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公开(公告)号：CN117690775A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311724770.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于脉冲X射线剂量测量的平板形空腔电离室，该电离室包括支撑杆、信号线及腔体。其中，腔体为平板形结构，在腔体内上下侧设有与信号线相接的高压极，腔体内中部位置对称设置有与外框和信号线分别相接的保护极，且对称的所述保护极之间设置有不导通的收集极，以及在保护极和收集极上下且与高压极之间形成有相互屏蔽的灵敏区。该平板形空腔电离室极板间距仅2mm，在300V标称极化电压下，收集时间达到微秒量级，可用于毫秒级脉冲X射线剂量测量，以及还避免两电极直接接触或经固态绝缘件间接接触而产生明显漏电流、进一步减小电离室漏电流、实现极板整体空气等效性，并补偿了低能量段的响应，同时也降低了成本与加工难度等效果。
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公开(公告)号：CN114355432A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111648737.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种微型微弱带电粒子束流探测装置，包括：电子抑制极，用于抑制二次电子；束流吸收极，用于吸收带电粒子束流；信号放大极，用于产生二次放大的电子流；信号吸收极，用于探测吸收总的放大电流信号；电子抑制极、束流吸收极、信号放大极和信号吸收极分别为沿迎面带电束流方向依次设置，探测装置的工作环境为真空环境。与现有技术相比，本发明具有探测精度高、生产成本低、易于加工等优点。
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公开(公告)号：CN111540663A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010444608.9
申请日：2020-05-23
Applicant: 中国测试技术研究院辐射研究所
Abstract: 本发明公开一种用于高能电子束剂量测量的平板电离室，包括外电极和内电极；所述外电极为空气等效材料制成的帽装结构，其与下方的外电极后盖构成一个密闭的扁平气腔，气腔底部设有绝缘板；所述内电极固定于绝缘板上，外围环绕有保护环。本发明采用的空气等效材料作为外电极，测量更加准确；解决现有技术中用于测量电子束剂量测量的难题，能真实反映辐射束梯度变化；采用固定帽缘结构，装配简单、接触良好、空气空隙少，改善了空腔电离室的一致性，提高了产品的合格率，同时实现了产品的坚固性和耐用性。
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公开(公告)号：CN109801831B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910042895.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本公开提供了一种用做数字强子量能器的薄型GEM探测器，包括：支撑板；外框，固定于所述支撑板上，读出板，固定于所述外框上，所述支撑板、外框和读出板组成一个气密腔体；漂移区膜，铺设在所述支撑板上；第一GEM薄膜和第二GEM薄膜，层叠设置于所述气密腔体内；绷膜组件，固定于所述气密腔体内，连接所述第一GEM薄膜和第二GEM薄膜的周边，将所述第一GEM薄膜和第二GEM薄膜沿平行于所述支撑板的方向绷紧。
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公开(公告)号：CN107731652B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710844083.6
申请日：2017-09-18
Applicant: 中国科学院电子学研究所
Abstract: 辐射射线检测装置及其制备方法，其中辐射射线检测装置包括：高导电硅基底，其包括：周期排列的至少一个基底单元，每一基底单元包括：内层基底、包围内层基底的外层基底及由内层基底和外层基底围成的空腔；第一绝缘层，置于高导电硅基底上表面，其结构与高导电硅基底相对应；第二绝缘层，置于高导电硅基底下表面，其具有至少一个正对内层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个正极；具有至少一个正对外层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个负极；玻璃体，置于第一绝缘层的上表面，与正极键合。正极的接触面积远小于负极接触面积，且外层基底包围内层基底结构可进一步增大空腔面积，以明显提高辐射粒子的检测效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109801831A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910042895.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本公开提供了一种用做数字强子量能器的薄型GEM探测器，包括：支撑板；外框，固定于所述支撑板上，读出板，固定于所述外框上，所述支撑板、外框和读出板组成一个气密腔体；漂移区膜，铺设在所述支撑板上；第一GEM薄膜和第二GEM薄膜，层叠设置于所述气密腔体内；绷膜组件，固定于所述气密腔体内，连接所述第一GEM薄膜和第二GEM薄膜的周边，将所述第一GEM薄膜和第二GEM薄膜沿平行于所述支撑板的方向绷紧。
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公开(公告)号：CN105336564B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510740626.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01J47/00
Abstract: 本发明涉及的一种电子学真空穿通件，包括柔性电路板和基体，基体上成型有通孔，还包括夹持所述柔性电路板的夹持件，所述柔性电路板与所述夹持件之间设有密封胶体，通过所述密封胶体将所述柔性电路板和所述夹持件封装一体形成柔性电路板‑夹持件组件，所述柔性电路板‑夹持件组件整体通过密封胶体封装在所述通孔内。本发明的电子学真空穿通件具有高密度、高频低噪声、低释气率、低漏率的优点，能够达到128路的高速、低噪声电子学的读出。
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公开(公告)号：CN106024552A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610309767.1
申请日：2016-05-10
Applicant: 中国科学技术大学
CPC classification number: H01J9/003 , H01J47/001
Abstract: 本发明公开了一种用于大面积GEM探测器安装制作的滑动式自张紧方法，包括GEM薄膜固定的方法和给GEM薄膜施加张力的方法；采用两类垫条将漂移电极和GEM薄膜的四个边缘分别固定住，其中第一类垫条位于所述漂移电极和GEM薄膜边缘的中间部位，第二类垫条位于所述漂移电极和GEM薄膜边缘的两端靠近角部的位置；两类垫条外侧固定有滑块，滑块的外侧设有螺孔，主框架上设有卡槽，滑块的外侧设有螺孔的部位卡入卡槽中定位，卡槽的壁上设有通孔，用螺栓穿过通孔旋入螺孔中进行拉紧。完全继承了自张紧方法所有优点，并克服自张紧方法在制作米级以上的GEM探测器时存在的问题，具有较强的设计灵活性，可以应用各种形状，各种尺寸的大面积GEM探测器制作。
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公开(公告)号：CN105336564A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510740626.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01J47/00
CPC classification number: H01J47/00 , H01J47/001
Abstract: 本发明涉及的一种电子学真空穿通件，包括柔性电路板和基体，基体上成型有通孔，还包括夹持所述柔性电路板的夹持件，所述柔性电路板与所述夹持件之间设有密封胶体，通过所述密封胶体将所述柔性电路板和所述夹持件封装一体形成柔性电路板-夹持件组件，所述柔性电路板-夹持件组件整体通过密封胶体封装在所述通孔内。本发明的电子学真空穿通件具有高密度、高频低噪声、低释气率、低漏率的优点，能够达到128路的高速、低噪声电子学的读出。
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公开(公告)号：CN104937692A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480006054.7
申请日：2014-01-13
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01J47/02 , H01J47/002
Abstract: 一种辐射探测组件，包括具有阴极和阳极的电离室。电离室探测进入电离室的辐射。组件包括限定中空内部容积的外壳，电离室包围在该中空内部容积内。外壳包括至少两层。层中的至少一个向中空内部容积和包围在其中的电离室提供电磁屏蔽。
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