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公开(公告)号：KR1020120084840A
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：KR1020110006115
申请日：2011-01-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/268 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using laser and a graphene semiconductor and transistor manufactured by the same are provided to improve process efficiency as well as reduce fabrication costs by performing a doping process using laser beams instead of a thermal process at high temperatures. CONSTITUTION: Laser beams are irradiated on a substrate(101). A boron nitride layer(102) is formed on the substrate. A graphene semiconductor device(104) is laminated on the boron nitride layer. Source and drain regions(105,106) are formed in both ends of a graphene semiconductor device by patterning the graphene semiconductor device. An insulating layer(107) is laminated on the graphene semiconductor device between the source and drain regions.
Abstract translation: 目的：提供一种使用激光和石墨烯半导体制造半导体器件的方法及其制造的晶体管，以通过使用激光束代替在高温下的热处理进行掺杂工艺来提高工艺效率以及降低制造成本。 构成：激光束照射在基板（101）上。 在衬底上形成氮化硼层（102）。 石墨烯半导体器件（104）层叠在氮化硼层上。 通过图案化石墨烯半导体器件，在石墨烯半导体器件的两端形成源极和漏极区（105,106）。 在源极和漏极区之间的石墨烯半导体器件上层压绝缘层（107）。
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62.发明授权레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 失效用于制造石墨烯半导体器件的方法，由其制造的石墨烯半导体器件，包括石墨烯半导体器件的石墨烯晶体管
公开(公告)号：KR101169538B1
公开(公告)日：2012-07-27
申请号：KR1020100091600
申请日：2010-09-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 이를 포함하는 그래핀 트랜지스터가 제공된다.
본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 산소 분위기 하에서 기판 상에 형성된 그래핀에 레이저 빔을 조사하여, 상기 그래핀을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 레이저 빔를 이용하여, 밴드 갭을 그래핀에 형성시켜, 그래핀 반도체 소자의 제조가 가능하다. 더 나아가, 그래핀의 성장과 반도체 소자를 위한 패터닝이 모두 동일한 레이저 빔 조사 방식이므로, 경제성이 우수하다. 또한, 이러한 그래핀 반도체 소자를 이용, 그래핀 트랜지스터를 경제적으로 제조할 수 있다.-
63.发明授权레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 有权用于制造石墨半导体器件的方法，由其制造的石墨半导体器件，包含石墨半导体器件的石墨晶体管
公开(公告)号：KR101113287B1
公开(公告)日：2012-02-24
申请号：KR1020110112383
申请日：2011-10-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/02266 , H01L29/66712
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a graphene semiconductor device using laser, the graphene semiconductor device manufactured by the same and a graphene transistor including the graphene semiconductor device are provided to reduce manufacturing costs by patterning a semiconductor device and growing a graphene with the same laser beam. CONSTITUTION: A graphene is formed by firstly irradiating a laser beam to an SiC substrate(101). A graphene semiconductor device is made by pattering the graphene through the second irradiation of the laser beam. Source and drain areas doped with impurities are formed by thirdly irradiating the laser beam to both ends of the semiconductor device under a gas atmosphere with the impurities. An insulation layer(106) is laminated in a semiconductor device area between the source and drain areas. A source electrode, a drain electrode, and gate electrode are formed by patterning a metal layer(107) after the metal layer is laminated on the source and drain areas and the insulation layer.
