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公开(公告)号：KR2019950023745U
公开(公告)日：1995-08-23
申请号：KR2019940001466
申请日：1994-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25D23/00
Abstract: 본고안은냉장고의냉기토출장치에관한것으로서, 특히냉장고의냉기덕트에음이온이포함된냉기를토출하는음이온발생수단을구비한것으로서상기음이온발생수단은탈취기에설치된음이온전극과전기적으로연결되고, 또한상기음이온발생수단은상기냉기덕트의각 토출구직 상부마다설치한음이온전극을구비하는특징적인구성에의해, 냉장실전체로음이온이균일하게공급됨으로보관식품의신선도유지가향상된다.
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公开(公告)号：KR1019940008067A
公开(公告)日：1994-04-28
申请号：KR1019920017606
申请日：1992-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/52
Abstract: 본 발명은 다층 배선이 형성되는 반도체 장치를 있어서 배선층간의 접촉 면적을 넓혀서 접촉 저항을 감소시킨 반도체 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 표면상에 제1배선이 패턴되어 형성된 제1절연층과, 상기 제1절연층상에 상기 제1배선의 한정된 지역내에서 상부표면과 측면이 노출되도록 제거되어 형성된 제2절연층과, 상기 노출된 제1배선의 상부표면과 측면과 접촉하면서 상기 제2절연층상을 지나가는 제2배선을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 배선층간의 접촉을 위한 공정 시 정렬곤란에 구애받음 없이 배선층간의 접촉 면적이 증가되어 접촉 저항이 감소되고 접촉의 신뢰도가 향상된다.
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