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公开(公告)号：KR101922064B1
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：KR1020170068536
申请日：2017-06-01
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: B28D5/04
Abstract: 본발명은다이아몬드와이어쏘의제조장치및 제조방법에관한것으로서, 와이어를이송하는와이어이송장치; 상기와이어에제 1 융점을갖는제 1 분말과, 상기제 1 융점보다높은제 2 융점을갖는제 2 분말및 상기제 2 융점보다높은제 3 융점을갖는다이아몬드분말이혼합된혼합분말을공급하는혼합분말공급장치; 및상기와이어에상기제 2 분말및 상기다이아몬드분말이 1차접착될수 있도록상기제 1 분말을상기제 1 융점이상의온도로가열하여용융시키고, 상기와이어에상기다이아몬드분말이 2차접착될수 있도록상기제 2 분말을상기제 2 융점이상의온도로가열하여용융시키는가열장치;를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150117725A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：KR1020140042757
申请日：2014-04-10
Applicant: 한국생산기술연구원
Inventor： 안경준
Abstract: 본발명은단일소재의화합물층및 확산층이목표두께에만족하도록동시에표면열처리하도록한 표면열처리방법및 그제어장치에관한것이다. 이를위해, 단일소재에화합물층및 확산층이적층형성되도록표면열처리하는방법으로서, 화합물층및 확산층의목표두께를설정하는설정단계; 상기단일소재에열에너지를가하는열처리조건에서, 상기화합물층및 확산층의목표두께에도달하기위한상기화합물층및 확산층의목표열에너지수치를도출하는도출단계; 및상기단일소재에열에너지를가하여열처리시, 상기화합물층및 확산층에열에너지가가해져서측정되는실시간열에너지수치와상기목표열에너지수치를비교하면서열처리를실시하는열처리단계;를포함하는것을특징으로할 수있다. 이같은구성에따라, 단일소재에화합물층및 확산층이형성되는표면열처리시, 각층의반응에대한상대적열에너지수치의비율을설정하고, 이를만족시킬수 있는열사이클모델을설정하여각 층에열에너지를동시에가하여열처리함으로써, 각층의목표두께를동시에만족시키면서제품을쉽고간편하게열처리하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种表面热处理方法及其控制装置，其使单个材料的化合物层和扩散层与其表面同时热处理以满足其目标厚度。 为了实现这一点，将化合物层和扩散层层压在单一材料上的表面热处理方法包括：设定化合物层和扩散层的目标厚度的凝固步骤; 在将热能施加到单一材料的热处理条件下，推导化合物层和扩散层的目标热能水平达到化合物层和扩散层的目标厚度的扣除步骤; 通过将目标热能水平与通过将热能施加到单一材料在热处理期间将热能施加到化合物层和扩散层而测量的实时热能水平进行热处理的热处理步骤 。 因此，表面热处理方法及其控制装置同时满足各层的目标厚度，并且能够容易且便利地对产品进行热处理，因为各层的反应的相对热能水平的比率被设定为 设定满足速率的热循环模型，进行热处理，以在形成化合物层和扩散层的单一材料的表面热处理期间，将热能同时施加到要进行热处理的各层。
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公开(公告)号：KR1020140140263A
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020130060847
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: 본 발명은 부품을 플라즈마를 이용하여 표면처리하여 내마모성과 내식성을 향상시키는 표면처리방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법은 저탄소강 부품의 표면처리방법으로, (a) 상기 부품에 대해 전처리를 수행하는 단계; (b) 상기 전처리된 부품에 대해 플라즈마 연질화처리를 하는 단계; 및 (c) 상기 플라즈마 연질화처리된 부품에 대해 플라즈마 산화처리를 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Abstract translation: 本发明涉及通过用等离子体处理表面来增强耐磨性和腐蚀性的表面处理方法。 根据本发明，低碳钢部件的表面处理方法包括以下步骤：（a）对所述部件进行预处理; （b）通过使用等离子体对预处理过程完成的部分进行软氮化; 和（c）用软氮化处理完成的部分的氧化。
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公开(公告)号：KR101108285B1
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020090091091
申请日：2009-09-25
Applicant: 한국생산기술연구원
Inventor： 안경준
Abstract: 본 발명은 소결공정 중에 가해지는 압력이 변하더라도 실시간 압력값과 노내의 가열 온도에 대한 누적에너지수치를 모니터링하여 제품의 소결밀도를 실시간으로 모니터링하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
이를 위해, 소결 열처리하는 공정을 모니터링하는 방법에 있어서, 시편의 활성화에너지를 입력하는 제1단계와; 시편의 목표 소결밀도를 입력하는 제2단계와; 노 내의 온도조건과 활성화에너지를 이용하여 누적에너지수치를 구하고 다수의 모델링실험을 거쳐 다수의 다중회귀식 계수들을 확보하는 제3단계와; 누적에너지수치와 압력값의 변화에 따라 회귀식으로 연산한 밀도를 모니터링시키는 제4단계와; 실시간 모니터링되는 밀도에 따라 목표밀도와 일치여부를 판단하여 시편의 냉각 여부를 결정하는 제5단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성에 따라, 실시간 연산되는 밀도와 목표밀도와 비교함으로써, 제품의 소결 밀도와 목표 밀도 사이에 편차를 최대한 줄여, 균일한 품질과 원하는 성질의 목표 밀도를 갖는 제품을 획득할 수 있는 효과가 있고, 최종제품의 품질을 제어할 수 있을 뿐만 아니라 공정 중에 불량품을 예측할 수 있는 효과도 있다.