Abstract translation: 目的：制造使用激光的石墨烯半导体器件的方法，由该石墨烯半导体器件制造的石墨烯半导体器件和包括石墨烯半导体器件的石墨烯晶体管被提供以通过对半导体器件进行图案化并用相同的激光束生长石墨烯来降低制造成本 。 构成：首先将激光束照射到SiC衬底（101）上形成石墨烯。 石墨烯半导体器件通过用激光束的第二次照射图案化石墨烯制成。 通过在具有杂质的气体气氛下将激光束三次照射到半导体器件的两端来形成掺杂杂质的源极和漏极区域。 在源极和漏极区域之间的半导体器件区域中层压绝缘层（106）。 在金属层层叠在源区和漏区以及绝缘层之后，通过图案化金属层（107）来形成源电极，漏电极和栅电极。
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公开(公告)号：KR101098560B1
公开(公告)日：2011-12-26
申请号：KR1020090087458
申请日：2009-09-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본발명에따른플렉서블소자제조방법은상기방법은복수의소스, 드레인영역을포함하는실리콘기판상에절연막을적층하는단계; 상기절연막을선택적으로식각하여, 상기실리콘기판을노출시킴으로써상기소스, 드레인영역을포함하는소자형성영역을정의하는단계; 상기절연막을통하여노출된실리콘기판을비등방식각하는단계; 및상기실리콘기판으로부터상기비등방식각된소자형성영역을 PDMS에의하여플렉서블기판으로전사시키는단계를포함하며, 여기에서상기소자형성영역상의절연막너비를달리함으로써, 상기소자형성영역을상기플렉서블기판에선택적으로전사시키며, 요철모양, 즉일정한단차가있는 PDMS를별도로제조, 사용한종래기술과달리평탄한 PDMS를사용하여선택적전사를함으로써기존기술의단점, 예를들면 PDMS의새깅효과, 원하지않는반도체소자의전사, 낮은정렬도등을효과적으로극복할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110117282A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100036651
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N33/52 , H01L29/786 , G01N33/00
CPC classification number: G01N27/414 , G01N33/52 , H01L21/02675
Abstract: 레이저를 이용한 플렉서블 바이오센서 및 이를 이용한 검출방법이 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 바이오센서는 플렉서블 하부 기판;
상기 플렉서블 하부 기판의 상부에 적층되며, 제 1형 불순물이 도핑된 소스 및 드레인 영역이 소정 간격으로 이격되어 형성된 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판에 적층된 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하며, 여기에서 상기 게이트 전극에는 생물학적 활성 물질을 검출하는 검출 물질이 고정화되며, 상기 실리콘 기판은 레이저에 의하여 결정화된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 바이오센서는 플렉서블 기판상에 직접 구현되므로, 실리콘 기판에서 소자 기판을 제조한 후, 플렉서블 기판으로 전사시키는 종래 기술에 비하여 경제성이 우수하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110117280A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100036649
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N33/50 , G01N27/26 , G01N33/553 , C07K19/00
Abstract: 금 결합물질을 이용한 플렉서블 바이오 센서 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 바이오 센서는 플렉서블 기판;
상기 플렉서블 기판 상에 적층되며, 제 1형 불순물이 도핑된 소스 및 드레인 영역이 소정 간격으로 이격되어 형성된 실리콘 기판; 및
상기 실리콘 기판에 적층된 금으로 이루어진 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하며, 여기에서 상기 게이트 전극에는 금과 특이적으로 결합하는 금 결합물질이 융합된 융합단백질이 고정된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 바이오센서는 플렉서블 기판상에 구현되므로, 종래의 실리콘 기판상에 구현된 바이오센서가 가지는 기판의 한계를 효과적으로 극복할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101073633B1
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020090061087
申请日：2009-07-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , H01L41/02 , G01L1/16
Abstract: 본발명에따른플렉서블센서제조방법은실리콘기판상에소스, 드레인영역을형성하고, 상기소스, 드레인영역을포함하는소자형성영역을플렉서블기판에전사시키는단계; 상기소자형성영역상에소스, 게이트, 드레인전극을형성하는단계; 상기게이트전극으로부터연장되며, 상기게이트전극보다높은높이의게이트전극패드를형성하는단계; 및상기게이트전극패드에압전소자를형성하는단계를포함하며, 본발명에따른압력및 온도센서는플렉서블기판상에구현되므로, 압전소자제조공정에따른기판의한계를효과적으로극복하였다. 또한, 고성능반도체소자를하나이상제조한후, 이를플렉서블기판에전사시키는방식에의하여센서를제조하므로, 경제성이우수하다. 더나아가, 하나이상의센서를플렉서블기판상에경제적으로제조할수 있는본 발명은센서의검출영역을크게넓힐수 있으며, 또한본 발명에따른플렉서블센서는실제압력이인가되는게이트전극패드를다른전극보다높게구성함으로써, 압력인가에따른작동오류를효과적으로저감시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110038212A
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR1020090095406
