公开(公告)号：KR101373010B1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：KR1020070115121

申请日：2007-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최성태 ,  최정환 ,  황철규 ,  김영환 ,  이동현

IPC: H01P1/20

CPC classification number: H01P1/2013 ,  H01P11/007 ,  Y10T29/49155

Abstract: 본 발명은 고주파 필터와 관련된 것으로서, 신호를 전달하는 신호라인 및 접지면으로 구성된 CPW 층 위 또는 아래에 플레이트 층을 형성하여 커패시턴스를 만들고 커패시턴스에 해당하는 부분인 플레이트의 크기를 조절하여 전체 필터유니트의 크기를 감소시킴과 동시에 높은 커패시턴스를 유지시키는 멀티레이어 CPW 필터유니트 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이에 의하면, 다층구조(multilayer)에 의해 신호라인의 폭을 넓히지 않고서도 작은 특성 임피던스를 구현할 수 있고, 특히 신호라인과 플레이트 사이에 삽입된 인덕터라인을 통해 추가공정이나 면적증가 없이 뚜렷한 주파수 응답 곡선을 얻을 수 있는 효과가 있다.
CPW(coplanar waveguide), LPF(low pass filter), BSF(band stop filter), 마이크로파, 밀리미터파, 필터.

公开(公告)号：KR1020130074299A

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020110142296

申请日：2011-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정환

IPC: H04N5/225 ,  H04N5/232

CPC classification number: H04N5/23216 ,  H04N5/23222

Abstract: PURPOSE: A method for adjusting image quality and an image photographing device applied with the same are provided to identify a live view screen applied with the predetermined value of at least one varied image quality adjusting item in real time. CONSTITUTION: A method for adjusting image quality includes: a step (S610) of displaying multiple image quality adjusting items with an image photographing device; steps (S620,S630) of displaying a live view with the device when selection for the image quality adjusting items is completed; steps (S640-S660) of displaying the live view applied with the adjusted predetermined value of the image quality adjusting item selected by the device when an image quality adjusting command is input; and steps (S670,S680) of storing the adjusted predetermined value in the device when an image quality determining command is input. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S610) Display image quality adjusting items; (S620) One or more adjusting items selected?; (S630) Display a live view; (S640) Image quality adjusting command input?; (S650) Adjust the predetermined value of the selected adjusting item; (S660) Display the live view applied with the adjusted predetermined value; (S670) Image quality determining command input?; (S680) Store a current predetermined value; (S690) Display the live view applied with the stored predetermined value; (S695) Photograph images

Abstract translation: 目的：提供一种用于调整图像质量的方法和应用该方法的图像拍摄装置，以实时地识别应用了至少一个变化图像质量调整项目的预定值的实时取景屏幕。 构成：调整图像质量的方法包括：利用图像拍摄装置显示多个图像质量调整项目的步骤（S610）; 在完成图像质量调整项目的选择时，与设备一起显示实时取景的步骤（S620，S630）; 步骤（S640-S660），当输入图像质量调整命令时，显示由设备选择的图像质量调整项目调整的预定值应用的实时取景; 以及当输入图像质量确定命令时将所调整的预定值存储在设备中的步骤（S670，S680）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S610）显示图像质量调整项目; （S620）选择一个或多个调整项目？ （S630）显示实时取景; （S640）图像质量调整指令输入？ （S650）调整所选择的调整项目的预定值; （S660）显示用调整后的预定值应用的实时取景; （S670）图像质量确定命令输入？ （S680）存储当前预定值; （S690）显示用存储的预定值应用的实时取景; （S695）照片图像

公开(公告)号：KR1020090090927A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：KR1020080016495

申请日：2008-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황철규 ,  최성태 ,  최정환 ,  황승호 ,  김영환 ,  이동현

