发光组件以及发光组件的制造方法

    公开(公告)号:CN110581201A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910479333.X

    申请日:2019-06-04

    Inventor: 石崎顺也

    Abstract: 本发明的目的在于提供使光提取效率提升的通过SiO2层等的介电质膜接合窗层兼支承基板并除去起始基板而制造的类型的发光组件及其制造方法。本发明的发光组件,包括窗层兼支承基板及发光部,发光部依序包含设置在窗层兼支承基板上的第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层,发光组件包含:除去部,至少除去第一半导体层及活性层;非除去部,为除去部以外;第一奥姆电极,设置在非除去部;以及第二奥姆电极,设置在除去部,其中窗层兼支承基板与发光部通过介电质膜而相接合,发光部与介电质膜之间具有反射防止层。

    工件的切断方法及接合部件

    公开(公告)号:CN110545957A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201880026727.3

    申请日:2018-03-20

    Inventor: 丰田史朗

    Abstract: 本发明是一种工件的切断方法,该方法将表面固定有磨粒的固定磨粒钢线通过卷绕于多个带沟滚筒以形成钢线列,通过使固定磨粒钢线沿轴向往复移动,并且将经由贴附于工件的接合部件而用工件保持装置保持的工件向钢线列切入进给,从而将工件在沿轴向排列的多个位置同时切断,其中,使用其中一部分为磨石的物质作为接合部件,从而在工件的切断结束后并且在从钢线列将工件拉出前,通过接合部件的磨石使固定磨粒钢线磨耗。由此,提供一种工件的切断方法,其能够防止在切断工件后的钢线拉出时发生由于固定磨粒钢线刮卡于工件而引起的线痕以及发生钢线断线。

    单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板

    公开(公告)号:CN110541191A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201910458568.0

    申请日:2019-05-29

    Abstract: 技术问题:提供一种单晶硅的制造方法,其在通过氮掺杂来促进析出的低/无缺陷结晶单晶硅基板以及外延硅晶片中,即使在顶端的低温/短时间的器件工艺流程中也能够形成充分的BMD,并能够以较高的成品率制造具有较高的吸杂能力的晶片。解决方案:一种单晶硅的制造方法,其特征在于,利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N-区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长,以2×1013atoms/cm3以上且3.2×1014atoms/cm3以下的氮浓度掺杂氮,使单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc>1,与提拉单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大Ge/Gc。

    工件的切断方法
    74.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110461543A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201880021867.1

    申请日:2018-03-06

    Inventor: 丰田史朗

    Abstract: 本发明提供一种工件的切断方法,该方法通过线锯进行,在线锯中,将表面固定有磨粒的固定磨粒钢线通过卷绕于多个带沟滚筒以形成钢线列,固定磨粒钢线从一组的卷线器中的其中一个卷线器送出并被卷取至另一个卷线器,通过使固定磨粒钢线沿轴向往复移动,并且将工件向钢线列切入进给,而将工件在沿轴向排列的多个位置同时切断,其特征在于,在开始切断工件之前进行磨粒磨损步骤,其中,该磨粒磨损步骤通过进行不伴随工件的切断的固定磨粒钢线的移动,从而在卷线器内使固定磨粒钢线彼此互相磨擦,而对固定磨粒钢线的表面进行修整,并且在该磨粒磨损步骤中,对所述固定磨粒钢线的表面进行30分钟以上的修整。由此,提供能够以低成本简单地进行固定磨粒钢线的修整,并且能够抑制晶圆的厚度变化的工件的切断方法。

    锗晶圆的研磨方法
    75.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106537561B

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201580038731.8

    申请日:2015-06-18

    Abstract: 本发明是一种锗晶圆的研磨方法,于表面以锗所构成的锗晶圆的研磨中,于含有硅酸胶的碱性水溶液的第一研磨浆中添加双氧水,使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨锗晶圆的表面,第一研磨浆中的该双氧水的添加浓度相当于相对于第一研磨浆的容量,以大于0vol%且0.1vol%以下的容量添加30wt%的双氧水的浓度,并使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨该锗晶圆的表面。借此提供的锗晶圆的研磨方法,能使研磨后的Ge表面的表面粗糙度充分地变小,作为贴合用晶圆的情况也能充分抑制空洞与起泡等的界面缺陷的发生。

    半导体晶圆的清洗方法
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110447088A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201880019193.1

    申请日:2018-03-05

    Abstract: 本发明为一种半导体晶圆的清洗方法,该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中,且从所述氢氟酸槽拉出之后,将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗,其特征在于,至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止,以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此,提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中,能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体晶圆的清洗方法。

    固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法

    公开(公告)号:CN106413993B

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201580025826.6

    申请日:2015-03-18

    Inventor: 加藤忠弘

    Abstract: 本发明为一种固定磨粒钢线,于芯线的表面固着有磨粒,其中于该芯线的表面中,其每单位面积的该磨粒的个数的磨粒数密度为1200个/mm2以上,且全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中,全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2%以下。如此一来,借由提供一种固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法,能抑制工件切断中的固定磨粒钢线的蛇行,并能改善自工件所切出的晶圆的TTV、Warp。

    单晶硅中的碳浓度测量方法

    公开(公告)号:CN110199057A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201880007837.5

    申请日:2018-02-14

    Abstract: 本发明提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法,其测量通过切克劳斯基法从施加了水平磁场的硅熔融液提拉的硅单晶的碳浓度,其特征在于,通过从氧浓度在5ppma-JEIDA以下的所述硅单晶的尾部区域切下检测样品,并通过低温PL测量来测量所述检测样品的碳浓度,使得碳浓度的测量下限值在5×1014原子/cm3以下,并计算所述硅单晶的直体中的碳浓度。由此,提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法,通过该方法即使对于产品部的氧浓度超过5ppma-JEIDA的硅单晶,也能够测量使用FT-IR无法测量的浓度低的碳浓度。

    研磨用磨石
    79.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107530867B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201680024410.7

    申请日:2016-03-11

    Inventor: 宇佐美佳宏

    Abstract: 本发明提供一种研磨用磨石,于圆环状底座的外周配置有多个陶瓷黏合剂研磨片,并于旋转圆环状底座的同时以研磨片研磨工件,其中陶瓷黏合剂研磨片,为长方体,具有位于圆环状底座的相反侧的研磨工件的长方形的研磨面以及与研磨面相邻的四个侧面,其中侧面彼此之间的四个棱部作C倒角,研磨面的长边沿圆环状底座的外周而配置,四个棱部为研磨面的短边的长度的五分之一以上的范围作C倒角。如此一来,能提供一种研磨用磨石,在研磨时不至于破损,并能以简单的成型来抑制由于对工件中心部的过度的切入所引起的工件的严重损伤。

    线锯装置
    80.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107427986B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201680016080.7

    申请日:2016-03-03

    Abstract: 本发明提供一种线锯装置,包含钢线列、喷嘴、工件输送机构,钢线列由卷绕于多个导线器且于轴向来回驱行的钢线形成,喷嘴系供给冷却剂或浆至钢线,工件输送机构将经支承的工件推压至钢线列,在自喷嘴供给冷却剂或浆的同时,通过将由工件输送机构所支承的工件推压至钢线列而切割入送,以将工件切断为晶圆状,其中喷嘴配置于钢线列的上方而与钢线列垂直相交,自经配置的喷嘴的轴向所看的左右两侧各配置有防风板。因此,即使减少冷却剂或浆的流量,亦能够将冷却剂或浆均匀供给至钢线列。

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