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公开(公告)号：KR1020030067955A
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1020020007707
申请日：2002-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/068 , H01L31/103 , Y02E10/547
Abstract: PURPOSE: A silicon photo-detecting device is provided to be capable of improving quantum efficiency though using silicon as semiconductor material by forming an ultra-shallow doped region at a silicon substrate. CONSTITUTION: A silicon photo-detecting device is provided with an N-type or P-type silicon based substrate(11), an ultra-shallow doped region(15) having an opposite type to that of the silicon based substrate, formed at one side of the silicon based substrate for generating photoelectric conversion effect caused by the quantum confinement effect of a P-N junction region formed between the silicon based substrate and the ultra-shallow doped region in the wavelength range of 100-1100 nm, and the first and second electrode(17,19) formed at one and the other side of the silicon based substrate, respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种硅光电检测器件，通过在硅衬底上形成超浅掺杂区域，能够通过使用硅作为半导体材料来提高量子效率。 构成：硅光检测装置设置有N型或P型硅基衬底（11），与一种与硅基衬底相反的超浅掺杂区域（15）形成在一个 用于产生由在100-1100nm的波长范围内的硅基衬底和超浅掺杂区域之间形成的PN结区域的量子限制效应引起的光电转换效应的硅基衬底的侧面，以及第一和第二 电极（17,19）分别形成在硅基衬底的一侧和另一侧。
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公开(公告)号：KR100362363B1
公开(公告)日：2003-05-16
申请号：KR1019980021838
申请日：1998-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B41J2/04
CPC classification number: B41J2/14008
Abstract: An apparatus for jetting ink utilizing a lamb wave and a method for producing the same, the apparatus including an ink chamber having nozzles, and an ejecting force source for supplying an ejecting force to eject the ink out of the nozzles. The ejecting force source includes inter-digital transducer electrodes for applying a voltage of a predetermined voltage, a piezoelectric element for generating the lamb wave by means of the voltage applied from the inter-digital transducer electrodes. Thus, as the voltage is applied to the inter-digital transducer electrodes, the lamb wave is generated from the lamb wave generating board, and the ink reserved in the ink chamber is ejected out of the nozzles.
Abstract translation: 一种利用兰姆波喷射墨水的装置及其制造方法，该装置包括具有喷嘴的墨水室和用于提供喷射力以将墨水喷出喷嘴的喷射力源。 喷射力源包括用于施加预定电压的数字间换能器电极，用于通过从数字间换能器电极施加的电压产生兰姆波的压电元件。 因此，当将电压施加到叉指式换能器电极时，从兰姆波发生板产生兰姆波，并且储存在墨腔中的墨从喷嘴喷出。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020020081551A
公开(公告)日：2002-10-28
申请号：KR1020020015901
申请日：2002-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to improve luminous efficiency and light intensity by forming a shallow doping region having quantum confinement effect at p-n junction. CONSTITUTION: The light emitting device comprises a first and a second substrate(11,21), a first and a second doping region(15,25) formed at both surfaces of the substrates, a reflective film(30) formed on the second doping region(25), and electrodes(17,27). The light emitting device further includes control layers(13,23) for controlling the depth of the first and second doping regions(15,25) so as to have an ultra-shallow depth. Thereby, light emitting due to the quantum confinement effect is generated at p-n junction parts(14,24) between the substrates(11,21) and the doping regions(15,25).
