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公开(公告)号：CN103782352A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043390.X
申请日：2012-08-30
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F1/0571 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0573 , H01F1/0576 , H01F1/0578 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种不含Dy等高价且资源稀少的元素、能够不追加HDDR工序以外的工序地制造的矫顽力优异的R-T-B类稀土磁体粉末。本发明的R-T-B类稀土磁体粉末包括含有R2T14B磁性相的晶粒和晶界相，晶界相的组成中，R量为13.5at.％以上35.0at.％以下，Al量为1.0at.％以上7.0at.％以下，该R-T-B类稀土磁体粉末可以通过在原料合金的HDDR处理的过程中控制HDDR处理的DR工序中的热处理条件而得到。
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公开(公告)号：CN105839006B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201610055072.5
申请日：2016-01-27
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种具有优异的矫顽力、且也具备高的剩余磁通密度的R‑T‑B系稀土磁铁粉末的制造方法。本发明为一种R‑T‑B系稀土磁铁粉末的制造方法，其通过HDDR处理得到R‑T‑B系稀土磁铁粉末，其原料合金含有R(R：包括Y的一种以上的稀土元素)、T(T：Fe或Fe和Co)、B(B：硼)，该原料合金的组成中，R量为12.0at.％以上17.0at.％以下，B量为4.5at.％以上7.5at.％以下，HDDR处理的DR工序具有预排气工序和完全排气工序，将预排气工序中的排气产生的减压速度设为1kPa/min以上30kPa/min以下，制造R‑T‑B系稀土磁铁粉末。
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公开(公告)号：CN107408438A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680013880.3
申请日：2016-03-03
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: B22F1/00 , B22F3/00 , C22C12/00 , H01F1/06 , H01F1/08 , H01F7/02 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供含有六方晶MnBi磁性相，六方晶MnBi磁性相中的Zn的含量为0.5～8质量％的MnBi系磁性粉末。此外，提供包含该MnBi系磁性粉末和树脂粘结剂的粘结磁体。进而，提供含有包含Zn的六方晶MnBi磁性相，六方晶MnBi磁性相中的、相对于Mn、Bi以及Zn总计的、Zn含量为0.5～8质量％的金属磁体。
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公开(公告)号：CN108780688A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680078036.9
申请日：2016-12-28
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 提供一种MnBi系磁性粉末，其具有六方晶MnBi系磁性相，所述六方晶MnBi系磁性相含有Sn，Sn的含量相对于Mn、Bi和Sn的总计为0.2～5原子％。另外，提供一种粘结磁体，其包含该MnBi系磁性粉末与树脂粘结剂的混炼物。进而，提供一种MnBi系金属磁体，其包含六方晶MnBi系磁性相，所述六方晶MnBi系磁性相含有Sn，Sn的含量相对于Mn、Bi和Sn的总计为0.2～5原子％。
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公开(公告)号：CN103357882B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310108069.1
申请日：2013-03-29
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F7/02 , B22F1/0085 , B22F2999/00 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/01 , H01F1/0573 , H01F1/0578 , H01F41/005 , B22F2201/013 , B22F2203/11
Abstract: 本发明涉及R?T?B系稀土磁体粉末的制造方法，其利用HDDR处理得到R?T?B系稀土磁体粉末，该R?T?B系稀土磁体粉末的制造方法中，原料合金组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10at.％以下，在不活泼气氛或真空气氛中将原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后，将气氛切换到含氢的气体气氛，实施以上述温度范围进行保持的第一阶段HD工序，接着，再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围，实施以含氢的气体气氛进行保持的第二阶段HD工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102300655B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201080006341.X
申请日：2010-02-03
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: B22F1/02 , B22F3/14 , C22C33/0278 , C22C2202/02 , H01F1/0572 , H01F1/0578 , H01F1/059
Abstract: 本发明涉及经表面处理的稀土磁性粉末、由该稀土磁性粉末和树脂构成的粘结磁体用树脂组合物、以及含有该稀土磁性粉末的粘结磁体，该经表面处理的稀土磁性粉末，其特征在于，其为稀土磁性颗粒表面被磷酸化合物构成的第1层包被，该第1层的表面被硅化合物和磷酸化合物构成的复合被膜的第2层被覆的经表面处理的稀土磁性颗粒粉末，该稀土磁性粉末的Fe溶出量是10mg/L以下。
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公开(公告)号：CN104051103A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410086934.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F1/0573 , B22F9/04 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D6/00 , C21D2201/00 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0578 , B22F2201/013 , B22F1/0085 , B22F2201/20 , B22F2201/11
Abstract: 本发明的目的在于，通过促进在磁性相晶界形成连续的富R晶界相，获得磁粉的矫顽力增大、并且也兼备高的剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。本发明中，通过对HDDR处理所得到的、含Al的R-T-B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，能够促进富R晶界相的形成，得到即使降低Al量也能够具备高矫顽力、且具有高剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。
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公开(公告)号：CN102300655A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006341.X
申请日：2010-02-03
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: B22F1/02 , B22F3/14 , C22C33/0278 , C22C2202/02 , H01F1/0572 , H01F1/0578 , H01F1/059
Abstract: 本发明涉及经表面处理的稀土磁性粉末、由该稀土磁性粉末和树脂构成的粘结磁体用树脂组合物、以及含有该稀土磁性粉末的粘结磁体，该经表面处理的稀土磁性粉末，其特征在于，其为稀土磁性颗粒表面被磷酸化合物构成的第1层包被，该第1层的表面被硅化合物和磷酸化合物构成的复合被膜的第2层被覆的经表面处理的稀土磁性颗粒粉末，该稀土磁性粉末的Fe溶出量是10mg/L以下。
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公开(公告)号：CN104051103B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201410086934.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，通过促进在磁性相晶界形成连续的富R晶界相，获得磁粉的矫顽力增大、并且也兼备高的剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明中，通过对HDDR处理所得到的、含Al的R‑T‑B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，能够促进富R晶界相的形成，得到即使降低Al量也能够具备高矫顽力、且具有高剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。
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公开(公告)号：CN103782352B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201280043390.X
申请日：2012-08-30
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F1/0571 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0573 , H01F1/0576 , H01F1/0578 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种不含Dy等高价且资源稀少的元素、能够不追加HDDR工序以外的工序地制造的矫顽力优异的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明的R‑T‑B类稀土磁体粉末包括含有R2T14B磁性相的晶粒和晶界相，晶界相的组成中，R量为13.5at.％以上35.0at.％以下，Al量为1.0at.％以上7.0at.％以下，该R‑T‑B类稀土磁体粉末可以通过在原料合金的HDDR处理的过程中控制HDDR处理的DR工序中的热处理条件而得到。
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