公开(公告)号：KR1019990076208A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980010938

申请日：1998-03-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박융 ,  캐빈놀즈

IPC: H01B3/00

Abstract: 본 발명은 적층세라믹 콘덴서 또는 하이브리드회로의 유전체페이스트(paste)등에 이용되는 저온소결 유전체 자기조성물에 관한 것으로 특히 Pb(Bi
1/2 Nb
1/2 )O
3 , Pb(Bi
1/2 W
1/2 )O
3 의 2성분계로 이루어지는 조성물에 산화망간(MnO
2 ), 산화실리콘(SiO
2 ), 산화칼슘(CaO) 등을 혼합하여 저온에서 소결이 이루어 질 수 있게 한 것으로써 유전율의 온도변화가 적고 유전손실이 매우 적은 저온소결 유전체 자기조성물에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990070309A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005071

申请日：1998-02-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박융 ,  캐빈놀즈

IPC: H01B3/00

Abstract: 본 발명은 고유전율계 캐패시터 조성물에 관한 것으로 특히 산화연(PbO) 삼산화철(Fe
2 O
3 ) 오산화니오븀(Nb
2 O
5 ) 오산화탄탈(Ta
2 O
5 ) 산화니켈(NiO) 산화아연(ZnO)등의 산화물로 합성된 Pb(Fe
1/2 Nb
1/2 )O
3 -Pb(Fe
1/2 Ta
1/2 )O
3 -Pb(Ni
1/3 Nb
2/3 )O
3 -Pb(Zn
1/3 Nb
2/3 )O
3 4성분계에 망간(Mn)과 같은 천이금속을 첨가하여 10000이상의 유전율을 가지고 Y5V의 온도 특성을 만족시키며 2.6% 미만의 비교적 낮은 손실계수를 가지는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990025299A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970046861

申请日：1997-09-11

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박융

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/497

Abstract: 본 발명은 (Pb1-xCax)(Zr1-ySny)O3를 주성분으로 하여 산화아연(ZnO)와 산화안티모니(Sb2O3)를 미량 첨가하여 이루어진 위치변위 시스템용 저손실 유전체기 조성물 조성에 관한 것이다. 본 발명은 (Pb1-xCax)(Zr1-ySny)O3에 소결조제로 a ZnO + b Sb2O3가 첨가된 유전체 자기조성물로서 몰(mol)비로 0.15 x 0.40, 0.15 y 0.50이고, 소결조제의 첨가량은 (Pb1-xCax)(Zr1-ySny)O3에 대해 0 a + b 0.05 중량%의 조성으로 이루어진다. 본 발명의 조성물은 소결조제의 미량 첨가로 인해 소결조직의 치밀화가 이루어져서 고온부하 및 내습부하의 장기 신뢰성에 있어서 안정된 품수 값질계와 공진주파수의 안정된 온도특성을 나타내는 특성이 있다.

公开(公告)号：KR1019990008763A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970030876

申请日：1997-07-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  박융 ,  정태석

IPC: C04B35/497

Abstract: 본 발명은 마이크로파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 자기조성물은 유전율이 100 미만이고 공진주파수(f)와 품질계수(Q)의 곱이 4000 이하이며 공진주파수의 온도의 존계수가 ±3mmp/℃ 이상의 값을 가지며, 첨가물을 산화물 형태로 첨가하기 때문에, 미량 첨가시 정확한 공정제어에 많은 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 마이크로파 유전체 자기조성물은(Pb
1-X Ca
X )(Zr
1-y Sn
y )O
3 를 주성분으로 하며, 이때 상기의 x,y는 몰(mol)비로서 0.15 x 0.40, 0.15 y 0.50가 되도록 하며 원소는 물에 잘 용해하는 질산망간(Mn(NO
3 )
2 · 4H
2 O) 형태로 첨가하며 상기의 산화납(PbO), 산화칼슘(CaO), 산화지르코늄(ZrO
2 ), 산화주석(SnO
2 )으로 구성된 주조성물의 무게를 100으로 하여 수화물 질산망간(Mn(NO
3 )
2 ·4H
2 O)을 산화물의 무게비로 환산해서 산화망간(MnO)을 3중량% 미만으로 첨가하여 혼합한 후, 1000℃ 내지 1200℃에서 하소하고, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1550℃의 온도의 산소분위기에서 소성하여 제조됨을 특징으로 하고 있다.

公开(公告)号：KR1019980065875A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970001054

申请日：1997-01-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  조성순

IPC: H01L29/84

Abstract: 본 발명은 대표적인 산화물 반도체중의 하나인 SrTiO3를 이용하여 자동차 공연비 제어 등에 응용이 가능한 후막형 반도체식 산소센서에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 산소농도(또는 분압)에 따라 전기전도 기구가 변화하여 산소센서용으로의 활용에 제한을 받는 순수한 SrTiO
3 에 La
2 O
3 를 첨가하여 전기적 특성을 제어할수 있는 산화물 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 산소센서의 주된 용도인 자동차 공연비 제어용으로 활용할 수 있는
후막형 반도체식 산소센서를 제공함에 있다.
따라서, 본 발명은 일반식이 Sr
1-y La
y TiO
3 으로 표시되며, y가 0.01∼0.1인 산화물 조성물이 인쇄된 시간에 따른 출력전압 특성이 계단형으로 변화하는 후막형 반도체식 산소센서임을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 후막형 반도체식 산소센서는 기준전극이 필요없는 간단한 구조를 이룰 수 있기 때문에 센서에 부가되는 전압, 부하저항에 따라 출력전압을 쉽게 제어 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960031398A

公开(公告)日：1996-09-17

申请号：KR1019950003327

申请日：1995-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  조정호 ,  최원열

IPC: C04B35/462

Abstract: 본 발명은 신규한 압전세라믹 조성물 및 그를 이용한 적층형 변위소자의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 압전특성이 우수하며 저온소결이 가능한 신규한 압전세라믹 조성물 및 전기 조성물을 이용하여 압전특성이 우수한 적측형 변위소자를 제조하는 방법과 적층형 변위소자에 관한 것이다. 본 발명의 압전세라믹 조성물은 일반식 Pb
1-ab Ba
a Cd
b (Zn
1/3 Nb
2/3 )
c (Ni
1/3 Nb
2/3 )
0.15-c (Zr
d Ti
1-d )
0.85 O
3 로 표시된다. 이때, a, b, c 및 d는 몰수를 나타내고; a는 0.07 내지 0.13; b는 0.01 내지 0.03; c는 0.001 내지 0.1; 및, d는 0.4 내지 0.6이다. 또한, 본 발명의 적측형 변위소자는, 전기 조성물을 건조하고 800 내지 900℃에서 2 내지 4시간 동안 하소하는 공정; 전기 하소된 조성물에 바인다(binder)를 가하여 조립화시키고 0.8 내지 1.2ton/㎤의 압력으로 가압성형하는 공정; 전기 성형체를 1,000 내지 1,100℃에서 1 내지 6시간 소결하는 공정; 및, 전기 소결체를 디스크 형상으로 연마하고 적층 및 전극을 부착하는 공정에 의해 제조되며, 본 발명에 의해 600
p C/N 이상의 압전정수(d
33 ) 및 60% 이상의 전기기계 결합계수(Kp)를 지닌 적층형 변위소자를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019900008709A

公开(公告)日：1990-06-03

申请号：KR1019880015512

申请日：1988-11-24

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  천채일 ,  김소정 ,  이범열 ,  김병익

IPC: H01L41/18