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，通过在p-n结形成具有量子限制效应的浅掺杂区域来提高发光效率和光强度。 构成：发光器件包括第一和第二衬底（11,21），形成在衬底的两个表面处的第一和第二掺杂区域（15,25），形成在第二掺杂上的反射膜（30） 区域（25）和电极（17,27）。 发光器件还包括用于控制第一和第二掺杂区域（15,25）的深度以便具有超浅深度的控制层（13,23）。 因此，在基板（11,21）和掺杂区域（15,25）之间的p-n结部分（14,24）处产生由于量子限制效应引起的发光。
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公开(公告)号：KR1020020015857A
公开(公告)日：2002-03-02
申请号：KR1020000048986
申请日：2000-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/06
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18361 , H01S5/4087
Abstract: PURPOSE: A multiple wavelength surface emitting laser and a fabrication method thereof are provided, which have a high reliability and a simple fabrication process, by controlling a resonant frequency by an optical coating method using an optical depositor. CONSTITUTION: The multiple wavelength surface emitting laser includes a substrate(20), and the first and the second surface emitting laser(30,40) which are formed by a continuous fabrication method on the substrate and generate lights of different wavelength(lambda1,lambda2) respectively. And a bottom electrode(29) used in the first and the second surface emitting laser in common is formed on a bottom surface of the substrate. The substrate is formed with a semiconductor material like GaAs and InP containing n-type impurity. The first and the second surface emitting laser includes a bottom reflection layer(21), an active layer(23) and a middle layer(25) formed in sequence toward the substrate. And a top electrode(27) having a window(27a) is formed on the middle layer. And the surface emitting lasers comprise the first and the second dielectric reflector layer(31,41) formed on the top electrode. The bottom reflector layer is a DBR(Distributed Bragg Reflector) and is doped with the same impurity type as the substrate. The active layer has a multiple quantum well structure or a supper lattice structure.
Abstract translation: 目的：提供一种多波长表面发射激光器及其制造方法，其通过使用光学存储器的光学涂覆方法控制谐振频率具有高可靠性和简单的制造工艺。 构成：多波长表面发射激光器包括基板（20）和第一和第二表面发射激光器（30,40），其通过连续制造方法形成在基板上并产生不同波长的光（λ1，λ2 ） 分别。 并且在基板的底面上形成用于第一和第二表面发射激光器中的共同的底部电极（29）。 衬底由诸如GaAs的半导体材料和含有n型杂质的InP形成。 第一和第二表面发射激光器包括底部反射层（21），有源层（23）和中间层（25），其顺序地朝向衬底形成。 并且在中间层上形成具有窗口（27a）的顶部电极（27）。 并且表面发射激光器包括形成在顶部电极上的第一和第二介电反射器层（31,41）。 底部反射器层是DBR（分布式布拉格反射器），并且掺杂与衬底相同的杂质类型。 活性层具有多重量子阱结构或超级晶格结构。
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公开(公告)号：KR1020000004469A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980025905
申请日：1998-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05K7/20
CPC classification number: H01L23/3732 , G06F1/20 , H01L23/3672
Abstract: PURPOSE: A radiation apparatus of electronic manufactures is provided to radiate heat by absorbing heat generated in chip of electronic manufactures. CONSTITUTION: The apparatus comprises radiation plate prepared in a electronic manufactures and heat transfer member for radiating heat by transmitting the heat to the radiation plate, the heat transfer member including support portion and diamond like carbon(DLC) layer formed coating on the support portion for absorbing the heat generated in the chip and transmitting the heat to the radiation plate. The diamond like carbon layer formed coating by emboss about the support portion so as to transfer the heat of the chip to the radiation plate.
