公开(公告)号：KR1019990085228A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980017508

申请日：1998-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남효락

IPC: G02F1/1345

Abstract: 두께가 0.3∼0.5 mm 정도인 유리 기판에 0.4∼0.7mm 정도의 두께를 가지는 더미 기판을 봉합재로 접착하여 전체 두께가 0.7∼1.2μm 정도인 공정용 기판을 제작한다. 더미 기판이 부착된 반대편 기판 면에 박막 트랜지스터 기판용 또는 컬러 필터 기판용 패턴을 형성하는 제조 공정을 실시하여, 각각의 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판을 완성한 다음, 패턴이 형성된 면 쪽에 제1 차 스크라이브를 실시한다. 스크라이브된 컬러 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판을 서로 마주보도록 대응시키고, 두 기판의 가장자리를 따라 봉합재를 둘러서 두 기판을 일체화한다. 이때, 봉합재는 기판과 각각의 더미 기판을 접착시키고 있는 봉지재보다 기판 안쪽에 위치하도록 한다. 마지막으로, 봉합재의 바깥쪽에 위치한 부분에서 더미 기판면에 제 2차 스크라이브를 실시한 다음, 브레이크를 실시하여 더미 기판과 기판을 분리한다.

公开(公告)号：KR1019990076155A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980010858

申请日：1998-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남효락 ,  노수귀

IPC: G02F1/1335

Abstract: 본 발명은 LCD 장치의 칼라 필터 기판 제조 방법 및 그 제조용 마스크에 관한 것으로, 본 발명에서는 스웰링 현상을 고려하여 디자인된 마스킹 패턴층을 통해, 유기 블랙 매트릭스의 패턴을 형성하기 위한 노광공정이 진행될 때, 스웰링 현상에 의한 자연스런 평탄화가 달성될 수 있도록 함으로써, 유기 블랙 매트릭스의 평탄화를 복잡한 디포커싱 작업 없이도 간편하게 달성시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980074514A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970010380

申请日：1997-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남효락

IPC: G02F1/1343

Abstract: 다중복구가 가능한 데이터라인을 구비하는 인 플레인 스위칭 모드의 액정 표시장치에 대해 기재되어 있다. 이 액정 표시장치는 데이터라인, 상기 데이터라인과 평행하게 형성되며, 절연막에 의해 이격된 공통전극 및 대향전극을 구비하는 제1 기판과, 제1 기판과 소정거리 이격되어 대향하며 전극을 포함하지 않은 제2 기판과, 제1 기판의 이면에 배치된 편광자와, 제2 기판의 이면에 배치된 분광자, 및 제1 및 제2 기판 사이의 공간에 봉입된 액정층을 구비한다.

公开(公告)号：KR1019980068458A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970005052

申请日：1997-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남효락

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 소자 제조를 위한 현상 장치에 대해 기재되어 있다. 이는, 그 내부에 기판을 회전시킬 수 있는 스핀 유니트를 갖는 챔버 및 현상액을 기상(氣相) 상태로 전환하여 챔버 내부로 공급하도록 현상 물질 공급장치를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 최소한의 현상용액을 사용하면서도 효율적으로 대형의 기판을 현상할 수 있으며, 동시에 패턴의 균일도를 유지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980049437A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960068151

申请日：1996-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남효락

IPC: H01L21/84

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로서, 가로 방향으로 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 교차하며 교차되는 부분을 소스 전극으로 하는 데이터선, 일정한 폭을 가지며 데이터선과 평행하게 게이트선의 폭을 가로질러 형성되어 있는 드레인 전극을 포함한다. 이때, 게이트선은 일정 구간에서 일정폭을 유지하며, 드레인 전극은 게이트선의 폭보다 길게 형성되어 있다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 게이트선으로부터 별도의 채널용 패턴을 끌어내지 않으며, 일정폭을 가진 게이트선 위에 직접 소스 전극 및 일정폭의 드레인 전극이 지나고 있기 때문에, 스티칭시 발생할 수 있는 미스얼라인과는 상관없이 게이트 전극과 드레인 전극이 중첩되는 면적은 일정하다. 따라서, 블록 결함에 따른 화질의 저하가 방지된다.

公开(公告)号：KR1019980037102A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960055801

申请日：1996-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남효락

IPC: H01L27/12

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 기판 위에 전면적으로 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 일부 위에 형성되어 있으며 게이트 전극의 양 측 가장자리와 일부가 중첩되어 있는 소스-드레인 전극, 소스-드레인 전극 위에 형성되어 있는 n
+ 비정질 실리콘층, n
+ 비정질 실리콘 상부와 소스-드레인 전극 사이의 절연막 상부에 형성되어 있는 비정질 실리콘층을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 절연막과 금속층과 n
+ 비정질 실리콘층을 연속으로 증착하고 n
+ 비정질 실리콘층을 패터닝하여 콘택층을 형성하는 단계, 콘택층을 마스크로 금속층을 패터닝하여 소스-드레인 전극을 형성하는 단계, 비정질 실리콘층을 형성하고 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에서는 소스-드레인 전극을 비정질 실리콘층보다 먼저 형성하기 때문에 비정질 실리콘층이 소스-드레인 전극 사이에 묻히며 소스-드레인 전극 사이에서만 채널부가 형성된다. 결국, 백라이트로부터의 빛이 소스-드레인 전극에서 차단된다.