-
公开(公告)号:CN106716198B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201580051121.1
申请日:2015-09-24
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/028
CPC classification number: G02B6/02009 , C03B2201/02 , C03B2201/31 , C03B2203/23 , C03B2203/26 , G02B6/0281 , G02B6/03611 , G02B6/03627 , G02B6/03633 , G02B6/0365
Abstract: 光纤具备芯体和包围芯体的外周的包层,具有用Δ(r)表示相对于距芯体的中心的距离r的相对折射率差的折射率分布,下述的公式所表示的A的值在0.3%·μm以下,(其中,r的单位是μm,相对折射率差Δ(r)的单位是%,Δref(r)=-0.064r+0.494,MFD1.31是波长1.31μm时的模场直径。)。
-
公开(公告)号:CN108137377A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680058949.4
申请日:2016-10-05
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/027
CPC classification number: C03B37/01222 , C03B37/01211 , C03B37/01248 , C03B37/027 , C03B2201/02 , C03B2201/06 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/224 , C03B2203/225 , C03B2203/23 , C03B2203/34 , Y02P40/57
Abstract: 本公开提供了从具有大的纤芯-包层比的芯棒形成的光纤预成形件,提供了中间体纤芯-包层组件,以及制造该预成形件和纤芯包层组件的方法。预成形件是由封端芯棒制造的。封端材料的热膨胀系数小于芯棒的热膨胀系数,并且与烟炱内的坯棒工艺中的围绕的烟炱包层单体件的热膨胀系数更为紧密匹配或者低于其。封端的存在降低了由于芯棒与包层材料的不同热膨胀所引起的应力,并且得到的预成形件具有低缺陷浓度和后续热加工步骤期间低的失效概率。
-
公开(公告)号:CN107247305A
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201710538634.6
申请日:2017-07-04
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: G02B6/036 , G02B6/02 , C03B37/014 , C03B37/027
CPC classification number: C03B2201/20 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2203/24 , C03B2205/42 , Y02P40/57 , G02B6/036 , C03B37/014 , C03B37/01446 , C03B37/027 , G02B6/02 , G02B6/03622
Abstract: 本发明涉及一种低衰减单模光纤及其制备方法,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为3.5~4.0μm,相对折射率差△1为0.33~0.36%,芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层,所述的内包层半径r2为12~14μm,相对折射率差△2为‑0.01~0.01%,所述的外包层半径r3为62~63μm,所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。通过VAD工艺制造芯棒得到芯层掺锗和氯、内包层掺氟和氯的玻璃芯棒,将此芯棒套入纯二氧化硅外套管,或通过OVD工艺在此芯棒外面沉积外包层,得到可供拉丝的预制棒,将此预制棒在1500~3300m/min的拉丝速度下进行拉丝形成光纤。本发明通过掺氯减少芯层掺锗量和改善芯包层粘度匹配实现光纤的低衰减,该光纤制备工艺较为简单,制作成本低,且工艺稳定,产出合格率高。
-
公开(公告)号:CN103282809B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201180064266.7
申请日:2011-11-03
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G02B6/02
CPC classification number: C03B37/027 , C03B37/01211 , C03B37/01222 , C03B37/01282 , C03B37/0142 , C03B37/01446 , C03B37/01493 , C03B37/01853 , C03B2201/31 , C03B2203/04 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2203/24 , C03B2203/34 , C03C25/1065 , G02B6/02042 , G02B6/02395 , G02B6/0288 , G02B6/03627 , G02B6/4403
Abstract: 本文揭示了多芯光纤带以及制造多芯光纤带的方法。在一个实施例中,多芯光纤带(100)包括至少两个芯构件(102),它们由基于硅石的玻璃制成并且在单个平面中彼此平行地取向。相邻的芯构件具有≥15微米的中心到中心间距,并且相邻的芯构件之间的串扰≤‑25dB。在本实施例中,每一个芯构件是单模的且具有折射率nc和芯直径dc。在备选的实施例中,每一个芯构件是多模的且相邻的芯构件之间的中心到中心间距≥25微米。单个包层(104)是由基于硅石的玻璃制成,并且围绕着且直接接触这些芯构件。该单个包层具有大致为矩形的横截面,且具有≤400微米的厚度以及折射率ncl
-
公开(公告)号:CN102690054B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201210080268.1
申请日:2012-03-23
Applicant: 德拉克通信科技公司
Inventor: I·米莉瑟维克 , M·J·N·范·斯特劳伦 , J·A·哈特苏克 , E·阿尔迪 , E·A·库伊佩斯
IPC: C03B37/018 , C03B37/027
CPC classification number: C03B37/0183 , C03B37/01815 , C03B37/01823 , C03B2201/31
Abstract: 本发明涉及一种用于经由内部气相沉积工艺制造光纤预制件的方法以及形成光纤的方法,其中,在该内部气相沉积工艺期间,对反应区的速度进行设置,以使得该反应区在沿长度从供给侧到排出侧内的速度高于该反应区在沿长度从排出侧到供给侧内的速度。
-
公开(公告)号:CN102681087B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201210056047.0
申请日:2012-03-05
