-
公开(公告)号：JP2018146945A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017107394
申请日：2017-05-31
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】 位相差及び反射率の膜厚依存性が小さい位相シフト膜を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 【解決手段】 前記位相シフト膜表面の反射率が3%超20%以下であって、所定の170度〜190度の位相差を有するように、前記位相シフト膜は、2種以上の金属を有する合金からなる材料で構成されてなり、k>α*n+βの屈折率n、消衰係数kを満たす金属元素群を群A、k 【選択図】 図1
-
-
-
公开(公告)号：JP2018088006A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2018029498
申请日：2018-02-22
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】EUV露光機の露光光源が高パワー化した場合においても、保護膜とこれに隣接する位相シフト膜パターンの材料との間で、熱拡散による相互拡散によってEUV光に対する反射率が変動してしまうことを抑止することができる反射型マスクブランク及びこれによって作製される反射型マスクの提供、並びに半導体装置の製造方法の提供。 【解決手段】基板12上に多層反射膜13と、保護膜14と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜16がこの順に形成された反射型マスクブランクであって、保護膜14はルテニウムを主成分として含む材料からなり、保護膜14の表面上又は保護膜14の一部として位相シフト膜16と接する側に、位相シフト膜16との相互拡散を抑止するルテニウムと酸素とを含む拡散防止層15を形成することにより、保護膜14と位相シフト膜パターンの材料との間での熱拡散を抑止する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2017120437A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2017038891
申请日：2017-03-02
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2004 , H01L21/0332 , H01L21/0334
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1
-
Patent Agency Ranking
-
-
公开(公告)号：JP2016188911A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2015068340
申请日：2015-03-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24
Abstract: 【課題】低コストで高精度の基準マークを形成することのできる、多層反射膜付き基板の製造方法を提供する。 【解決手段】基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、基準マークは、欠陥情報の基準点を決定するためのメインマーク13aと、メインマークの周囲に配置された補助マーク13bとから構成され、メインマーク13aと補助マーク13bとは異なる形成方法で形成される多層反射膜付き基板。 【選択図】図6
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够以低成本形成高精度标准标记的多层反射涂布基板的制造方法。解决方案：提供一种多层反射涂布基板的制造方法，其中多层反射 在基板上形成反射EUV光的涂层。 该处理包括形成用作检测信息中的检测位置的标准的标准标记的步骤。 标准标记由用于确定检测信息的标准点的主标记13a和布置在主标记周围的辅助标记13b组成，主标记13a和辅助标记13b由不同的方法形成。图示：图 6
-
公开(公告)号：JP2016063020A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014188680
申请日：2014-09-17
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】電子線によるマスク欠陥検査時のチャージアップを防止するとともに、平滑性の高い多層反射膜を持つ低欠陥な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 【解決手段】基板上に導電性下地膜と、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜が積層されたEUVリソグラフィ用の反射型マスクブランクであって、前記導電性下地膜は、前記多層反射膜と隣接して設けられ、膜厚が1nm以上10nm以下のルテニウム系材料からなる反射型マスクブランク、及びそのマスクブランクを用いた反射型マスクとする。又、その反射型マスクを用い半導体装置を製造する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供低缺陷的反射掩模坯料和反射掩模，并且具有高平滑度的多层反射膜，并且可以防止通过电子束检查掩模缺陷中的电荷。 ：用于EUV光刻的反射掩模板通过在基板上层叠基板上的导电基膜，反射曝光的多层反射膜和吸收曝光光的吸收膜来布置。 导电性基底膜与多层反射膜相邻地设置，由膜厚为1〜10nm的钌系材料构成。 通过使用面罩坯料布置反光罩。 制造具有反射罩的半导体器件。选择图：图1
-
70.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 有权用于掩蔽空白的基板，具有多层反射膜的基板，透射型掩模层，反射型掩模空白，透射型掩模，反射型掩模和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016048379A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2015202956
申请日：2015-10-14
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C3/06 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , C03C2201/42 , C03C2218/33
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】基板10の転写パターンが形成される側の主表面2は、1μm×1μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.15nm以下であり、且つ、空間周波数1μm −1 以上のパワースペクトル密度が10nm 4 以下である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种掩模板的基板，其中使用高灵敏度缺陷检查装置在缺陷检查中抑制由基板或膜的表面粗糙度引起的伪缺陷的检测，并发现诸如 作为异物，缺陷可以变得容易。解决方案：在形成有基板10的转印图案的一侧的主表面2中，通过测量1的区域获得的均方根粗糙度（Rms） 原子力显微镜的μm×1μm为0.15nm以下，空间频率1μm以上的功率谱密度为10nm以下。选择图1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.056 seconds)
