公开(公告)号：JP6054369B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：JP2014503165

申请日：2012-04-05

Applicant: エレメント シックス リミテッド ,  エレメント、シックス、アブレイシブズ、ソシエテ、アノニム ,  ELEMENT SIX ABRASIVES S.A.

Inventor： マーク、グレゴリー、マンデー ,  チャールズ、スティーブン、モントロス

IPC: C04B35/18 ,  F27B17/00 ,  B01J3/06

CPC classification number: C04B33/13 ,  B01J3/065 ,  B01J3/067 ,  B30B11/004 ,  C04B33/04 ,  C04B35/185 ,  C04B35/20 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/6316 ,  C04B35/645 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/066 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/80

公开(公告)号：JP2014515699A

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：JP2014503165

申请日：2012-04-05

Applicant: エレメント シックス リミテッド ,  エレメント、シックス、アブレイシブズ、ソシエテ、アノニムElement Six Abrasives S.A.

Inventor： マーク、グレゴリー、マンデー ,  チャールズ、スティーブン、モントロス

IPC: B01J3/06 ,  C01B31/06 ,  C04B35/18 ,  F27B17/00

CPC classification number: C04B33/13 ,  B01J3/065 ,  B01J3/067 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/066 ,  B30B11/004 ,  C04B33/04 ,  C04B35/185 ,  C04B35/20 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/6316 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/80

Abstract: 圧力封じ込めアッセンブリのための封じ込めエレメントは、ムライトまたはムライトの多形体を備えている。

公开(公告)号：JP2005507843A

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：JP2003513683

申请日：2002-07-11

Applicant: グレゴリー・アール・ハーロ ,  ディーン・ティー・ヴァンデンビーセン ,  ラッセル・ピー・ヴァンデンビーセン

Inventor： グレゴリー・アール・ハーロ ,  ディーン・ティー・ヴァンデンビーセン ,  ラッセル・ピー・ヴァンデンビーセン

IPC: A44C17/00 ,  B01J3/00 ,  B01J3/06 ,  C01B31/06 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: B01J3/065 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/068 ,  C30B23/00 ,  C30B29/04

Abstract: 本発明は完全な、または部分的なヒトまたは動物の遺体から回収した成分を含む合成宝石を包含する。 本発明はまた、ヒトまたは動物の遺体を火葬にして粒子およびガスの形状の炭素を産生することにより、脊椎動物由来の炭素を含む合成宝石を製造する手順を包含する。 その後炭素は慣用の濾過技術を使用して濾過される。 次に炭素および他の成分はハロゲン精製技術を使用して精製され、黒鉛化される。 それから慣用の昇華技術を使用して宝石が作製される。 合成宝石は慣用のファセット形成および研磨技術を使用してファセットを形成し、研磨してもよい。 宝石はまた、慣用の印付け法を使用してもよい。

公开(公告)号：JP2011524249A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：JP2011512644

申请日：2009-06-04

Applicant: ソーラ インコーポレーション

Inventor： エブリン マーク ピー ド

IPC: B01J3/03 ,  B01J3/00 ,  B01J3/04 ,  C30B7/10

CPC classification number: B01J3/065 ,  B01J3/008 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/067 ,  B01J2203/068 ,  B30B11/004 ,  B30B11/005 ,  C30B7/10 ,  C30B29/403 ,  Y02P20/544

Abstract: 超臨界流体を処理するための高圧装置及びそれに関連する方法を提供する。 本装置は、カプセルとヒータと少なくとも１つのセラミック製のリングとを含むが、複数のリングであってもよく、このリングには、選択的に、１つ以上のスクライブマーク及び／又はクラックが存在する。 本装置は、選択的に各セラミックリングを含む金属スリーブを有する。 さらに、本装置は、高強度エンクロージャと、随伴した断熱材を有する端部フランジと、電力制御システムとを有する。 本装置は、０．２〜２ＧＰａの圧力及び４００〜１２００℃の温度にすることができる。
【選択図】図３