IPC: H01P7/08

CPC classification number: H01P1/2013 ,  H01P1/2005 ,  H01P11/008

Abstract: A resonator and a band pass filter using an overlay EBG(Electromagnetic Band Gap) structure, and a manufacturing method thereof are provided to prevent leakage of an electromagnetic wave through a substrate by separating a reflector from the substrate. A resonator includes a transmission line(101), a ground surface(202), a plurality of reflectors(300), and a resonant part(400). The ground surface is formed in both sides of the transmission line. A plurality of reflectors is arranged according to a longitudinal direction of the transmission line with a fixed interval. Each reflector includes a plate and a connection via. A part of the plate is faced with the ground surface. The connection via connects the plate to the transmission line. The resonant part vibrates a signal on the transmission line. The resonant part controls an interval between the reflectors.

Abstract translation: 提供一种使用覆盖EBG（电磁带隙）结构的谐振器和带通滤波器及其制造方法，以通过从基板分离反射器来防止电磁波通过基板的泄漏。 谐振器包括传输线（101），接地表面（202），多个反射器（300）和谐振部分（400）。 地面形成在传输线的两侧。 根据传输线的纵向方向以固定的间隔布置多个反射器。 每个反射器包括板和连接通孔。 板的一部分面向地面。 连接通孔将板连接到传输线。 谐振部分振动传输线上的信号。 谐振部分控制反射器之间的间隔。

公开(公告)号：KR100833601B1

公开(公告)日：2008-05-30

申请号：KR1020070022551

申请日：2007-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손영수 ,  최정환

IPC: G11C7/10 ,  G11C11/4093 ,  G11C11/4096

CPC classification number: G06F13/4234

Abstract: A semiconductor memory system and a memory module are provided to perform point-to-point communication without loss of band-width, in order to expand capacity of the same. A semiconductor memory system comprises a memory controller, N data buses connected to the memory controller, and M memory slots connected to the memory controller through at least one of the data buses. A first memory slot is connected to the memory controller through N/M first data buses(11-1-11-K). A second memory slot is connected to the memory controller through N/M second data buses(21-1-21-K). The first memory slot and the second memory slot are connected through N/M third data buses(31-1-31-K).

Abstract translation: 提供半导体存储器系统和存储器模块以便在不损失带宽的情况下执行点对点通信，以便扩展其容量。 半导体存储器系统包括存储器控制器，连接到存储器控制器的N个数据总线，以及通过至少一个数据总线连接到存储器控制器的M个存储器插槽。 第一存储器插槽通过N / M第一数据总线（11-1-11-K）连接到存储器控制器。 第二存储器插槽通过N / M第二数据总线（21-1-21-K）连接到存储器控制器。 第一存储器插槽和第二存储器插槽通过N / M第三数据总线（31-1-31-K）连接。

公开(公告)号：KR1020070083063A

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：KR1020060016308

申请日：2006-02-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권상욱 ,  김종석 ,  송인상 ,  이상훈 ,  김동균 ,  최정환 ,  홍영택 ,  김재흥

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  H01H2057/006 ,  H01P1/127

Abstract: An MEMS(Micro Electro Mechanical System) switch of a downward type and a method for manufacturing the same are provided to remove an electro magnetic coupling phenomenon generated on a metal of an antenna line and a metal of a substrate through a switch using a piezoelectric force. An MEMS switch(100) of a downward type includes a substrate(110), a first actuator(130), a second actuator(132), a first fixing line(140), a second fixing line(142), a contact metal(150), and a support layer(160). The substrate(110) has first and second cavity units(120,122). The first and second fixing lines(140,142) are formed on the top surface of the substrate(110) not to be cross with the first and second cavity units(120,122). The contact metal(150) is formed by being separated from the surfaces of the first and second fixing lines(140,142). The first and second actuators(130,132) are formed on the first and second cavity units(120,122), and make the contact metal(150) downward to be contacted to at least one of the first and second fixing lines(140,142) when the power is supplied.

