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公开(公告)号：CN1652283A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510042304.5
申请日：2005-01-01
Applicant: 中国海洋大学
Abstract: 一种场发射电子源器件及其制备方法，它有封入真空容器内的场发射电子源和阳极，场发射电子源包括基片上的阴极、栅极及其间层结构，其特征是引出栅极电极的厚金属膜与阴极之间为绝缘层，而与厚金属膜相连的、具有大量微孔的薄金属膜与阴极之间为复合体层。上述的间层结构指位于阴极与栅极之间的绝缘层、半导体层、复合体层。上述的薄金属膜指厚度在50纳米以内、具有大量微孔的金属膜。其制备方法是利用微电子工艺在硅、玻璃等基板上的阴极上制备有复合材料层薄膜，再在上述的复合材料薄膜表面上有薄金属膜栅极，将上述器件与阳极密封在真空容器内而成。本发明工艺简单，结构合理，具有驱动电压低、发射电流密度高、电子束发散小，发射率高等优点。
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公开(公告)号：CN1428000A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01809063.X
申请日：2001-03-12
Applicant: 尖端设备公司
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/021 , H01J9/18
Abstract: 本发明提供了在电子枪中安装具有发射极和一个引出栅极的场发射装置的装置和方法。所述装置可由现有的使用热离子发射极的电子枪零件改造制成。利用由弹簧压紧在导电表面例如现有的电子枪中的第二控制栅极上凸块，可与栅极电气上连接。
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公开(公告)号：CN1413353A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN00817563.2
申请日：2000-12-28
Applicant: 尖端设备公司
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/022
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束形状的动态调整的场发射阴极。通过将栅极场发射阴极的栅极电极(17)分段、并独立地驱动不同的栅极段来形成所需的电子束形状，电子束形状调整得以完成。随着电子束被偏转，栅极段可以导通和截止，这允许动态调整电子束的像差。聚焦透镜(32)可以设置在栅极阴极上，以产生平行电子束。此外，可以制造中空阴极来将电子束中的空间电荷的排斥减至最小。
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公开(公告)号：CN1411605A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN01806100.1
申请日：2001-01-25
Applicant: 尖端设备公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/481 , H01J29/485 , H01J2201/304
Abstract: 提供了一种用于能够将场发射阴极安装在电子枪中的封装结构的装置和方法。不导电基片具有所固定的阴极，并且阴极电连接到通过该基片的管脚上。其他管脚电连接到与阴极成一整体的电极上。可以将三个阴极安装在晶片标志区上，以形成适用于彩色CRT的电子枪。实现了发射器阵列与电子枪中的孔和其他电极(例如聚焦透镜)的精确对准。单一封装结构可以用于多种电子枪尺寸。在制造电子枪过程中，发射器阵列与电子枪的装配和固定可降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1287679A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN99801823.6
申请日：1999-02-06
Applicant: 先进图像技术公司
Inventor： 迈克尔D·波特
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/022 , H01J2201/30423
Abstract: 横向发射体场致发射器件(10)具有栅极(60),该栅极通过绝缘层(80)与包含器件(10)的其它部件的真空或填充气体的微腔室环境(20)隔开。例如在微腔室(20)的外部设置栅极(60)。设置绝缘层(80)以便对从横向发射体(40,100)发射的电子来说不存在通过真空或填充气体到达栅极的通路。设置在发射体与栅极之间的绝缘层(70,80)最好包括具有介电常数大于1的材料。该绝缘层最好还在器件的电子能量工作范围内具有低二次电子产生率。对于显示应用来说,绝缘层最好是透明的。发射的电子被限制到包含发射体(100)的微腔室(20)内。发射体电流的栅极电流成分仅由位移电流组成。该位移电流是栅极电位相对其它部件例如相对发射体的任何变化的结果。防止从发射体到栅极的直接电子电流。器件的阵列包括微腔室阵列,以致来自各发射体(100)的电子电流仅可到达相同微腔室中的阳极(50,55),即使对于没有栅电极(60)的二极管器件也如此。制造工艺方法(S1－S28)特别适于制造器件和这种器件的阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1194718A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN97190590.8