公开(公告)号：JP4421745B2

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：JP2000201997

申请日：2000-07-04

Applicant: 東洋炭素株式会社

Inventor： 博 大久保 ,  敏明 曽我部 ,  哲朗 東城 ,  脩 福長

IPC: B01J3/06 ,  B30B11/00 ,  C01B31/06 ,  C04B35/52 ,  C04B35/528 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/645 ,  B01J3/062 ,  B01J3/065 ,  B01J3/067 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655 ,  B30B11/004 ,  B30B11/007 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

Abstract: A method for producing a semiconductor diamond containing boron by the high pressure synthesis method, wherein a graphite material to be converted to the semiconductor diamond is mixed with boron or a boron compound, formed and fired, in such a way that the resultant graphite material contains a boron component uniformly dispersed therein and has an enhanced bulk density, a high purity and a reduced content of hydrogen.

公开(公告)号：JPWO2004069399A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：JP2005504832

申请日：2004-02-03

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 裕彦 大坪 ,  裕彦 大坪 ,  井原　栄治 ,  栄治 井原 ,  辻　勝行 ,  勝行 辻

IPC: B01J31/26 ,  B01J3/06 ,  C01B21/064 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/645 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1409 ,  B01J3/065 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/066 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/583 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/80

Abstract: 立方晶窒化ホウ素(CBN)を製造する際に、CBN合成触媒成分の表面が、有機物で被覆されているCBN合成触媒を使用する。有機物の質量は、CBN合成触媒成分100質量部に対して、0.01〜50質量部が好ましく、また有機物としては、ステアリン酸および/またはラウリン酸が好ましい。このようなCBN合成触媒を使用することにより、高変換率(高収量)で、(111)面が良く発達したシャープな形状であり、触媒成分の取り込みが少ないCBNを、簡便な工程および作業で生産性良く製造できる。

公开(公告)号：JP2006511341A

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：JP2004565216

申请日：2003-12-05

Applicant: ゼネラル・エレクトリック・カンパニイGeneral Electric Company

Inventor： アリソン，ピーター・サム ,  ジディングズ，ロバート・アーサー ,  デヴリン，マーク・フィリップ ,  ナラング，クリスティ・ジーン ,  レオネッリ，ロバート・ビンセント，ジュニア

IPC: B01J3/06

CPC classification number: B01J3/065 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/0665 ,  B30B15/34 ,  Y10T117/1004

Abstract: 反応セルの平均温度及び反応セル内の温度勾配を独立に制御するための２以上の電気加熱経路を備えるカプセル内に収容された供給材料を結晶生成物に転化するための高温／高圧（ＨＰ／ＨＴ）装置。

公开(公告)号：KR1020070001878A

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：KR1020067009732

申请日：2004-11-17

Applicant: 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코

Inventor： 와타나베겐지 ,  다니구치다카시 ,  고이즈미사토시 ,  간다히사오 ,  가타기리마사유키 ,  야마다다카토시 ,  밀로스네슬라덱

IPC: H01L33/16 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/38 ,  B01J3/062 ,  B01J3/065 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/069 ,  C09K11/63 ,  H01S5/32341

Abstract: A single crystal of highly purified hexagonal boron nitride not influenced by impurities and capable of high- luminance short wave ultraviolet light emission reflecting inherent characteristics; a high-luminance ultraviolet light emitting device including the above single crystal; and utilizing the above device, a simple compact low-cost prolonged-life far ultraviolet solid laser and far ultraviolet solid light emitting unit. A single crystal of highly purified hexagonal boron nitride having a single light emission peak in the far ultraviolet region of up to 235 nm wavelength is produced by in the presence of a solvent of high purity, subjecting a raw material of boron nitride crystal to high-temperature high-pressure single crystal melting followed by crystallization. A light emitting device or light emitting layer comprised of the obtained single crystal is excited with electron beams, and the thus generated far ultraviolet radiation is resonated or without resonation is take out. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 高纯度六方晶氮化硼的单晶不受杂质影响，能够反映固有特性的高亮度短波紫外光发射; 包含上述单晶的高亮度紫外线发光元件; 并利用上述装置，简单紧凑的低成本长寿命远紫外固体激光器和远紫外固体发光单元。 在高达235nm波长的远紫外区域具有单一发光峰的高纯度六方晶氮化硼的单晶通过在高纯度溶剂的存在下，将氮化硼晶体的原料， 温度高压单晶熔化，随后结晶。 由所得单晶组成的发光器件或发光层被电子束激发，所产生的远紫外线辐射被谐振或没有谐振被取出。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020060092180A

