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公开(公告)号：CN101847557B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010200646.6
申请日：2010-06-13
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01J1/3046 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2329/0423
Abstract: 本发明涉及一种具有边缘增强效应的栅极场发射显示器中的阴极结构，该阴极结构具有阴极基板，阴极单元包括电子发射阴极材料层、栅极层以及介电层。其中，电子发射阴极材料层与栅极层共面地设置在阴极玻璃基板上，而且相互对应并用介电层隔开。通过在结构边缘会增加电场强度的电学特性，将条状电极与介电层的宽度比进行控制，使得阴极板上条状电极边缘露出，而最靠近玻璃基板的条状通过刻蚀玻璃的方式而露出，实现发射极和栅极的任意选择及调控。这样在发射源处构成具有边缘结构，以提高位于发射源处的电场，增强栅极调控作用，降低场发射阴极开启电场，提高场发射显示器件的阴极场发射性能，简化工艺程序，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102044390A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010500105.5
申请日：2010-10-09
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 桥爪洋平
CPC classification number: H01J1/3046 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2329/0423
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件以及包含其的电子束器件和图像显示装置。所述电子发射器件包含基板、设置在基板表面上的绝缘部件、栅极和阴极。绝缘部件具有与基板表面分开的上表面、以及在上表面和基板表面之间从基板表面升起的侧表面。栅极被设置在绝缘部件的上表面上。阴极被设置在绝缘部件的侧表面上并具有与栅极相对的部分。绝缘部件的上面设置阴极的侧表面具有突出部分，所述突出部分从连接与栅极相对的部分所处的位置和绝缘部件从基板表面升起的位置的假想线突出。
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公开(公告)号：CN105448623B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410269167.8
申请日：2014-06-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01J2201/30423 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。
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公开(公告)号：CN105448623A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410269167.8
申请日：2014-06-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01J2201/30423 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。
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公开(公告)号：CN101673653A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910170514.0
申请日：2009-09-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2201/3165 , H01J2329/0423 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明公开了一种电子束器件以及使用所述电子束器件的图像显示装置。在采用提供栅极和阴极以将绝缘构件上形成的凹部夹在中间的电子发射器件的电子束器件中，电子在与栅极碰撞之后被散射然后被提取，使得能容易地获得稳定的电子发射特性，并且即使当产生过多热量时也防止电子发射器件因过热而劣化或者断裂。所述电子发射器件包括：阴极，其具有突起(30)，该突起被定位成跨越所述绝缘构件的外表面和所述绝缘构件中形成的凹部的内表面；以及栅极，包括至少两个导电层的叠层结构。在面对所述突起的部分处布置的导电层的热膨胀系数大于另一导电层的热膨胀系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1072836C
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN96194389.0
申请日：1996-05-31
Applicant: 先进图像技术公司
Inventor： 迈克尔·D·波特
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/022 , H01J2201/30423 , H01J2209/385
Abstract: 一种在平面基片中制备密封封闭腔体的方法，该腔体用于场发射单元或类似单元，允许以真空或低压惰性气体来运行该器件。该工艺包括覆盖一开口(160)，包封该真空或气体的方法，及包括选择一定量的除气材料的方法。使用这种密封封闭腔体的器件实例是具有横向发射极(100)及一简化阳极结构(70)的横向发射极场发射器件(10)，该发射极平行于基片(20)在一简单实施例中，控制电极(140)定位在发射极边(110)上面的一平面内并且与该边自动对准，该简化结构特别适合于场发射显示阵列，总的制备工艺应用步骤(S1-S18)以产生该器件和阵列，该制备方法的各种实施例允许使用导电的或者是绝缘的基片(20)，允许器件的制备具有各种功能和复杂性，并且允许覆盖一沟槽开口(160)，该开口通过该发射极和绝缘层腐蚀，因此即密封住该封闭腔体。
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公开(公告)号：CN1186569A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN96194389.0
申请日：1996-05-31
Applicant: 先进图像技术公司
Inventor： 迈克尔·D·波特
IPC: H01J9/40
CPC classification number: H01J9/025 , H01J3/022 , H01J2201/30423 , H01J2209/385
Abstract: 一种在平面基片中制备密封封闭腔体的方法,该腔体用于场发射单元或类似单元,允许以真空或低压惰性气体来运行该器件。该工艺包括覆盖一开口(160),包封该真空或气体的方法,及包括选择一定量的除气材料的方法。使用这种密封封闭腔体的器件实例是具有横向发射极(100)及一简化阳极结构(70)的横向发射极场发射器件(10),该发射极平行于基片(20)在一简单实施例中,控制电极(140)定位在发射极边(110)上面的一平面内并且与该边自动对准,该简化结构特别适合于场发射显示阵列,总的制备工艺应用步骤(S1－S18)以产生该器件和阵列,该制备方法的各种实施例允许使用导电的或者是绝缘的基片(20),允许器件的制备具有各种功能和复杂性,并且允许覆盖一沟槽开口(160),该开口通过该发射极和绝缘层腐蚀,因此即密封住该封闭腔体。
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公开(公告)号：CN107591299A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710545817.0
申请日：2017-07-06
Applicant: 泰勒斯公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J1/15 , H01J1/312 , H01J21/105 , H01J23/04 , H01J2201/30423 , H01J2201/30434 , H01J2235/068
Abstract: 本发明公开了一种具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管。本发明涉及一种真空电子管，其包括布置在真空室(E)中的至少一个电子发射阴极(C)和至少一个阳极(A)，所述阴极具有平面结构，所述平面结构包括基底(Sb)、多个纳米管或纳米线元件以及至少一个第一连接器(CE1)，所述基底包括导电材料，所述纳米管或纳米线元件与基底电绝缘，所述纳米管或纳米线元件的纵向轴线实质上平行于基底的平面，所述第一连接器电性联接至至少一个纳米管或纳米线元件，从而能够向纳米线或纳米管元件施加第一电势(V1)。
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公开(公告)号：CN102290308A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110158507.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2329/0423
Abstract: 本发明涉及电子发射器件、使用它的图像显示装置及它们的制造方法。电子发射器件被配置，使得从高度方向的中间部分到下端的台阶形状形成部件的侧面的下部的倾斜角θ2大于从凹形部分的下边缘到高度方向的中间部分的台阶形状形成部件的侧面的上部的倾斜角θ1。并且，作为阴极的下部的部分的下阴极部分的电阻大于作为阴极的上部的部分的上阴极部分的电阻。
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公开(公告)号：CN102222591A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110090187.5
申请日：2011-04-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 广木珠代
CPC classification number: H01J1/3046 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30423 , H01J2329/0423
Abstract: 本发明涉及电子发射器件、电子束装置和图像显示装置的制造方法。提供一种电子发射器件的制造方法，其减少了施加有用于驱动电子源的电压的栅极和阴极之间漏电流的发生。该电子发射器件包括：绝缘部件，在其表面上具有凹部；栅极电极，在该绝缘部件上形成并与该凹部相对地放置；阴极，在该凹部的边缘上形成并具有向该栅极电极突出的突起。该制造方法包括形成该凹部的步骤以及在凹部边缘处形成向栅极电极突出的凸部之后形成阴极的步骤。依次执行这些步骤。
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