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公开(公告)号：KR101327535B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020130018045
申请日：2013-02-20
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 소각재 장입 장치 및 그 장치에서의 장입 유닛에 관한 것으로서, 소각로에서 발생한 바닥재를 선별 및 건조하여 수집하는 바닥재 수집 유닛, 소각로로부터 압축공기 이송방식을 통해 비산재를 수집하는 비산재 수집 유닛, 상기 바닥재 수집 유닛 및 상기 비산재 수집 유닛에서 수집된 바닥재와 비산재를 혼합하는 혼합 유닛 및 상기 혼합 유닛에서 혼합된 소각재를 램피더의 피스톤 왕복 운동을 통해 용융로에 투입하는 장입 유닛을 포함하되, 상기 장입 유닛은 하부 끝단이 일정 각도로 경사진 스크레이퍼(scraper)가 상기 램피더의 일면에 부착되어, 소각재 투입구에 잔존하는 소각재를 제거하면서 상기 혼합된 소각재를 용융로에 투입한다.
따라서, 본 발명에 따르면 장입 장치의 램피더에 부착된 스크레이퍼를 통해 장입 장치가 소각재를 용융로내에 투입 시, 소각재 유입구 주변과 램피더 표면상에 잔존하는 소각재가 용융로내의 고열에 의해 용융 고착되어 응고하는 현상이 일어나지 않는 효과가 있다.-
62.发明公开오산화바나듐(Ｖ２Ｏ５)이 코팅된 이산화티타늄(ＴＩＯ２)분말의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 오산화바나듐이 코팅된 이산화티타늄 분말 有权使用热等离子体的透明氧化钛氧化钛粉末的制备方法以及氧化钛的氧化钒纳米粉末
公开(公告)号：KR1020130038576A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110103009
申请日：2011-10-10
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of titanium dioxide(TiO2) powder coated with vanadium pentoxide(V2O5) is provided to compose titanium dioxide(TiO2) coated with vanadium pentoxide(V2O5) of nano size using thermal plasma jet in a short time and easily evaporate as well dismantle of raw material by using plasma of high temperature. CONSTITUTION: A manufacturing method of titanium dioxide(TiO2) powder coated with vanadium pentoxide(V2O5) comprises the following steps. (1) Vaporize liquefied titanium tetrachloride(TiCl4) and oxy vanadium chloride(VOCl3) and dissolve the vaporized titanium tetrachloride(TiCl4) and oxy vanadium chloride(VOCl3) to titanium(Ti) and vanadium(V) by using thermal plasma jet. (2) Synthesize titanium dioxide (TiO2) and vanadium pentoxide (V2O5) by injecting reaction gas inside the thermal plasma jet device. And (3) collect the compounded titanium dioxide and vanadium pentoxide by quickly cooling titanium dioxide powder cated with vanadium pentoxide. Thermal plasma jet generation gas of the step(1) is one spiece selected from argon, nitrogen, and a mixture gas of argons and nitrogen. In the step(1), the vaporized titanium tetrachloride and oxy vanadium chloride is supplied to a thermal plasma jet device at a volume ratio of 0.5-5:1. Reaction gas of the step(2) is oxygen gas.
