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公开(公告)号：KR100152210B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940010422
申请日：1994-05-12
IPC: C07C309/45 , G02F2/00
Abstract: 본 발명은 열적으로 안정한 전기광학적 성질을 가지며, 광전송 손실이 아주 낮은 하기 일반식(I)로 표현되는 비선형 광전자 화합물을 유기광전자화합물로 사용하고 폴리머 매질로는 폴리아믹에시트를 사용하여 얻은 호스트-게스트(host-guest)계의 광도파로형 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 고분자 매질과의 상용성이 우수하고 전기광학적 성질이 아주 우수하며 250℃ 이상의 온도에서도 열적 분해가 일어나지 않을 뿐만 아니라 승화되지 않고, 광전송 손실이 아주 낮은 비선형 광전자화합물 및 폴리아믹에시트를 사용하여 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
상기식에서, R
1 은 C
2 ∼C
4 , R
2 는 C
6 ∼C
10 의 알킬기이다.-
公开(公告)号：KR100151906B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019950021928
申请日：1995-07-24
IPC: C07D209/82
Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)로 표현되는 비선형 광전자 화합물 및 상기 화합물을 유기광전자 화합물로 사용하고 플리이미드를 폴리머 매질로 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 전기광학적 성질이 아주 우수하고 250℃이상에서도 열적으로 분해와 승화되지 않는 비선형 광전자 화합물을 얻을 수 있었고, 광전송손실이 아주 낮은 광소자를 제조할 수 있다.
상기식에서 R
1 은 C
1 ∼C
10 의 알킬기, 말단에 알콜기가 치환된 C
2 ∼C
10 의 알킬기, 치환 또는 비치환 페닐기 또는 나프탈렌기이고, R
2 는 니트로기, C
1 ∼C
10 의 알킬 설폰기, 말단에 알콜기가 치환된 C
2 ∼C
10 의 알킬 설폰기, 치환 또는 비치환 페닐 설폰기이며, X는 탄소 또는 질소이다.-
公开(公告)号：KR1019980047751A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066265
申请日：1996-12-16
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 전기광학 폴리머물질을 이용한 마하-젠더 변조기나 그와 유사한 원리를 이용한 스위칭 소자 등에 사용할 수 있는 구동 전극에 관한 것으로, 이 구동전극은 두 개의 라인으로 분기된 광 도파로의 일측 라인상측에 입력단과 출력단을 구비하여 형성되어 전원 인가시 외부로 전기장을 발생하는 제 1 구동전극과 상기 광 도파로의 타측 라인상측에 형성되는 제 2 구동전극을 포함하며, 상기 제 1 구동전극은 전압 인가시 상기 광 도파로측으로 하향 수직장을 발생하고, 상기 제 2 구동전극은 상향 수직장이 발생하여 두 전극간에 반대방향의 수직장이 발생한다.
따라서, 본 발명에 따른 구동전극을 소자제조에 적용할 경우 광파의 도파손실을 고려한 소자 단면구조 적정화에 의해 결정되어진 박막의 두께에서 더 이상의 박막 두께를 변형하지 않고도 구동 전압을 감소시킬 수 있다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970075951A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960016048
申请日：1996-05-14
IPC: G02B5/30
Abstract: 본 발명은 2×2 편광 분리기와 편광 변환기를 이용한 광 증폭장치에 관한 것으로서, 종래 광 증폭장치의 광 증폭기를 직렬로 사용할 경우 정밀 제어가 요구되는 온도제어회로와 전류제어회로가 광 증폭기의 갯수만큼 필요한 문제점을 해결하기 위해 입력된 광신호를 편광에 따라 분리하는 2×2 편광 분리기(10), 상기 2×2 편광 분리기(10)의 출력을 증폭하여 출력하는 광 증폭기(20) 및 상기 광 증폭기(20)로부터 출력된 광신호를 편광 변환하여 상기 2×2 편광 분리기(10)로 출력하는 편광 변환기(30)를 구비하여 종래의 광 증폭장치에 비해 값이 저렴하며, 정밀 제어회로가 필요없는 수동 소자인 2×2 편광 분리기가 편광 변환기를 이용하여 한개의 광 증폭기로 두배의 증폭을 얻을 수 있도록 구성하여 광 증폭기의 갯수를 반으로 줄일 수 있기 때문에 경제적일 뿐만 아니라 제어회로가 줄어들어 안정성도 높아지는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970008299B1
公开(公告)日：1997-05-22
申请号：KR1019940034024
申请日：1994-12-13
IPC: H04B10/60
Abstract: the present invention is to provide a RZ/NRZ converter in order to use a general optic receiver processing NRZ signals. The RZ(Return-to-Zero)/NRZ(Non-Return-to-Zero) converter according to the present invention comprises: an 1*2 optic divider(301) for receiving an optic signal and for simultaneously outputting two optic signal of which intensity is a half of the input signal; a T optic delay(302) for delaying an output signal of said 1*2 optic divider(301) by the signal's width T; a 2*2 optic coupler/divider(303) for coupling the other output signal of said 1*2 optic divider(301) to an output signal of said optic delay(302) without distortion, and for simultaneously outputting the two optic signal of which intensity is a half of the input signal; a 2T optic delay(304) for delaying an output of said 2*2 optic coupler/divider(303) by time width 2T; and a 2x1 optic coupler(305) for coupling and outputing the other output of said 2*2 optic coupler/divider(303) to an output signal of said 2T optic delay(304) without distortion. Thereby, the present invention can provide RZ/NRZ optic converter capable of using the conventional optic receiver.
