公开(公告)号：KR100190907B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019960007104

申请日：1996-03-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  최원열 ,  김진균

IPC: H01C7/02

Abstract: 본 발명은 BaTiO
3 와 Y
2 O
3 를 기본 조성으로 하고, 부성분으로서 SrTiO
3 , CaTiO
3 ,MnO
2 PbO, SiO
2 를 함유하는 표면실장형 PTC 칩 서미스터 제조용 BaTiO
3 계 세라믹 조성물, 이 조성물을 1310∼1390℃의 최적 소결온도에서 소결시켜 제조한, 큐리 온도가 넓은 영역에서 정확히 제어되고 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항과 내전압 특성 및 PTC 효과를 갖는 표면 실장형 PTC 서미스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 BaTiO
3 계 PTC 칩 서미스터는 종래의 BaTIO
3 계 PTC 서미스터 보다 정화한 큐리온도의 제어와 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항 및 PTC 효과가 실현되었으며, 상온저항이 작아 저전압으로 구동이 가능하고, 구동전압이 낮아지므로서 SMD에 활용가능성이 대폭 확대되었으며, SrTiO
3 함량을 변화시킴으로서 큐리온도(Tc)를 정확히 제어할 수 있고, Tc의 정확한 제어가능성으로 온도가 변화하는 여러 분야의 SMD에 이용가능하며, 넓은 범위의 Tc를 갖고 있으므로 스위칭 소자에 활용가능성이 증대되었다.

公开(公告)号：KR100124508B1

公开(公告)日：1997-09-26

申请号：KR1019950003327

申请日：1995-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  조정호 ,  최원열

IPC: C04B35/462

公开(公告)号：KR1019970010348B1

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：KR1019950003327

申请日：1995-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  조정호 ,  최원열

IPC: C04B35/462

Abstract: A piezoelectric ceramic composite is produced by mixing materials so that the formula of the composition may be PB1-a-bBaaCdb(Zn1/3NBb2/3)c(Ni1/3Nb2/3)0.15-c(ZrdTi1-d)0.85O3 in which a, b, c and d are 0.07 to 0.13 mole, 0.01 to 0.03, 0.001 to 0.1 and 0.4 to 0.6, respectively. A process for producing a layer-built shift element comprises the steps of: drying and calcinating the composite at 800 to 900 C for 2 to 4 hrs; making the powder assembled with a binder and molding under a pressure of 0.8 to 1.2ton/cm2; sintering the molded body at 1000 to 1100 C for 1 to 6 hrs; drilling the sintered body to have a disc shape and attaching a electrode.

Abstract translation: 通过混合材料制备压电陶瓷复合材料，使得组合物的配方可以是PB1-a-bBaaCdb（Zn1 / 3NBb2 / 3）c（Ni1 / 3Nb2 / 3）0.15-c（ZrdTi1-d）0.85O3，其中 a，b，c和d分别为0.07〜0.13摩尔，0.01〜0.03,0.001〜0.1和0.4〜0.6。 一种制备层压移位元件的方法包括以下步骤：在800-900℃下干燥和煅烧复合物2至4小时; 使粉末用粘合剂组装并在0.8至1.2ton / cm2的压力下成型; 在1000〜1100℃烧结1〜6小时的成型体; 将烧结体钻孔以具有圆盘形状并附接电极。

公开(公告)号：KR1019970067394A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019960007104

申请日：1996-03-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  최원열 ,  김진균

IPC: H01C7/02

Abstract: 본 발명은 BaTiO
3 와 Y
2 O
3 를 기본 조성으로 하고, 부성분으로서 SrTiO
3 , CaTiO
3 , MnO
2 , PbO, SiO
2 를 함유하는 표면실장형 PTC 칩 서미스터 제조용 BaTiO
3 계 세라믹 조성물, 이 조성물을 1310~1390℃의 최적 소결온도에서 소결시켜 제조한, 큐리 온도가 넓은 영역에서 정확히 제어되고 표면 실장에 이용가능한 낮은 상온 저항과 내전압 특성 및 PTC 효과를 갖는 표면 실장형 PTC 서미스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 BaTiO
3 계 PTC 칩 서미스터의 종래의 BaTiO
3 계 PTC 서미스터보다 정확한 큐리온도의 제어와 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항 및 PTC 효과가 실현되었으며, 상온저항이 작아 저전압으로 구동이 가능하고, 구동전압이 낮아지므로서 SMD에 활용가능성이 대폭 확대되었으며, SrTiO
3 함량을 변화시킴으로써 큐리온도(Tc)를 정확히 제어할 수 있고, TC의 정확한 제어가능성으로 온도가 변화하는 여러 분야의 SMD에 이용가능하며, 넓은 범위의 Tc를 갖고 있으므로 스위칭 소자에 활용가능성이 증대되었다.

