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公开(公告)号：KR101813173B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110029035
申请日：2011-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/1054 , H01L29/66431 , H01L29/7782 , H01L29/7831 , Y10S977/734
Abstract: 반도체소자와그 제조방법및 반도체소자를포함하는전자장치에관해개시되어있다. 개시된반도체소자는반도체요소를포함할수 있다. 상기반도체요소는수직방향으로이격된복수의단위층을포함할수 있다. 상기단위층 각각은패턴화된그래핀층(patterned graphene layer)을포함할수 있다. 상기패턴화된그래핀층은나노스케일로패터닝된층일수 있다. 상기패턴화된그래핀층은나노메쉬(nanomesh) 또는나노리본(nanoribbon) 구조를가질수 있다. 상기반도체소자는, 예컨대, 트랜지스터또는다이오드일수 있다.
Abstract translation: 公开了半导体器件及其制造方法和包括半导体器件的电子器件。 所公开的半导体器件可以包括半导体元件。 半导体元件可以包括垂直隔开的多个单元层。 每个单元层可以包括图案化的石墨烯层。 图案化的石墨烯层可以是纳米级图案化的层。 图案化的石墨烯层可以具有纳米网或纳米带结构。 该半导体器件可以是例如晶体管或二极管。
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公开(公告)号：KR1020170028787A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020150125838
申请日：2015-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/42 , H01L51/00 , H01L27/146 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L27/307 , C07D403/04 , C07D403/14 , C07D471/04 , C07D487/04 , H01L51/0032 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/4253
Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는활성층을포함하고, 상기활성층은가시광선영역내에서투명한화학식 1로표현되는 n형반도체화합물과가시광선영역내에서약 500nm 내지약 600nm 파장영역에서최대흡수파장을가지는 p형반도체화합물을포함하는유기광전소자를제공한다.
Abstract translation: 有机光电装置包括第一电极和彼此面对的第二电极以及第一电极和第二电极之间的有源层，其中有源层包括在可见光区域中透明的n型半导体化合物， 通过化学式1和在可见光区域的约500nm至约600nm的波长范围具有最大吸收波长的p型半导体化合物。
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公开(公告)号：KR101715843B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020120146629
申请日：2012-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사 , 코닝정밀소재 주식회사
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3295 , H01L51/5268
Abstract: 광추출효율을향상시킬수 있는광추출층을구비하는유기발광소자(OLED)가개시된다. 개시된발광소자는, 투명기판, 상기투명기판상의투명전극, 상기투명전극상에배치된투명한광추출층, 상기투명전극상에배치된발광층, 및상기광추출층과발광층을덮도록배치된반사전극을포함할수 있다. 여기서, 상기광추출층과발광층은상기투명전극상에서서로교호하면서반복적으로형성될수 있다.
Abstract translation: 根据示例性实施例，发光器件包括透明基板，透明基板上的透明电极，至少部分透明电极上的透明光提取层，透明电极上的发光层，以及透明电极上的反射电极 光提取层和发光层。 光提取层和发光层可以交替重复地布置在透明电极和反射电极之间。
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公开(公告)号：KR1020160089809A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：KR1020150009500
申请日：2015-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07D495/04 , C07D495/02 , H01L31/042
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D495/04 , C09K11/06 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , C07D495/02 , H01L31/042
Abstract: 화학식 1로표현되는화합물, 서로마주하는제1 전극과제2 전극및 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고화학식 1로표현되는화합물을포함하는활성층을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서와전자장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1A或1B表示的化合物，涉及包含活性层的有机光电装置，以及涉及包含有机光电装置的图像传感器和电子器件。 有源层包括：第一电极和彼此面对的第二电极; 和由化学式1A或1B表示的化合物，并且位于第一电极和第二电极之间。 在一个实施方案中提供了一种有机光电装置的化合物，其可以选择性地吸收绿色波长范围的光。
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公开(公告)号：KR1020160025320A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020140112424
申请日：2014-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14647 , H04N9/045
Abstract: 제1 광전변환소자영역, 제2 광전변환소자영역및 상기제1 광전변환소자영역과제2 광전변환소자영역사이에배치되어있는제1색신호저장영역을포함하는기판, 상기기판위의상기제1 광전변환소자영역과상기제2 광전변환소자영역에각각대응하는위치에배치되어있는제2색컬러필터및 제3색컬러필터, 상기제2색컬러필터및 상기제3색컬러필터사이에배치되어있는도전성연결부재, 상기제2색컬러필터, 상기제3색컬러필터및 상기도전성연결부재위에배치되어있는제1색감응광전변환소자를포함하고, 상기도전성연결부재의면적은상기제1색신호저장영역의면적이상인적층형촬상소자.