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flexible secondary cell is provided to improve properties of a secondary battery, to avoid restrictions of processes caused by a flexible printed circuit board, and to improve secondary battery characteristics according to high temperature processing. CONSTITUTION: A method for manufacturing a flexible secondary cell comprises the steps of: laminating a secondary battery device including an electrode material on a sacrificial substrate; crystallizing the electrode material by treating the device at a high temperature; etching the sacrificial substrate of the lower part of the secondary battery device and separating the secondary battery device from the sacrificial substrate; and transferring the separated secondary battery device to a flexible printed circuit board using a transfer layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造柔性二次电池的方法以改善二次电池的性能，以避免由柔性印刷电路板引起的工艺的限制，并根据高温处理改善二次电池特性。 构成：制造柔性二次电池的方法包括以下步骤：在牺牲基板上层叠包括电极材料的二次电池装置; 通过在高温下处理该装置使电极材料结晶; 蚀刻二次电池器件的下部的牺牲衬底并将二次电池器件与牺牲衬底分离; 并使用转印层将分离的二次电池装置转移到柔性印刷电路板。
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公开(公告)号：KR1020110015221A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020090072832
申请日：2009-08-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L33/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L21/00 , H01L27/153 , H01L33/0079
Abstract: PURPOSE: An LED display and a manufacturing method thereof are provided to implement full colors by transferring and laminating red, blue, and green LED elements on the same large substrate with high alignment. CONSTITUTION: An LED element layer is formed on a sacrificial substrate. An LED element(715,725,735) is made by patterning and etching the LED element layer. The sacrificial substrate exposed between the LED elements is anisotropically etched. The LED element is separated from the sacrificial substrate by detaching PDMS after the PDMS is attached to the LED element. The LED element attached to the PDMS is transferred to a back light unit.
Abstract translation: 目的：提供一种LED显示器及其制造方法，通过在相同的大基板上以高对准转印和层叠红色，蓝色和绿色LED元件来实现全色。 构成：在牺牲基板上形成LED元件层。 通过图案化和蚀刻LED元件层来制造LED元件（715,725,735）。 曝光在LED元件之间的牺牲衬底被各向异性蚀刻。 在PDMS连接到LED元件之后，通过分离PDMS将LED元件与牺牲衬底分离。 连接到PDMS的LED元件被传送到背光单元。
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公开(公告)号：KR1020110003692A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090061087
申请日：2009-07-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , H01L41/02 , G01L1/16
CPC classification number: H01L29/66477 , G01L1/16 , H01L41/047
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flexible sensor and the flexible sensor manufactured by the same are provided to effectively reduce operational errors according to the application of pressure by forming a gate electrode or a drain electrode pad at a position higher than the position of other electrode. CONSTITUTION: A source region and a drain region are formed on a silicon substrate(100). An element forming region including the source region and the drain region is transferred on a flexible board(170). A source electrode, a gate electrode, and a drain electrode are formed on the element forming region. A gate electrode pad is formed. The height of the gate electrode pad is higher than that of the gate electrode. A piezoelectric element is formed in the gate electrode pad.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造柔性传感器的方法和由其制造的柔性传感器，以通过在比其他电极的位置高的位置处形成栅电极或漏电极焊盘来有效地降低根据压力施加的操作误差 。 构成：在硅衬底（100）上形成源极区和漏极区。 包括源极区域和漏极区域的元件形成区域被传送到柔性板（170）上。 源极电极，栅电极和漏电极形成在元件形成区域上。 形成栅极电极焊盘。 栅电极焊盘的高度高于栅电极的高度。 在栅电极焊盘上形成压电元件。
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