Abstract translation: 目的：提供电子制造商的辐射装置，通过吸收电子制造商的芯片产生的热量来辐射热量。 构成：该装置包括制备在电子制造商和热传递构件中的辐射板，用于通过将热量传递到辐射板来散热，传热构件包括支撑部分和形成金刚石碳（DLC）层的支撑部分，用于 吸收在芯片中产生的热量并将热量传递到辐射板。 金刚石状碳层通过在支撑部分周围压花形成涂层，以将芯片的热量传递到辐射板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990070196A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980004929
申请日：1998-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J1/30
Abstract: 개시된 내용은 복수의 애벌런치 다이오드를 효율적으로 배열하여 고밀도의 전자를 방출하는, 복수방출부 냉음극소자에 관한 것이다. 본 발명의 장치는, 소자제작 및 동작기초가 되는 기판, 기판 상부에 일정형태로 배열시킨 복수의 방출부, 방출부 주위에 형성된 전원인가부, 그리고 기판 및 전원인가부 상부에 형성된 반전층(inversion layer)으로 구성된다. 여기에 전자방출의 효율을 증가시키기 위하여 조절부 및 전자흡수부가 추가된다. 본 발명은 애벌런치 다이오드의 특성을 나타내는 복수의 방출부를 형성시키므로써 전자방출효율을 극대화시킨 것이다. 또한 이러한 복수의 방출부는 개별적으로 동작하므로, 다소 결함이 있는 냉음극소자도 사용이 가능하다. 따라서, 본 발명의 냉음극소자는 CRT(음극선관), FED(전계방출표시장치), 마이크로파소자, 전자빔식자장치(e-beam lithography), 레이저, 센서 등 광범위한 분야에 응용되어, 시스템의 고효율화를 이루는 효과를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019990069656A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980004047
申请日：1998-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J1/30
Abstract: 개시된 내용은 전계에 의해 반도체층의 형(type)을 반전시키는 반전층(inversion layer)을 발생시켜 미세판채널(shallow channel)을 형성하고, 이 미세판채널로부터 효율적으로 전자를 방출(electron emission)시키는, 전계에 의해 반전층을 형성하는 냉음극소자에 관한 것이다. 본 발명은, 하부저면의 반도체기판(substrate)이, 그 상부의 중앙부분에 전자방출영역(cathode)이 그리고 전자방출영역(cathode) 주위에 각각 접촉영역이 위치한다. 접촉영역 상부에는 절연층이 형성되고, 이 절연층 상부에 반전층을 생성시키기 위한 게이트금속층이 형성되어 냉음극소자가 구성된다. 그리고, 이 게이트금속층 상부에는 애노드(anode, 양극)가 추가된다. 따라서, 본 발명은 전계에 의해 반전층을 형성하여 전자를 순간적으로 방출하므로 예열이 불필요하고, CRT(음극선관), FED(Field Emission Display, 전계방출표시장치), 마이크로파소자, 전자빔식자장치(e-beam lithography), 레이저, 센서 등 광범위한 분야에 응용될 수 있으며, 반도체기판(substrate) 형성부분에 논리회로, 신호처리 및 기억소자 등을 함께 집적시켜 응용하므로써, 각종장치의 경박단소화, 고기능화 및 고효율화를 이루는 효과를 제공한다.
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公开(公告)号：KR102227981B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020130071162
申请日：2013-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 단일광자소자, 단일광자방출전달장치, 단일광자소자의제조및 동작방법에관해개시되어있다. 단일광자소자는기판상에구비된캐리어수송층과상기캐리어수송층상에존재하는적어도하나의양자점을포함한다. 상기캐리어수송층은홀 수송층일수 있다. 상기캐리어수송층상에상기적어도하나의양자점을포함하는양자점막이구비될수 있다. 단일광자방출전달장치는단일광자소자와, 상기단일광자소자에단일전하를주입하는수단과, 상기단일광자소자로부터방출되는광을집광하는집광부와, 상기집광부에집광된광을상기집광부밖으로전달하는광 운반수단을포함하고, 상기단일광자소자는상기한바와같을수 있다.
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公开(公告)号：KR101922118B1
公开(公告)日：2018-11-26
申请号：KR1020120093884
申请日：2012-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L31/03044 , B82Y20/00 , H01L25/0753 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/047 , H01L31/1848 , H01L31/1856 , H01L31/1892 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 플렉서블반도체소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된플렉서블반도체소자는플렉서블물질층내에임베드(embed)된적어도하나의수직형반도체요소를포함할수 있다. 상기플렉서블반도체소자는상기플렉서블물질층의제1면상에구비된제1전극및 상기플렉서블물질층의제2면상에구비된제2전극을더 포함할수 있다. 개시된플렉서블반도체소자의제조방법은하지층과버퍼층사이의열팽창계수차이를이용해서이들의접착력을약화시킴으로써, 수직형반도체요소가임베드(embed)된플렉서블물질층을기판으로부터분리하는단계를포함할수 있다.
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