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公开(公告)号：KR1019980026793A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045358
申请日：1996-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정동진
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 신뢰성을 향상시킬 수 있는 강유전체 메모리 장치를 제공함에 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 기술적 사상에 따르면, 강유전체 메모리 장치는 피형 반도체 기판상에 활성영역을 정의 하기 위한 국부산화공정을 통하여 형성되는 소자분리막과; 상기 활성영역내에 이온주입에 의해 형성되는 드레인 및 소오스영역과; 상기 드레인 및 소오스영역사이에 형성되는 채널상에 게이트산화막을 개재하여 형성되는 게이트전극과; 상기 결과물 전면에 형성되는 제1층간절연막과; 상기 소오스영역상에 형성된 제1층간절연막상에 소정폭을 가지는 마스크를 사용하여 형성되는 콘택과; 상기 콘택과 상기 제1층간절연막상에 걸쳐 형성되는 하부전극과; 상기 결과물 전면에 형성되는 제2층간절연막과; 상기 하부전극상에 형성되는 제2층간절연막상에 콘택을 형성한후 이 콘택의 양측면에 물질확산방지 및 접합강화를 위해 형성되는 물질확산방지막과; 상기 하부전극상에 형성되는 강유전체막과; 상기 강유전체막상에 형성되는 상부전극과; 상기 결과물 전면에 형성되는 제3층간절연막과; 상기 드레인영역상에 콘택호울을 형성하여 접속되는 비트라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019940008013A
公开(公告)日：1994-04-28
申请号：KR1019920017190
申请日：1992-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 MOS 소자의 게이트절연막 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자의 게이트 절연막을 형성하는 방법에 있어서, N
2 O가스와 상기 N
2 O가스유량의 1~3%에 해당하는 소량의 성장촉매가스를 함께 흘려주어 로내에서 산화막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트절연막 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 단시간내에 신뢰성 높은 고품질의 게이트산화막의 제조가 가능하게 된다.
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