Abstract translation: 提供了一种向下型的MEMS（微电子机械系统）开关及其制造方法，以通过使用压电力的开关去除在天线和金属的基板上产生的电磁耦合现象 。 向下型的MEMS开关（100）包括基板（110），第一致动器（130），第二致动器（132），第一固定线（140），第二固定线（142），接触金属 （150）和支撑层（160）。 衬底（110）具有第一和第二腔单元（120,122）。 第一和第二固定线（140,142）形成在不与第一和第二空腔单元（120,122）交叉的基板（110）的顶表面上。 接触金属（150）通过从第一和第二固定线（140,142）的表面分离而形成。 第一和第二致动器（130,132）形成在第一和第二空腔单元（120,122）上，并且当功率（140,122）的功率与第一和第二固定线（140,142）中的至少一个接触时，使接触金属（150）向下接触 被提供。

公开(公告)号：KR1020060112303A

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：KR1020050034019

申请日：2005-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정환

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: A method for assembling a semiconductor package capable of coping with reduction of a chip size by packaging a semiconductor chip of a WBGA(wire bonding ball grid array) or FBGA(fine pitch ball grid array) type without varying the position and number of solder ball lands even if the semiconductor chip is reduced in size. A slit(115) for wire bonding is formed in the center of a substrate(102) having a plurality of columns of solder ball lands wherein more than two columns of solder ball lands(113) are not formed vertically with respect to the slit. Whether a semiconductor chip(104A,104B,104C) mounted on the substrate is wire-bonded through the slit is determined. If the wire bonding can be performed through the slit, the semiconductor chip is assembled as a face-down type to fabricate a WBGA. If not, the semiconductor chip is assembled as a face-up type to fabricate an FBGA. The semiconductor chip is a semiconductor chip which performs a memory function.

Abstract translation: 一种用于组装半导体封装的方法，其能够通过封装WBGA（引线键合球栅阵列）或FBGA（细间距球栅阵列）型的半导体芯片来减少芯片尺寸，而不改变焊球的位置和数量 即使半导体芯片的尺寸减小。 用于引线接合的狭缝（115）形成在具有多个焊球焊盘的基板（102）的中心，其中多个两列的焊球焊盘（113）相对于狭缝不垂直形成。 确定安装在基板上的半导体芯片（104A，104B，104C）是否通过狭缝进行引线接合。 如果可以通过狭缝进行引线接合，则将半导体芯片组装成面朝下型制造WBGA。 如果不是，则将半导体芯片组装成面朝上型以制造FBGA。 半导体芯片是执行存储功能的半导体芯片。

公开(公告)号：KR100558478B1

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：KR1020030032053

申请日：2003-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정배 ,  최정환 ,  이윤상

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1021 ,  G11C7/1048 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005 ,  G11C2207/2281 ,  G11C2207/229

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 데이터 라이트 및 리드 방법을 공개한다. 이 장치는 복수개의 워드 라인들과 복수개의 비트 라인쌍들사이에 연결된 복수개의 메모리 셀들을 구비한 메모리 셀 어레이, 라이트 동작시에 데이터를 전송하는 라이트 라인쌍들, 리드 동작시에 데이터를 전송하는 리드 라인쌍들, 라이트 동작시에 라이트 컬럼 선택신호에 응답하여 라이트 라인쌍들의 데이터를 복수개의 비트 라인쌍들중 선택된 비트 라인쌍들로 전송하는 라이트 컬럼 선택 게이트들, 및 리드 동작시에 리드 컬럼 선택신호에 응답하여 복수개의 비트 라인쌍들중 선택된 비트 라인쌍들의 데이터를 리드 라인쌍들로 전송하는 리드 컬럼 선택 게이트들로 구성되어 있다. 따라서, 데이터 입력 패드들과 데이터 출력 패드들을 통하여 데이터를 동시에 입출력하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020050103353A