申请日：1997-05-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J1/22 , H01J1/26 , H01J1/20 , H01J1/24 , H01J3/02 , H01J29/04 , H01J31/20 , H01J31/00 , H01J9/08 , H01J9/04
CPC classification number: H01J1/22 , H01J1/24 , H01J9/04 , H01J29/04 , H01J29/485 , H01J2201/2878 , H01J2231/1255
Abstract: 一种阴极组件,配有:带有一对相对的面的、具有热传导性的绝缘基板(21);和装在绝缘基板(21)的一个表面上的阴极基体(24)。在绝缘基板(21)的另一表面上,形成加热阴极基体(24)的发热体(25)。通过介入的导电层(26a)把电极端子(26)固定在发热体(25)的电极上。把第1栅极(30)固定在绝缘基板(21)上,使栅极(30)与阴极基体(24)之间构成预定的间隙。
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公开(公告)号：CN119965060A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510056026.6
申请日：2025-01-14
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种200kV直流型高压光电子枪，阴极电极、阳极电极采用多段式曲面结构设计，且前表面结构对称分布，降低了直流高压电子枪因局部场增强引起的真空击穿的风险；在阳极电极上安装位移调节结构，能够调节阳极电极与阴极电极之间的距离，进而实现电子枪工作电压在50‑200kV内可调；阴极电极内部安装有光阴极转移装置，用于更换不同种类的或者损坏的光阴极；同时，设置了透射和反射式两种光阴工作模式，且在反射式工作模式下，探测激光可实现15°和45°两种角度的入射，因此该直流型高压电子枪具有更高拓展性，且可拓展至更多的应用领域。
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公开(公告)号：CN115699241B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080101891.3
申请日：2020-06-15
Applicant: 上海联影医疗科技股份有限公司
Abstract: 一种电子枪，可以包括阴极，所述阴极发射面，被配置为发射电子。阴极可以包括穿过所述发射面的通孔，所述通孔被配置为允许所述阴极发射的电子的回流电子通过。电子枪还可以包括阳极，被配置为将所述阴极发射的电子从所述阴极吸引到所述阳极，并将所述阴极发射的电子聚焦为电子束。电子枪还可以包括网格结构，被配置为促进所述电子聚焦为所述电子束，所述网格结构的位置与所述通孔对应。
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公开(公告)号：CN113140434B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010055354.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学
Inventor： 魏贤龙
Abstract: 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备，其中片上微型电子源包括衬底，衬底上形成有驱动电极对，驱动电极对存在间隙，间隙中形成有电子隧穿结，驱动电极对可以用于驱动电子隧穿结发出电子束，在衬底上方可以固定聚焦电极，聚焦电极上形成有纵向贯穿聚焦电极的聚焦通道，用于在电子束通过时减小电子束的束斑尺寸。也就是说，本申请实施例中，可以通过驱动电极驱动电子隧穿结发出电子束，电子隧穿结无需穿过多个材料层，具有更高的发射效率，通过聚焦电极可以对电子束进行聚集，从而减小电子束的束斑尺寸，这样可以得到发射电流较大，且束斑尺寸较小的电子束。
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公开(公告)号：CN118737776A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410929705.5
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种多孔硅基阴极电子源及其制备方法和制备设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基阴极电子源的制备方法包括：通过阳极氧化法制备多孔硅层；在第一电解液中，对多孔硅层进行阴极还原处理，以使第一电解液中的特定离子钝化多孔硅层，利于多孔硅层氧化；对钝化后的多孔硅层进行电化学氧化，以使钝化后的多孔硅层均匀、充分氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法在电化学氧化处理前先采用阴极还原对多孔硅层进行钝化，有助于电化学氧化对多孔硅层进行更完全、更充分的氧化，降低多孔硅层中的电子在隧穿加速过程中因缺陷态引起的随机散射作用，从而大幅改善器件电流及发射电流的重复性及稳定性。
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