公开(公告)号：WO2003065420A3

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：PCT/DE2003/000260

申请日：2003-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  KAISER, Stephan ,  OTTE, Frank ,  PLÖSSL, Andreas

Inventor： FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  KAISER, Stephan ,  OTTE, Frank ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L31/18

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Dünnschichtbauelements, wobei eine Halbleiterschicht durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl, der ein plateauartiges räumliches Strahlprofil aufweist, von einem Substrat getrennt wird. Weiterhin wird die Halbleiterschicht vor der Trennung auf einen Träger mit einem angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufgebracht. Die Erfindung eignet sich insbesondere für Halbleiterschichten, die einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.

公开(公告)号：WO2002073705A3

公开(公告)日：2002-09-19

申请号：PCT/DE2002/000514

申请日：2002-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR, Johannes ,  EISERT, Dominik ,  FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  ORTMANN, Marianne ,  STRAUß, Uwe ,  VÖLKL, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich

Inventor： BAUR, Johannes ,  EISERT, Dominik ,  FEHRER, Michael ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  ORTMANN, Marianne ,  STRAUß, Uwe ,  VÖLKL, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich

IPC: H01L33/00

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit verbesserter Strahlungsausbeute sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauelement weist eine Mehrschichtstruktur (2) mit einer aktiven Schicht (3) zur Strahlungserzeugung innerhalb der Mehrschichtstruktur (2) sowie ein Fenster (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche auf. Die Mehrschichtstruktur grenzt an die erste Hauptfläche (5) des Fensters (1). Von der zweiten Hauptfläche (6) her ist in dem Fenster (1) mindestens eine Ausnehmung zur Erhöhung der Strahlungsausbeute gebildet. Die Ausnehmung weist vorzugsweise einen trapezförmigen, sich zur ersten Hauptfläche (5) hin verjüngenden Querschnitt auf und kann beispielsweise durch Einsägen des Fensters hergestellt werden.

公开(公告)号：EP1299909B1

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：EP01949261.0

申请日：2001-06-13

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BAUR, Johannes ,  BRÜDERL, Georg ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1327267B1

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：EP01987950.1

申请日：2001-10-08

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BADER, Stefan ,  EISERT, Dominik ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44

公开(公告)号：EP2436045B1

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：EP10713203.7

申请日：2010-04-08

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/504

公开(公告)号：EP1800353B1

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：EP05774738.8

申请日：2005-08-04

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BRUNNER, Herbert ,  EISSLER, Dieter ,  HAHN, Berthold ,  HÄRLE, Volker ,  JÄGER, Harald ,  KRÄUTER, Gertrud ,  WAITL, Günter

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L2933/0041

公开(公告)号：EP1597776B1

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：EP04702280.1

申请日：2004-01-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold ,  LUGAUER, Hans-Jürgen

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/22 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1145331B1

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：EP00987172.4

申请日：2000-11-20

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  BOLAY, Helmut ,  BADER, Stefan ,  WEIMAR, Andreas ,  EISERT, Dominik ,  STRAUSS, Uwe ,  VÖLKL, Johannes ,  ZEHNDER, Ulrich ,  LELL, Alfred

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：EP2436045A1

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：EP10713203.7

申请日：2010-04-08

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/504

Abstract: In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises a semiconductor layer sequence (2). The semiconductor layer sequence (2) includes at least one active layer (3) for generating a primary radiation (P). The semiconductor layer sequence (2) further comprises a plurality of conversion layers (4), wherein the conversion layers (4) are equipped to at least partially absorb and convert the primary radiation (P) into a secondary radiation (S) having a longer wavelength than the primary radiation (P). The semiconductor layer sequence (2) further comprises a roughened region (5) which extends at least in some sections into the conversion layers (4).

公开(公告)号：EP2235759A1

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：EP09706853.0

申请日：2009-01-19

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An optical-electronic component (100) comprises a first stack of semiconductor layers (101) which has an active layer (110) set up for emission of radiation, and a primary surface (111).  Arranged on this primary surface there is a separating layer (103) which forms a semi-transparent mirror.  The optical-electronic component comprises a second stack of semiconductor layers (102) arranged on the separating layer and which has an additional active layer (120) set up for emission of radiation.