公开(公告)号：KR1020000009128A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019980029326

申请日：1998-07-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  최원열 ,  김일두

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: The method is to improve applicability of PZT thin film by adding Sb to conventional PZT thin film for non-volatile storage device and using Pt as upper and lower electrodes, and to accomplish heat treatment to the PZT thin film. CONSTITUTION: The method is to add Sb and make heat treatment to ferroelectric thin film(PZT; Pb(Zr,Ti)O3) for non-volatile storage device. Specifically, Pb, Zr, Ti use three inch metal target and 5 mm metal pellet and use Pt as upper and lower electrodes to add Sb. After deposition is made by direct current reactive sputtering process during 100 minutes at 550°C and heat treatment is made. According to the location of Sb piece lying on Zr target, the adding amount of Sb is changed. Through an experiment of changing additive amount, optimum Sb amount is 0.7 atomic percent. 180 nm PZT thin film having an additive as Sb represents grain size larger than the PZT thin film without any additives and shows increase of remnant polarization and coercive electric field and improvement in fatigue characteristics.

Abstract translation: 目的：该方法是通过将Sb添加到传统PZT薄膜用于非挥发性储存装置并使用Pt作为上下电极，提高PZT薄膜的适用性，并对PZT薄膜进行热处理。 构成：该方法是添加Sb并对铁电薄膜（PZT; Pb（Zr，Ti）O3）进行非易失性存储装置的热处理。 具体来说，Pb，Zr，Ti使用三英寸金属靶和5mm金属片，使用Pt作为上下电极添加Sb。 在550℃下在100分钟内通过直流反应溅射法沉积，进行热处理。 根据位于Zr靶上的Sb片的位置，Sb的添加量发生变化。 通过改变添加量的实验，最佳Sb量为0.7原子％。 具有Sb的添加剂的180nm PZT薄膜表示不含任何添加剂的PZT薄膜的晶粒尺寸，残留极化和矫顽电场增加，疲劳特性提高。

公开(公告)号：KR1019960031398A

公开(公告)日：1996-09-17

申请号：KR1019950003327

申请日：1995-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  조정호 ,  최원열

IPC: C04B35/462

Abstract: 본 발명은 신규한 압전세라믹 조성물 및 그를 이용한 적층형 변위소자의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 압전특성이 우수하며 저온소결이 가능한 신규한 압전세라믹 조성물 및 전기 조성물을 이용하여 압전특성이 우수한 적측형 변위소자를 제조하는 방법과 적층형 변위소자에 관한 것이다. 본 발명의 압전세라믹 조성물은 일반식 Pb
1-ab Ba
a Cd
b (Zn
1/3 Nb
2/3 )
c (Ni
1/3 Nb
2/3 )
0.15-c (Zr
d Ti
1-d )
0.85 O
3 로 표시된다. 이때, a, b, c 및 d는 몰수를 나타내고; a는 0.07 내지 0.13; b는 0.01 내지 0.03; c는 0.001 내지 0.1; 및, d는 0.4 내지 0.6이다. 또한, 본 발명의 적측형 변위소자는, 전기 조성물을 건조하고 800 내지 900℃에서 2 내지 4시간 동안 하소하는 공정; 전기 하소된 조성물에 바인다(binder)를 가하여 조립화시키고 0.8 내지 1.2ton/㎤의 압력으로 가압성형하는 공정; 전기 성형체를 1,000 내지 1,100℃에서 1 내지 6시간 소결하는 공정; 및, 전기 소결체를 디스크 형상으로 연마하고 적층 및 전극을 부착하는 공정에 의해 제조되며, 본 발명에 의해 600
p C/N 이상의 압전정수(d
33 ) 및 60% 이상의 전기기계 결합계수(Kp)를 지닌 적층형 변위소자를 제조할 수 있다.