소결, 밀도, 누적에너지수치, 압력, 다중회귀분석.-
公开(公告)号：KR1020110111845A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：KR1020100031133
申请日：2010-04-05
Applicant: 한국생산기술연구원
CPC classification number: G01N3/20 , G01M99/008 , G01N3/22 , G01N2203/0021 , G01N2203/0023 , G01N2203/04 , G06K17/00
Abstract: 본 발명은 ISC 제품의 응력측정 모듈 및 이를 포함하는 ISC 제품의 신뢰성 측정 시스템에 관한 것으로, 연성동박적층필름(Flexible Copper Clad Laminate; FCCL)과, 상기 연성동박적층필름 상부에 형성되는 복수의 단자와, 상기 각 단자를 연결하는 회로와, 상기 복수의 단자 상부에 실링되는 복수개의 응력측정센서 및 상기 연성동박적층필름 하부면에 형성되며, ISC(Integrated Smart Card) 제품이 고정되는 점착필름을 포함하는 ISC 제품의 응력측정 모듈을 제공함으로써, ISC 제품에 추가되는 COB(Chip On Board), RFID(Radio-Frequency IDentification), OLED(Organic Light Emitting Diodes) 및 OPV(Organic Photovoltaic) 중 하나 이상을 소자들에 가해지는 응력을 측정하거나, 스트레스를 미리 예상할 수 있도록 하고, 이러한 시스템을 이용하여 각 소자들이 배치되어야할 최적의 위치를 찾아 낼 수 있도록 하� ��, 이를 통하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101062481B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020090113735
申请日：2009-11-24
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: C21D1/30
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 본 발명은 잔류응력 제거 어닐링공정에서 결정립 조대화를 방지하도록 한 어닐링온도와 잔류응력의 동시 모니터링 방법 및 장치에 관한 것이다.
이를 위해, 시편의 재결정활성화에너지와 결정성장활성화에너지를 입력하는 제1단계와; 시편의 목표 잔류응력과 목표 결정립크기를 입력하는 제2단계와; 노의 온도조건과 재결정활성화에너지 및 결정성장활성화에너지를 이용하여 각 누적에너지수치를 구하고, 다수의 모델링실험 통해 여러 다중회귀식 계수들을 확보하는 제3단계와; 시편의 현재 잔류응력 및 결정립크기를 모니터링시키는 제4단계와; 현재 등온선과 목표 등온선의 비교를 통해 추천온도를 구하여 모니터링시키는 제5단계와; 노 내부를 추천온도로 변경하면서 잔류응력과 목표 잔류응력을 비교하여 시편의 냉각 여부를 결정하는 제6단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성에 따라, 실시간 모니터링되는 잔류응력이 목표 잔류응력에 도달할 때까지 시편을 가열시킬 뿐만 아니라, 실시간으로 결정립크기를 최소화할 수 있는 최적의 추천온도를 모니터링시켜 그 추천온도로 작업하게 함으로써, 미세패턴 형성에 유리한 동도금층을 확보할 수 있는 효과가 있다.
PCB, 잔류응력, 결정립크기, 재결정활성화에너지, 결정성장활성화에너지.-
公开(公告)号：KR1020110092037A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：KR1020100011461
申请日：2010-02-08
Applicant: 한국생산기술연구원
Abstract: PURPOSE: A real-time monitoring method and apparatus for carburizing depth are provided to monitor the carburizing depth of a product by changing the internal temperature of a furnace into the energy value, thereby preventing a carburizing fail. CONSTITUTION: A real-time monitoring method for carburizing depth comprises the steps of: inputting desired carburization activation energy for a work piece to a controller, inputting the set target carburizing depth of the work piece to the controller, performing a plurality of modeling experiments, inputting a regression equation consisting of coefficients and accumulated energy values to the controller, calculating carburizing depth according to the change of the accumulated energy values using the regression equation, and determining whether to cool the work piece based on the matching between the target carburizing depth and the monitored carburizing depth.