Abstract translation: 目的：提供涂覆有五氧化二钒（V2O5）的二氧化钛（TiO2）粉末的制造方法，以在短时间内使用热等离子体射流组成涂覆有纳米尺寸的五氧化二钒（V2O5）的二氧化钛（TiO 2），并容易地蒸发为 通过使用高温等离子体来清除原料。 构成：涂覆有五氧化二钒（V2O5）的二氧化钛（TiO 2）粉末的制造方法包括以下步骤。 （1）蒸发液化四氯化钛（TiCl4）和氧化氯化钒（VOCl3），通过使用热等离子体射流将蒸发的四氯化钛（TiCl 4）和氧化氯化钒（VOCl 3）溶解到钛（Ti）和钒（V）中。 （2）通过在热等离子体喷射装置内注入反应气体来合成二氧化钛（TiO 2）和五氧化二钒（V 2 O 5）。 和（3）通过快速冷却用五氧化二钒分层的二氧化钛粉末来收集复合二氧化钛和五氧化二钒。 步骤（1）的热等离子体射流产生气体是选自氩，氮，和氮和氮的混合气体的一个部件。 在步骤（1）中，将蒸发的四氯化钛和氧氯化钒以0.5-5:1的体积比供给热等离子体喷射装置。 步骤（2）的反应气体是氧气。
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公开(公告)号：KR101242575B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020100104682
申请日：2010-10-26
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 소각로에서 도시쓰레기를 소각시 발생하는 소각재를 플라즈마를 이용하여 용융처리하는 용융로에서 용융 후 배출되는 슬래그를 배출하는 슬래그 배출장치의 내구성을 향상시키기 위한 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 종래, 슬래그 배출구 주변에서 슬래그가 외부 공기와 접촉하여 쉽게 응고됨으로써 슬래그 배출이 원활하게 진행되지 못하였고, 또한, 배출구 주위 벽면이 고온의 분위기에 의해 쉽게 붕괴되어 버리는 문제를 해결하여, 용융 후 발생하는 배출가스는 슬래그 배출구 상부를 통과하여 가스청정장치에서 더스트 및 유해성분들을 제거하여 청정가스로 대기중으로 배출하고, 슬래그는 슬래그 배출장치를 통하여 냉각수조 등을 통해 수냉되거나 또는 공냉하여 외부로 배출하며, 이때, 슬래그 배출구 주위에 냉각장치를 설치� ��여 슬래그 배출구가 슬래그 배출에 의해 붕괴되지 않고 장시간 견고하게 유지되도록 함으로써, 용융로의 연속운전이 가능하고 작업자의 안전을 도모할 수 있도록 구성된 용융로의 슬래그 배출구 냉각장치가 제공된다.
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64.发明公开
公开(公告)号：KR1020120129579A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110047926
申请日：2011-05-20
Applicant: 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02A50/235 , B01D53/323 , B01D2257/708 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J2219/1943
Abstract: PURPOSE: A treatment apparatus of volatile organic compound gas and a method for the same are provided to treat plenty of fluid per time and to extend the life of an electrode by arc rotation. CONSTITUTION: A treatment apparatus of volatile organic compound gas includes a cylindrical reactor(10), an electrode part(30), a high voltage generating part(40), a compound storing part(90), an air storing part(80), a mixer(50), an introducing part(60), and an FT-IR analyzing part. An air outlet(20) is arranged at the lower part of a cylindrical reactor. Two electrodes are mounted in the cylindrical reactor with the interval. The high voltage generating part, installed at the outer side of the cylindrical reactor, applies electricity to the electrode part to induce rotating arc discharge. The compound storing part receives and stores volatile organic compound gas from the outside of the apparatus. The mixer supplies the mixed gas of the volatile organic compound gas and air into the cylindrical reactor. The introducing part rotates in the cylindrical reactor and supplies the mixed gas into the cylindrical reactor. The FT-IR analyzing part is connected to the air outlet to quantitatively qualitatively analyze exhaust gas.
Abstract translation: 目的：提供挥发性有机化合物气体的处理装置及其方法，以每次处理大量流体，并通过电弧旋转延长电极的寿命。 构成：挥发性有机化合物气体的处理装置包括圆柱形反应器（10），电极部分（30），高压产生部分（40），化合物储存部分（90），空气存储部分（80） 混合器（50），导入部（60）和FT-IR分析部。 空气出口（20）布置在圆柱形反应器的下部。 两个电极以间隔安装在圆柱形反应器中。 安装在圆柱形反应器外侧的高电压产生部分向电极部分施加电力以引起旋转电弧放电。 复合储存部分从装置的外部接收和储存挥发性有机化合物气体。 混合器将挥发性有机化合物气体和空气的混合气体供应到圆柱形反应器中。 引入部分在圆柱形反应器中旋转并将混合气体供应到圆柱形反应器中。 FT-IR分析部分连接到出风口，定量分析废气。
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公开(公告)号：KR1020120078241A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100140471
申请日：2010-12-31
Applicant: 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00 , H01L29/413
Abstract: PURPOSE: A density regulation method of nanowires using conductive polymers is provided to apply to large area manufacturing process of nanowires by controlling density of the nanowires using the conductive polymers. CONSTITUTION: A density regulation method of nanowires using conductive polymers comprises the following steps: providing transparent conductive film which will be used for a electrode layer and a seed layer(20) to a substrate; applying the bias to the transparent electrode; spraying a plurality of conductive polymers in upper part of the seed layer with an air brush; heat treating the substrate; synthesizing nano wires(50) by using a liquid state composition method on the substrate; and removing the conductive polymer. In the spray step, the conductive polymer is sprayed in a DOT form of PDOT:PSS. The polymerization step additionally includes the following step: synthesizing on the substrate by a gas composition method. The removal step uses the acetone.