Applicant: 德拉克通信科技公司
IPC: G02B6/036 , G02B6/02 , H01S3/067 , G02F1/39 , C03B37/012 , C03B37/018 , C03B37/027
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B37/01211 , C03B37/01823 , C03B37/01861 , C03B37/01869 , C03B2201/12 , C03B2201/28 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2203/23 , G02B6/0365 , H01S3/06733 , H01S3/1603 , H01S3/1691 , H01S3/1693 , H01S3/1695
Abstract: 本发明涉及光纤、光纤激光器、光学放大器及光纤制造方法。该稀土掺杂放大光纤从中心到外周依次包括内纤芯、内包层、凹槽和外包层。所述内纤芯的半径为r1,相对于所述外包层的折射率差为Δn1,且具有掺杂有至少一种稀土元素的基于二氧化硅的主基质,其中r1为2.5μm~3.1μm,Δn1为8.0×10-3~10.5×10-3。所述内包层的半径r2为4.1μm~15.8μm。所述凹槽的半径为r3且相对于所述外包层的负的折射率差为Δn3,其中Δn3为-14.2×10-3~-3.7×10-3。r2-r1为1.4μm~12.9μm,r3-r2为4.7μm~18.9μm;以及所述凹槽的体积分V13被定义为:,其中,所述体积分为-2200×10-3μm2~-1600×10-3μm2。此外,本发明还涉及将所述稀土掺杂放大光纤用于紧凑型装置内。
-
公开(公告)号:CN105223645A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510733852.6
申请日:2015-11-03
Applicant: 江苏亨通光电股份有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/014 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/014 , C03B37/01211 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2207/64 , G02B6/03644 , C03B37/01446 , C03B37/025 , C03B2201/03 , C03B2203/24 , C03B2207/26 , C03B2207/50 , C03B2207/62
Abstract: 本发明提供了其改善了松散体径向密度分布,使得所制备的光纤1550nm窗口的衰减≤0.180db/km,优于G.652D光纤标准,且整个结构制作适用于规模化生产。其包括纤芯层、内包层、外包层,其特征在于:所述纤芯层、内包层通过气相轴向沉积法同时获得,所述外包层通过套管法套装于所述纤芯层、内包层组合形成的整体结构,所述内包层具体为掺氟的下陷包层,所述纤芯层内掺有锗,所述外包层为高纯石英套管所制成,所述纤芯层的折射率n1接近纯石英折射率n0,相对折射率差Δ1≈0.15%~0.25%,所述内包层的相对折射率差Δ2为-0.2%<Δ2<-0.1%,所述外包层的折射率n2接近纯石英折射率n0,相对折射率差Δ3≈0%。
-
公开(公告)号:CN104445915A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410708948.2
申请日:2014-12-01
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/0144 , C03B37/01406 , Y02P40/57 , C03B37/01413 , C03B37/01446 , C03B2201/20 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2207/20 , C03B2207/26 , C03B2207/28 , C03B2207/64 , C03B2207/66
Abstract: 本发明涉及一种VAD法制备光纤预制棒的装置及方法。装置包括反应腔体和立架,立架上设置垂直升降座,垂直升降座与旋转吊杆相连,反应腔体的一侧为进气端,另一端为排气端,反应腔体内安设有芯部喷灯和包层喷灯,在反应腔体的上方对应于芯部喷灯和包层喷灯开设开口联接上腔体,上腔体中通入旋转吊杆,其特征在于所述的排气端与包层排气管道和芯层排气管道分别相接,包层排气管道位于排气端的上方,芯层排气管道位于排气端的下方。在沉积过程中通过压力反馈系统控制保证芯层火焰及芯层沉积区域的稳定性。本发明能有效保障芯层沉积区域火焰的稳定性,使预制棒芯层部分沉积稳定可控,从而保证预制棒芯层直径等基本参数沿棒长均匀分布,最终保证芯层直径的稳定性,提高预制棒的制造质量。
-
公开(公告)号:CN102815866B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201210294395.1
申请日:2012-08-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B2201/31 , C03B2201/36
Abstract: 本发明提供了一种光纤预制棒的掺杂装置,在改进的化学气相沉积设备上利用改进的MCVD在反应管内壁上沉积好所需的包层材料,利用气相和液相复合掺杂装置进行有源掺杂离子和共掺剂的均匀掺杂。其中气相掺杂采用结构简单成本较低的加热器直接加热气相掺杂的方式,利用加热装置恒定加热掺杂剂汽化后由载流氧导入掺杂,液相采用微孔喷射掺杂装置掺杂,将掺杂溶液通过喷射装置直接在线掺杂。利用复合掺杂装置进行稀土掺杂预制棒的制备实现了预制棒中稀土掺杂离子和共掺杂试剂以及石英基质材料二氧化硅、二氧化锗同步沉积,同时玻璃化。避免了对沉积疏松孔隙状结构层的依赖,提高了掺杂离子的浓度和种类的灵活性。
-
公开(公告)号:CN104355532A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410598253.3
申请日:2014-10-30
Applicant: 江苏通鼎光电股份有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/018 , C03B37/01853 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2207/12 , C03B2207/36
Abstract: 本发明公开了一种光纤预制棒的制造方法。该方法包含如下内容:第一激光仪上激光测量芯层直径d,下激光测量粉末预制棒的顶端形状P,系统根据顶端形状P确定粉末预制棒提拉速度;第二激光仪上下激光分别测量包覆层上下不同点处直径,进而计算沉积包覆层斜率K。分析系统对比实际沉积粉末预制棒参数d1,P1和K1与设定参数d0,P0和K0的差异。粉末预制棒沉积过程中,测量系统(激光测径仪)、控制系统、分析系统处于闭路循环中,系统处于实时的测量,分析,调整过程中,通过K值可以在包覆层沉积偏离控制中值的起始阶段对沉积过程进行控制从而可以获得外径均匀的包覆层,从而提高粉末预制棒质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-