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公开(公告)号:CN110316754A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201910242726.9
申请日:2019-03-28
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明提供高纯度、高结晶性且具有高分散性的微细的钛酸钡颗粒粉末及其制造方法以及分散体,该钛酸钡颗粒粉末为在水系溶剂中长期稳定的钛酸钡颗粒粉末。碳酸钡覆盖层具有在水溶剂中抑制钛酸钡的水解、抑制来自钛酸钡颗粒的Ba2+离子的溶出的作用。该钛酸钡颗粒粉末的特征在于:在平均一次粒径为10~300nm的钛酸钡颗粒粉末中,非晶状的碳酸钡覆盖层的平均层厚为0.08~2.0nm。该钛酸钡颗粒粉末的制造方法包括:调整水溶剂中钛酸钡颗粒的浓度和Ba2+离子浓度的第一工序;和使从钛酸钡颗粒提取的Ba2+离子与Na2CO3反应,从而由非晶状的碳酸钡覆盖钛酸钡颗粒表面的第二工序。
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公开(公告)号:CN105683125B
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201480058988.5
申请日:2014-10-30
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明的技术课题在于提供一种μ'高,μ"低,而且μ'因温度的变化小,铁氧体的微细结构致密的铁氧体烧结片材。本发明涉及一种铁氧体烧结体、铁氧体烧结板和铁氧体烧结片材,该铁氧体烧结体的特征在于,其为以氧化物换算,具有包括47.5~49.8mol%的Fe2O3、13.5~19.5mol%的NiO、21~27mol%的ZnO、7.5~12.5mol%的CuO、0.2~0.8mol%的CoO的组成的铁氧体烧结板,并含有0.2~1.4wt%的SnO2和0.005~0.03wt%的S,密度为5.05~5.30g/cm3;该铁氧体烧结片材的特征在于,在该铁氧体烧结板的表面设置槽,还设置粘合层和/或保护层。
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公开(公告)号:CN104051103B
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201410086934.1
申请日:2014-03-11
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,通过促进在磁性相晶界形成连续的富R晶界相,获得磁粉的矫顽力增大、并且也兼备高的剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明中,通过对HDDR处理所得到的、含Al的R‑T‑B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理,能够促进富R晶界相的形成,得到即使降低Al量也能够具备高矫顽力、且具有高剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。
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公开(公告)号:CN103782352B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201280043390.X
申请日:2012-08-30
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F1/0571 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0573 , H01F1/0576 , H01F1/0578 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种不含Dy等高价且资源稀少的元素、能够不追加HDDR工序以外的工序地制造的矫顽力优异的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明的R‑T‑B类稀土磁体粉末包括含有R2T14B磁性相的晶粒和晶界相,晶界相的组成中,R量为13.5at.%以上35.0at.%以下,Al量为1.0at.%以上7.0at.%以下,该R‑T‑B类稀土磁体粉末可以通过在原料合金的HDDR处理的过程中控制HDDR处理的DR工序中的热处理条件而得到。
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公开(公告)号:CN107622833A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201710897482.9
申请日:2012-05-17
CPC classification number: H05K1/095 , C08J7/045 , C08J2379/08 , C08K3/08 , C09D5/24 , C09D7/61 , H05K3/227 , Y10T428/266
Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性涂膜,其是使用金属粉膏在聚酰亚胺类绝缘基板上形成的,且导电性和与绝缘基板的粘接性良好。在聚酰亚胺类绝缘基板上设置溶剂可溶成分为20重量%以下且厚度为5μm以下的树脂固化层,在该树脂固化层上使用金属粉膏形成含金属粉末的涂膜后,实施利用过热水蒸气的加热处理,由此,可得到导电性良好且与绝缘基板的粘接性良好的导电性涂膜。
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公开(公告)号:CN105869820B
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201610182890.1
申请日:2008-03-05
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: C04B35/62218 , C04B35/265 , C04B35/63408 , C04B2235/3234 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/6025 , C04B2235/77 , C04B2235/945 , C04B2235/963 , H01F1/344 , H01F41/16 , H01Q17/00 , Y10T428/24355 , Y10T428/31609
Abstract: 本发明提供铁氧体成形片材、烧结铁氧体基板和天线模块,该厚度为30μm~430μm的铁氧体成形片材的特征在于,在至少一个表面的表面粗糙度中,中心线平均粗糙度为170nm~800nm,并且最大高度为3μm~10μm,在100μm见方的区域中在最大高度的50%深度处沿水平方向切割开的断裂面的面积占有率为10~80%。
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公开(公告)号:CN105027232B
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201480010803.3
申请日:2014-02-25
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用铜膏在绝缘基板上形成的导电性及与绝缘基板的粘接性良好的导电性涂膜。本发明的导电性涂膜的制造方法包括:使用以铜粉末、粘合剂树脂及溶剂为主成分的铜膏在绝缘基板上形成涂膜,使其干燥而得到含铜粉末的涂膜的工序;利用有机酸或有机酸盐对该含铜粉末的涂膜进行处理的工序;和利用过热水蒸气对含铜粉末的涂膜实施加热处理的工序,通过该方法,可以得到导电性良好、而且与绝缘基板的粘接性良好的导电性涂膜。
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公开(公告)号:CN105026079B
公开(公告)日:2017-12-26
申请号:CN201380068052.6
申请日:2013-12-24
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明提供无需使用昂贵的贵金属或高分子分散剂即可制造粒度分布均匀、分散性优异、无粘连颗粒或粗大颗粒的铜粉的方法。本发明的铜粉的制造方法包括:向含有二价铜离子的铜盐水溶液与作为第一还原剂的还原性糖类的混合物中添加碱性氢氧化物,得到含氧化亚铜颗粒的悬浮液的第1工序;以及向上述含氧化亚铜颗粒的悬浮液中添加还原剂,生成铜微粒的第2工序。
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公开(公告)号:CN107074546A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580060300.1
申请日:2015-11-12
Applicant: 户田工业株式会社
IPC: C01B32/158 , C01B32/16 , B01J23/745 , H01M4/62
CPC classification number: C01B32/159 , B01J23/745 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/30 , C01B2202/36 , C01P2006/40 , H01M4/62 , H01M4/625 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及分散性优异的碳纳米管及其制造方法。本发明的碳纳米管在碳纳米管的壁具有平行部分和管外径相对于平行部分的管外径在90%以下的收缩部分,由于易断裂部位的存在比率高,因而容易分散。
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