Abstract translation: 目的：通过使用导电聚合物控制纳米线的密度，提供使用导电聚合物的纳米线的密度调节方法，以适用于纳米线的大面积制造工艺。 构成：使用导电聚合物的纳米线的密度调节方法包括以下步骤：提供将用于电极层和种子层（20）到基板的透明导电膜; 将偏压施加到透明电极; 用空气刷在种子层的上部喷射多个导电聚合物; 热处理基板; 在基板上使用液态组成法合成纳米线（50）; 并除去导电聚合物。 在喷雾步骤中，以DOT形式的PDOT：PSS喷涂导电聚合物。 聚合步骤还包括以下步骤：通过气体组合法在基材上合成。 去除步骤使用丙酮。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101141296B1
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR1020100047483
申请日：2010-05-20
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 열플라즈마에 의한 질화마그네슘 나노분말의 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 질화마그네슘 나노분말에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는
혼합가스를 이용하여 열플라즈마 제트를 발생시키는 단계(단계 1); 상기 발생된 열플라즈마 제트를 이용하여 마그네슘 잉곳을 용융 및 기화시키는 단계(단계 2); 상기 기화된 마그네슘에 암모니아 가스를 주입하여 반응시키는 단계(단계 3); 및 이중관 급냉시스템을 통하여 질화마그네슘 나노분말을 포집하는 단계(단계 4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화마그네슘의 제조방법 및 상기 방법으로 제조된 질화마그네슘 나노분말을 제공함으로써, 유기물이 흡착되어 있지 않은 고순도의 질화마그네슘 나노분말을 합성할 수 있으며, 공정상의 폐수 발생이 없어 환경적인 측면에서도 유리하다는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101115514B1
公开(公告)日：2012-02-27
申请号：KR1020090085433
申请日：2009-09-10
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 라텍스 응집법에 의한 불소수지/탄소나노튜브 나노복합체 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 탄소나노튜브를 불소수지에 분산시킨 후 라텍스 응집과정(aggregation)을 통해 불소수지/탄소나노튜브 나노복합체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 라텍스 응집 방법에 따르면 탄소나노튜브가 균일하게 분산된 입자형태의 불소수지/탄소나노튜브 복합체를 얻을 수 있고, 얻어진 입자형태의 복합체는 직접 사용하거나 다시 불소수지/탄소나노튜브 복합체 제조에 있어 마스터 배치로 사용할 수 있으므로 복합체의 전기적인 성질, 열적 성질, 물리적 성질 및 기계적 성질이 매우 우수할 것으로 기대된다. 본 발명에서는 고온성형을 통해 얻어진 결과물을 필름형태로 제조하여 형성된 전도성 필름의 입자 내부 또는 표면에 존재하는 탄소나노튜브의 높은 분산성으로 인하여 전기적인 특성이 매우 우수함을 관찰하였다.