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：KR1020060071243

申请日：2006-07-28

Applicant: 제너럴 일렉트릭 캄파니

Inventor： 디'에블린,마크필립 ,  아서,스테픈달리 ,  롤랜드,래리버튼 ,  바가랄리,서레쉬생카라파 ,  루섹,존윌리암 ,  안소니,토마스리차드 ,  레빈손,리오넬몬티

IPC: B01J3/06

CPC classification number: B01J3/065 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/0635 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/067 ,  B01J2203/0675 ,  B01J2203/069 ,  C30B33/00 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 비다이아몬드 결정에서 고압 고온(HP/HT)으로 결함을 제거하거나 스트레인을 경감시키는 방법은 결함을 갖는 결정과, 압력 매질을 제공함으로써 시작한다. 단결정에서 결함의 제거 또는 스트레인의 경감 중 하나 이상을 위해 충분한 시간 동안 충분한 고압 고온의 반응 조건하에서 처리하기 위해, 상기 결정과 압력 매질을 고압 셀에 배치하여 고압 장치에 배치한다.

公开(公告)号：KR1020040002684A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：KR1020030041418

申请日：2003-06-25

Applicant: 제너럴 일렉트릭 캄파니

Inventor： 디'에블린마크필립 ,  아서스테픈달리 ,  롤랜드래리버튼 ,  바가랄리서레쉬생카라파 ,  루섹존윌리암 ,  안소니토마스리차드 ,  레빈손리오넬몬티

IPC: B01J3/06

CPC classification number: B01J3/065 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/0635 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/067 ,  B01J2203/0675 ,  B01J2203/069 ,  C30B33/00 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: PURPOSE: A method for healing voids, micro-pipes, nano-pipes, dislocations, interstitials, vacancies, and strain defects in crystals, by a high pressure/high temperature(HP/HT) annealing process is provided. CONSTITUTION: In a method for removing one or more defects and/or relieving strain in a material selected from non-diamond crystals and amorphous materials, the method comprises (a) placing the material which contains defects and or strain in a pressure medium; (b) disposing the material and the pressure medium in a high pressure cell; and (c) processing the cell under reaction conditions in a high pressure apparatus at a sufficiently high pressure and high temperature for a sufficient amount of time for removing one or more defects or relieving strain in the material. In a method for removing one or more defects and/or relieving strain in a material selected from non-diamond crystals and amorphous materials, the method comprises (a) placing the material which contains defects and or strain in a pressure medium having at least a component in the form of a solid or a liquid at -77 deg.C; and (b) processing the material containing defects and or strain and the pressure medium in a high pressure apparatus at a sufficiently high pressure and high temperature for a sufficient amount of time for removing one or more defects or relieving strain in the material.

Abstract translation: 目的：提供一种通过高压/高温（HP / HT）退火工艺治疗空隙，微管，纳米管，位错，间隙，空位和应变缺陷的方法。 构成：在用于从选自非金刚石晶体和非晶材料中去除一种或多种缺陷和/或减轻应变的方法中，该方法包括（a）将含有缺陷和/或应变的材料放置在压力介质中; （b）将材料和压力介质置于高压槽中; 和（c）在高压设备的高压设备中，在足够高的压力和高温下，在反应条件下处理电池足够的时间以去除一种或多种缺陷或减轻材料中的应变。 在用于从选自非金刚石晶体和非晶材料中去除一种或多种缺陷和/或减轻应变的方法中，所述方法包括（a）将含有缺陷和/或应变的材料放置在至少具有 在-77℃下为固体或液体形式的组分; 和（b）在足够高的压力和高温下在高压设备中处理含有缺陷和/或应变的材料和压力介质足够的时间以去除一个或多个缺陷或减轻材料中的应变。