침적시키는 단계와; 연속적으로 상기 반응한 가스를 배출시킨후 750∼950℃에서 와 의 반응으로 상부 산화막을 침적시키는 단계와; 연속적으로 950∼1050℃의 온도범위에서

    불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR1019980021382A

    公开(公告)日:1998-06-25

    申请号:KR1019960040200

    申请日:1996-09-16

    Abstract: 본 발명은 높은 커플링비를 갖는 자기정합되지 않은 쎌 구조에 필드산화막의 절연막 두께를 높여 절연 능력 특성 및 소자분리 특성을 향상시키기 위한 불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 요지는 일정간격으로 서로 직교하는 복수의 비트라인 및 복수의 워드라인과, 상기 비트라인과 워드라인이 교차되는 부분에 형성된 메모리 쎌들과, 상기 메모리 쎌들로 형성된 쎌 어레이와, 상기 메모리 쎌들 상부에 각각 형성된 제1도전층과, 상기 제1도전층의 상부와 네측면을 감싸며 적층되어 형성된 제2도전층을 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서, 기판상부 전면에 일정두께로 형성되어 활성영역들을 형성하는 제1절연막과, 상기 활성영역들 사이에 위치하여 상호 분리하기 위하여 소정두께로 형성된 다수개의 소자분리막들과, 상기 제1도전 층들 사이 및 상기 소자분리막들 상부표면에 소정두께로 형성된 제3절연막과, 하부표면이 상기 제1도전층 상부표면 및 네측면과 상기 제3절연막 상부표면에 면접하고 상기 제1도전층과 상기 제2도전층 사이에 소정두께로 형성된 제2절연막을 구비하는 것이다.

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