Abstract translation: 叠层成像装置包括：基板，包括布置在第一光电转换器件区域和第二光电转换器件区域之间的第一光电转换器件区域，第二光电转换器件区域和第一颜色信号存储区域; 第二颜色滤色器和第三彩色滤色器，分别对应于第一光电转换器件区域和第二光电转换器件区域; 布置在第二彩色滤色片和第三彩色滤色片之间的导电连接件; 以及布置在第二彩色滤色器，第三彩色滤色器和导电连接部件上的第一颜色敏感光电转换装置。 导电连接构件的面积等于或大于第一颜色信号存储区域。 堆叠的成像装置可以减少绿色光信号的失真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160024686A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020140111824
申请日：2014-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/0073 , H01L51/008 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고 p형반도체와 n형반도체가이종접합을형성하는활성층을포함하고, 상기 p형반도체는화학식 1로표현되는화합물을포함하는유기광전소자, 및이를포함하는이미지센서에관한것이다. 화학식 1은명세서에기재한바와같다.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电器件，其包括彼此面对的第一电极和第二电极; 以及位于第一电极和第二电极之间并具有p型半导体和n型半导体形成异质结的有源层，其中p型半导体包括由化学式1表示的化合物和图像传感器 包括它们。 化学式1在说明书中描述。 在一个实施方案中提供了增加波长选择性的有机光电装置，并且通过改善薄膜状态下的消光性能来减少每个像素之间的串扰。
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公开(公告)号：KR1020160015993A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140099084
申请日：2014-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14647 , H01L27/286
Abstract: 청색파장영역의광을감지하는청색광전소자, 적색파장영역의광을감지하는적색광전소자및 녹색파장영역의광을감지하는녹색광전소자중 적어도하나를포함하는제1 광전소자, 그리고상기제1 광전소자의일면에색 필터의개재없이적층되어있으며적외선영역의광을감지하는제2 광전소자를포함하는이미지센서와전자장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种图像传感器和包括该图像传感器的电子设备。 图像传感器包括：第一光电装置，其包括检测蓝色波长范围的蓝色光电装置，检测红色波长范围的光的红色光电装置和检测红色波长范围内的光的绿色光电装置中的至少一种; 绿色波长范围; 以及第二光电装置，其在不插入滤色器的情况下堆叠在第一光电装置的一侧，并且检测红外范围的光。
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公开(公告)号：KR1020160011039A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140092002
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07D495/12 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0058 , C07D495/14 , H01L27/307 , H01L51/0052 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0074 , H01L51/424
Abstract: 화학식 1로표현되는화합물, 유기광전소자및 이를포함하는이미지센서에관한것이다. 상기화학식 1은명세서에기재한바와같다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的化合物，有机光电子器件和包含该化合物的图像传感器。 化学式1与说明书中所述相同。 在一个实施方案中，提供了可以同时改善光吸收性能和波长选择性的化合物。
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公开(公告)号：KR1020160011038A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140092001
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/0094 , C07F7/0834 , H01L27/301 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/008 , H01L51/4253 , H01L51/442 , H01L2251/308
Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는활성층을포함하고, 상기활성층은하기화학식 1로표현되는제1 화합물을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R내지 R및 L내지 L는명세서에기재한바와같다.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电装置，其包括：第一电极和彼此面对的第二电极; 以及置于所述第一电极和所述第二电极之间的有源层，其中所述有源层包括由化学式1表示的第一化合物和包含所述有机光电装置的图像传感器。 在化学式1中，R 1〜R 15和L 1〜L 3与说明书中所述相同。
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公开(公告)号：KR1020160009404A
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020140089914
申请日：2014-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L25/167 , H01L27/30 , H01L27/302 , H01L33/06 , H01L51/0046 , H01L51/0068 , H01L51/008 , H01L51/0094 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/447 , Y02E10/549
Abstract: 제1 전극, 상기제1 전극의일면에위치하고제1 p형반도체와제1 n형반도체가이종접합을형성하는흡광층, 상기흡광층의일면에위치하고상기흡광층보다작은반치폭을가지는제2 p형반도체또는제2 n형반도체를포함하는흡광보조층, 상기흡광보조층의일면에위치하는전하보조층, 그리고상기전하보조층의일면에위치하는제2 전극을포함하는유기광전소자및 이미지센서에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及有机光电装置和图像传感器。 光电装置包括：第一电极; 放置在第一电极的一个表面上并由第一p型半导体和第一n型半导体形成异质结的光吸收层; 放置在所述光吸收层的一个表面上的吸光辅助层，并且包括第二p型半导体或具有比所述光吸收层的FWHM小的半高全宽（FWHM）的第二p型半导体或第二n型半导体 光吸收层; 电荷辅助层，放置在吸光辅助层的一个表面上; 以及放置在电荷辅助层的一个表面上的第二电极。
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