Abstract translation: 本发明是提供一种RZ / NRZ转换器，以便使用一般的光接收机来处理NRZ信号。 根据本发明的RZ（归零）/ NRZ（非归零）转换器包括：1 * 2光分路器（301），用于接收光信号并同时输出两个光信号 该强度是输入信号的一半; 用于将所述1×2光分路器（301）的输出信号延迟所述信号宽度T的T光延迟（302）; 用于将所述1 * 2光分路器（301）的另一输出信号与所述光延迟（302）的输出信号耦合而不失真的2 * 2光耦合器/分频器（303），并且用于同时输出所述光信号 该强度是输入信号的一半; 用于将所述2 * 2光耦合器/分配器（303）的输出延迟时间宽度2T的2T光学延迟（304）; 以及用于将所述2×2光耦合器/分频器（303）的另一输出耦合并输出到所述2T光延迟（304）的输出信号而不失真的2×1光耦合器（305）。 因此，本发明可以提供能够使用传统光接收机的RZ / NRZ光转换器。
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公开(公告)号：KR1019970004486B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930026793
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/34
Abstract: A shallow multiple quantum well structure of a compound semiconductor combined with a asymmetric Fabry-Perot cavity is provided which is constructed in such a manner that an AlAs layer having relatively low refractive index (n=2.98) and thickness of 72.1nm and an Al0.1Ga0.9As layer having relatively high refractive index (n=3.54) and thickness of 60.7nm are grown on a semi-insulating GaAs substrate 29 in 15 cycles, to form a AlAs/Al0.1Ga0.9As /4 lower stack layer 28 having a lower mirror layer of /4 reflective layer formed thereon, an N+ Al0.1Ga0.9As/GaAs(6nm/10nm) 27 having the thickness of 500nm serving as a contact layer and an undoped Al0.1Ga0.9As layer 26 having the thickness of 20nm serving as a buffer layer are grown on the lower stack layer 28, shallow multiple quantum wells of Al0.05Ga0.95As(6nm/10nm) multiple quantum well layers 25 are formed in 36 cycles on the buffer layer, an undoped Al0.1Ga0.9As layer 24 serving as a buffer layer is grown on the multiple quantum well layer 25 by the thickness of 20nm, and an upper mirror layer of p+ GaAs layer 23 is grown on the undoped Ga0.1Ga0.9As layer 24 by the thickness of 506.7nm as a p-type contact layer.
Abstract translation: 提供了与不对称法布里 - 珀罗腔结合的化合物半导体的浅多重量子阱结构，其以如下方式构造：具有相对较低折射率（n = 2.98）和72.1nm厚度的AlAs层和Al0。 在半绝缘GaAs衬底29上生长具有相对较高折射率（n = 3.54）和厚度为60.7nm的1Ga0.9As层，以形成具有AlAs / Al 0.1 Ga 0.9 As / 4的下层堆叠层28，Al 形成在其上的/ 4反射层的下镜面层，具有500nm厚度的N + Al 0.1 Ga 0.9 As / GaAs（6nm / 10nm）27用作接触层和具有厚度的未掺杂的Al 0.1 Ga 0.9 As层26 作为缓冲层的20nm生长在下堆叠层28上，在缓冲层，未掺杂的Al0上以36个周期形成Al 0.05 Ga 0.95 As（6nm / 10nm）多个量子阱层25的浅多个量子阱。 在多量子阱层上生长用作缓冲层的1Ga 0.9 As层24 r 25，厚度为20nm，p + GaAs层23的上镜面层在未掺杂的Ga0.1Ga0.9As层24上生长为厚度为506.7nm的p型接触层。
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