탄소나노튜브, 나노 복합체, 라텍스, 응집, PTFE-
公开(公告)号：KR101070804B1
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020090083016
申请日：2009-09-03
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: F27B3/20
Abstract: 본발명에따른플라즈마토치높낮이조절장치는, 플라즈마용융로상에설치되며, 플라즈마토치를지지하는지지부; 및상기지지부에장착되며, 상기플라즈마토치의몸체가상기플라즈마용융로의상부홀에입출되도록상기플라즈마토치를승강시키는승강부;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101046340B1
公开(公告)日：2011-07-05
申请号：KR1020080122360
申请日：2008-12-04
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 카본블랙 표면에 실리카를 합성하여 카본블랙/실리카 복합체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 PVP(Polyvinylpyrrolidone)가 물리적으로 흡착되어 안정화된 카본블랙 입자의 표면에 TEOS(Tetraethyl orthosilicate)로부터 합성된 실리카를 결합시켜 카본블랙/실리카 복합체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 카본블랙 입자의 표면을 화학적으로 개질할 필요 없이 카본블랙/실리카 복합체를 제조할 수 있으므로, 공정이 단순화되고, 공정시간이 단축되어 다양한 응용분야에서 유용하게 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 고무산업 공정 중, 배합과정에서 발생하는 카본블랙과 실리카의 고분자 내 분산 문제 및 분진 문제를 해결할 수 있으므로 고무산업 분야에서 특히 유용하게 사용될 수 있다.
카본블랙/실리카 복합체, TEOS, PVP, 졸-겔법, 고분자 그라프팅 방법Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于通过将二氧化硅结合到炭黑表面上，更具体地PVP（聚乙烯吡咯烷酮）的（正硅酸乙酯）TEOS的吸附物理稳定的炭黑颗粒的表面上产生的炭黑/二氧化硅复合 一种生产炭黑/二氧化硅复合材料的方法。 根据本发明，有可能生产炭黑/二氧化硅复合材料，而不需要化学修饰炭黑颗粒的表面，该处理被简化，较短的处理时间，不仅是在多种应用中是有用的， 因为常规的橡胶加工工业的，要解决的问题，并在混合过程中产生的二氧化硅粉尘问题在聚合物内的炭黑和分散体可以使用在橡胶工业中是特别有用的。
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公开(公告)号：KR1020110070400A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090127208
申请日：2009-12-18
Applicant: 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: B22F9/14 , B01J19/088 , B22F1/0044 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of copper nanopowder is provided to improve evaporation efficiency of bulk copper by using an electrode inside of a torch as a cathode and using external objects as an anode inside of a transferred or non-transferred type thermal plasma device. CONSTITUTION: The manufacturing method of copper nanopowder includes following steps.(i) In the transferred or non-transferred type plasma device, an arc is generated by using a tungsten cathode inside of the torch and anode copper, and a thermal plasma jet is generated by injecting operation gas to a vertical direction.(ii) The bulk copper is put onto a holder to the vertical direction. The plasma jet is injected directly to the top part of the bulk copper. The bulk copper is melted and vaporized to the plasma jet of a high temperature.(iii) And the copper of the evaporation state is cooled, and a nanoparticle is created. The operation gas in the transfer plasma device is argon gas. In the non-transferred type plasma device, the operation gas is mixing gas of nitrogen and argon. In the step(iii), the nitrogen gas 200-250L / min is used as diluent gas.
Abstract translation: 目的：提供铜纳米粉末的制造方法，以通过使用手电筒内的电极作为阴极并且使用外部物体作为转印或非转印型热等离子体装置内的阳极来提高体铜的蒸发效率。 构成：铜纳米粉末的制造方法包括以下步骤：（i）在转印或非转印型等离子体装置中，通过在焊炬和阳极铜内部使用钨阴极产生电弧，并产生热等离子体射流 通过向上下方向注入操作气体;（ii）将大块铜沿垂直方向放置在支架上。 等离子体射流直接注入到大块铜的顶部。 大块铜被熔化并汽化成高温等离子体射流。（iii）蒸发状态的铜被冷却，形成纳米颗粒。 转印等离子体装置中的工作气体为氩气。 在非转移型等离子体装置中，工作气体是氮气和氩气的混合气体。 在步骤（iii）中，使用氮气200-250L / min作为稀释气体。
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