Abstract:
본발명은초박형 HIT 태양전지에관한것으로서, n 또는 p 형의결정질실리콘기판; 상기실리콘기판과는다른형으로도핑된비정질실리콘에미터층; 및상기결정질실리콘기판과상기비정질실리콘에미터층사이에형성된진성의비정질실리콘패시베이션층을포함하는 HIT 태양전지로서, 상기 HIT 태양전지는상면에 ZnO 재질의투명전도층을더 포함하며, 상기투명전도층의표면에만텍스처가형성된것을특징으로한다. 본발명은, 결정질실리콘기판의표면에텍스처를형성하지않고투명전도층의표면에만텍스처를형성함으로써, 매우얇은두께의결정질실리콘기판을사용할수 있으며, 최종적으로광포획능력을유지하면서전체태양전지의두께가매우얇은초박형 HIT 태양전지를구성할수 있다. 또한, 본발명은고가의결정질실리콘기판을식각하는공정을생략함으로써, 제조비용을낮출수 있는효과가있다. 나아가본 발명은결정질실리콘기판의표면을식각하는과정에서발생하는결정질실리콘기판의표면결함에의한문제가없기때문에태양전지효율이향상되는효과가있다.
Abstract:
본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100) 위에 몰리브덴(Mo)층(200)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 몰리브덴(Mo)층을 패터닝(patterning)하는 단계(s2000); 투명기판(100)과 그 위에 패터닝된 몰리브덴층(200)위에 투명전극층(210)을 형성시키는 단계(s3000); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
Abstract:
본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
Abstract:
The present invention relates to a method for fabricating a light-absorbing layer of a CZTS-based solar cell. The present invention comprises: a step of spreading a precursor solution, where all the sources of copper, zinc, and tin are dissolved and one or more among the sources of sulfur and selenium are dissolved in a glycol ether solvent, on a substrate; a step of drying the spread solution with heat; and a step of sulfurizing or selenizing a dried thin film. The present invention dissolves metallic salt, thiourea, and/or selenourea in a glycol ether by using the sources of four or five elements forming a CZTS-based compound, spreads the solution on a substrate, and performs a sulfurization or a selenization process, thereby fabricating a CZTS-based light-absorbing layer through a non-vacuum process without using an explosive solvent. Also, the present invention dissolves the sources of elements forming a CZTS-based compound in a solvent at high concentrations, therefore can fabricate a CZTS-based light-absorbing layer with a desired thickness through a single spreading process, and thus can simplify processes.
Abstract:
The present invention relates to an e-paper terminal in which a thin film type solar cell is inserted on the back of a display unit to efficiently manage and supply power. In particular, by using a flexible solar cell which is cheap, thin, light, small to easily be inserted, and flexible; the light is incident on the solar cell to charge the battery when the e-paper device is not in operation, the charged electricity is supplied as power during operation, the inner-light reflected on the opaque particles expressing a black color of the e-ink is incident on the solar cell even in the operation period, and the electricity generated from the solar cell can be supplied as power.
Abstract:
In a process of manufacturing a CI(G)S thin film used as a light absorbing layer for a solar cell, a chelating agent is added to form a complex with Cu or In when CuI, InI_3, and Na_2Se used as materials of the light absorbing layer are dissolved, thereby making small-sized particles by structurally obstructing bonding of Se ions. Accordingly, a CI(G)S thin film with reduced pore sizes and improved composition uniformity can be manufactured. Also, problems of an existing method for manufacturing a light absorbing layer or a CI(G)S thin film, such as large pore sizes, necessity of changing a selenization condition of each process, and deterioration of composition uniformity of a manufactured absorbing layer or CI(G)S thin film when the change in the process condition is not appropriate, can be solved.
Abstract:
In a process of manufacturing a CI(G)S thin film used as a light absorbing layer for a solar cell, a chelating agent is added to form a complex with Cu or In when CuI, InI_3, and Na_2Se used as materials of the light absorbing layer are dissolved, thereby making small-sized particles by structurally obstructing bonding of Se ions. Therefore, a CI(G)S thin film with reduced pore sizes and improved composition uniformity can be manufactured. Also, problems of an existing method for manufacturing a light absorbing layer or a CI(G)S thin film, such as large pore sizes, necessity of changing a selenization condition of each process, and deterioration of composition uniformity of a manufactured absorbing layer or CI(G)S thin film when the change in the process condition is not appropriate, can be solved.
Abstract:
본 발명은 Na 공급 방법이 개선된 유연기판 CIGS 태양전지에 관한 것으로, 유연한 재질의 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극, 상기 후면전극 위에 형성된 CIGS 광흡수층; 상기 CIGS 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 전면전극을 포함하여 구성되며, 상기 후면전극은 단일층으로 구성된 Na 첨가 금속 전극층인 것을 특징으로 한다. 본 발명은 종래의 Na 첨가 Mo 전극층에 비하여 약 1/10정도 낮은 비저항을 나타내는 Na 첨가 Mo 전극층을 적용하여, 단일층으로 후면전극을 구성한 고효율의 유연기판 CIGS 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 후면전극층을 형성하는 공정이 단일층의 Na 첨가 Mo 전극층을 형성하는 공정만으로 이루어져, 유연기판 CIGS 태양전지의 제조공정 및 제조비용을 줄일 수 있는 효과가 있다. 나아가, Na 첨가 금속층이 공기 중에 노출된 동안에 표면에 형성된 Na 화합물을 제거하는 공정을 더 포함함으로써, 광흡수층이 박리되거나 태양전지의 변환효율이 감소하는 문제를 해소할 수 있는 효과가 있다.