Abstract translation: 目的：提供渗碳深度的实时监测方法和装置，通过将炉内温度改变为能量值来监测产品的渗碳深度，从而防止渗碳失败。 构成：用于渗碳深度的实时监测方法包括以下步骤：将工件的期望的渗碳活化能输入到控制器，将工件的设定目标渗碳深度输入到控制器，进行多次建模实验， 向控制器输入由系数和累积能量值组成的回归方程，使用回归方程根据累积能量值的变化计算渗碳深度，并根据目标渗碳深度与目标渗碳深度之间的匹配来确定是否冷却工件 监测渗碳深度。
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公开(公告)号：KR1020110057366A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090113735
申请日：2009-11-24
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: C21D1/30
CPC classification number: Y02P10/212 , C21D1/30
Abstract: PURPOSE: A method and a device for simultaneously monitoring residual stress and annealing temperature are provided to secure CCL, PCB, and FPCB proper for fine pattern formation by heating a specimen up to the target residual strength and maintaining the optimum temperature for minimizing the grain size. CONSTITUTION: A method for simultaneously monitoring residual stress and annealing temperature is as follows. Recrystallization activation energy and crystal growth activation energy of a specimen being heat-treated are inputted to a controller. The target residual stress and grain size of the specimen are set and inputted to the controller. An accumulated energy value used for residual stress removal and an accumulated energy value used for crystal growth are calculated using the internal temperature of a furnace measured in real time, recrystallization activation energy, and crystal growth activation energy. Modeling experiments are implemented to obtain the grain size and residual stress values of the specimen under various temperature variables, and coefficients of multiple regression including temperature, residual stress, and grain size are input to the controller. The current residual stress and grain size of the specimen, which are synchronized with the accumulated recrystallization activation energy and crystal growth activation energy monitored in real time, are outputted to the controller in real time.
Abstract translation: 目的：提供同时监测残余应力和退火温度的方法和装置，通过将样品加热至目标残余强度并保持最佳温度以最小化晶粒尺寸，确保CCL，PCB和FPCB适合精细图案形成 。 构成：同时监测残余应力和退火温度的方法如下。 将被热处理的试样的再结晶活化能和晶体生长活化能输入控制器。 试样的目标残余应力和晶粒尺寸被设定并输入到控制器。 使用实时测量的炉内温度，再结晶活化能和晶体生长活化能计算用于残余应力去除的累积能量值和用于晶体生长的累积能量值。 实施模型实验以获得样品在各种温度变量下的晶粒尺寸和残余应力值，并将包括温度，残余应力和晶粒尺寸在内的多元回归系数输入控制器。 与实时监测的累积再结晶活化能和晶体生长活化能同步的样品的当前残余应力和晶粒尺寸被实时输出到控制器。
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公开(公告)号：KR100977201B1
公开(公告)日：2010-08-23
申请号：KR1020080039787
申请日：2008-04-29
Applicant: 한국생산기술연구원
CPC classification number: Y02E60/36
Abstract: 본 발명은 암모니아보레인과 유기용매의 혼합액을 일정온도 이하로 가열하여 휘발성 부산물의 생성 없이 안정적으로 수소를 발생할 수 있도록 한 수소 발생방법에 관한 것이다.
이를 위해, 분말 형태의 암모니아보레인과 유기용매의 혼합액을 일정온도 이하로 가열하여 수소를 발생하는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성에 따라, 암모니아보레인과 유기용매의 혼합액을 사용하므로, 휘발성 부산물 생성을 방지할 수 있는 효과와 함께, 수소 발생 중 발생한 열에 영향을 미치지 않으면서 안정적으로 수소를 발생할 수 있는 효과가 있다.
암모니아보레인, 유기용매, 수소, 다이글라임, 트라이글라임, 보라진.-
公开(公告)号：KR1020100092315A
公开(公告)日：2010-08-20
申请号：KR1020090011619
申请日：2009-02-12
Applicant: 한국생산기술연구원
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67242
Abstract: PURPOSE: The crystal growth monitoring method at the annealing process and apparatus thereof monitors the grain size to the real-time. The excessive grain growth is prevented in the thermal process for the residual stress removal. CONSTITUTION: The crystal growth activation energy of specimen is inputted to controller(S10). The cumulative energy value predicting the grain size is calculated and it is monitored in controller(S20). The grain size of specimen and the monitored cumulative energy value is synchronized in controller. The grain size of specimen is on a real time basis monitored(S30).
Abstract translation: 目的：退火过程中的晶体生长监测方法及其装置实时监测晶粒尺寸。 在残余应力消除的热处理中防止过度的晶粒生长。 构成：试样的晶体生长活化能被输入到控制器（S10）。 计算预测晶粒尺寸的累积能量值，并在控制器中进行监测（S20）。 样品的晶粒尺寸和监测的累积能量值在控制器中同步。 监测样品的晶粒尺寸（S30）。
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