公开(公告)日：2005-10-31

申请号：KR1020040028600

申请日：2004-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정환

IPC: G06F3/14

CPC classification number: G06F9/44505

Abstract: 호스트기기에 연결시 자동으로 제공되는 메뉴화면을 이용하여 모드선택이 가능한 호스트 연결기기 및 모드선택방법이 제공된다. 호스트기기에 연결가능하며, 연결시 호스트기기와 관련된 복수의 동작모드 중 어느 하나로 동작가능한 호스트 연결기기는, 호스트기기와 연결신호를 송수신하고 호스트기기와 데이터 통신을 수행하는 통신 인터페이스부, 표시부 및 통신 인터페이스부에 호스트기기의 연결신호가 수신되면, 표시부에 동작모드 선택메뉴화면이 표시되도록 제어하는 제어부를 포함한다. 이에 의해, 호스트 연결기기가 호스트기기에 연결되면 자동으로 모드선택과 관련된 메뉴화면이 제공된다. 따라서, 사용자가 호스트기기에 연결전에 호스트 연결기기의 모드선택을 하지 않았거나, 호스트 연결기기의 모드가 여러개가 있음을 모르고 연결한 경우에도, 모드선택의 기회가 자동으로 제공되기 때문에, 사용자의 조작이 편리해진다.

公开(公告)号：KR100518597B1

公开(公告)日：2005-10-04

申请号：KR1020030070283

申请日：2003-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정환 ,  김찬경

IPC: G11C11/4096

CPC classification number: G11C7/1066 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1039 ,  G11C7/1093

Abstract: 입출력 데이터 폭을 선택적으로 변경시키는 저전력 소비형 반도체 메모리 장치 및 이에 대한 데이터 입출력 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치는, 동기식 반도체 메모리 장치에 있어서, 메모리 셀 코어, 데이터 입출력 회로부, 파이프라인 회로부, 및 복수의 선택부들을 구비하는 것을 특징으로 한다. 메모리 셀 코어는 복수의 메모리 셀들을 포함한다. 데이터 입출력 회로부는 입출력 제어신호들에 응답하여 입출력 데이터 폭이 설정되고, 복수의 입출력 패드들 중 일부 또는 전체를 통하여 데이터 신호들을 입출력한다. 파이프라인 회로부는 입출력 라인들을 통하여 데이터 입출력 회로부와 연결되고, 파이프라인 인에이블 신호들에 응답하여 선택되는 입출력 패스를 통하여 메모리 셀 코어와 데이터 입출력 회로부 사이에서 소정의 클럭 신호들에 동기하여 데이터 신호들을 상호 전달한다. 복수의 선택부들은 외부의 공통 데이터 라인들을 통하여 입출력 라인들에 연결되고, 선택 제어신호들에 응답하여 입출력 라인들 중 일부를 데이터 입출력 회로부에 연결한다. 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치 및 이에 대한 데이터 입출력 방법은 필요에 따라 입출력 데이터 폭을 선택적으로 변경시키고, 설정된 입출력 데이터 폭에 기초하여 파이프라인 회로들을 선택적으로 동작시킬 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050034045A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020030069830

申请日：2003-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정환

IPC: G11B20/04

Abstract: 개시된 본 발명에 의한 착탈식 메모리카드를 갖는 테이프카세트는, 마그네틱 테이프가 내장된 케이스와, 케이스의 일측에 구비된 장착홈과, 장착홈에 구비된 메모리카드 소켓과, 메모리카드 소켓과 전기적으로 연결되도록 케이스의 일측에 구비된 테이프카세트 접속단자와, 메모리카드 소켓에 대응되는 메모리카드 접속단자를 구비하며 장착홈에 착탈 가능하게 결합되는 메모리카드를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 테이프카세트에 데이터 기록이 가능한 메모리카드가 구비되기 때문에, 마그네틱 테이프에 기록하는데 어려움이 있는 데이터를 신속하게 기록할 수 있다. 또한, 메모리카드를 테이프카세트에서 분리할 수 있기 때문에, 메모리카드를 다른 기록/재생장치와 공유해서 사용할 수 있다.