公开(公告)号：JPWO2013145558A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：JP2014507368

申请日：2013-03-01

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 大地 八木 ,  大地 八木 ,  貴裕 安部 ,  貴裕 安部

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/021

CPC classification number: C30B28/10 ,  C30B11/001 ,  C30B11/065 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 高い変換効率を有する太陽電池に好適な多結晶シリコンおよびその鋳造方法を提供する。本発明の多結晶シリコンの鋳造方法は、チャンバの誘導コイル内に、軸方向の少なくとも一部が周方向で複数に分割され、内表面に窒素を含む離型材が塗布された無底の無底冷却ルツボを配置し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により、前記無底冷却ルツボ内に多結晶シリコンの原料を溶融し、得られた溶融シリコンを冷却して凝固させつつ下方へ引き抜く、多結晶シリコンの鋳造方法であって、前記凝固された溶融シリコンの引き抜きは、該溶融シリコンにおける炭素濃度を4.0?1017atoms/cm3以上6.0?1017atoms/cm3以下かつ酸素濃度を0.3?1017atoms/cm3以上5.0?1017atoms/cm3以下かつ窒素濃度を8.0?1013atoms/cm3以上1.0?1018atoms/cm3以下の調整の下に行う。

Abstract translation: 提供合适的多晶硅和在具有高转换效率的太阳能电池用的铸造方法。 铸造方法用于本发明的多结晶硅，在所述腔室的感应线圈，至少在多个在圆周方向上分割的轴线方向的一部分上，所述内表面包括氮上的无底的脱模材料的一个无底的被施加 通过所述感应线圈被冷却的坩埚布置，通过电磁感应加热，所述熔化底冷却坩埚的多晶硅的原料，它被拉出的同时冷却和固化向下得到的熔融硅，多晶硅 铸件的方法，该固化的熔融硅的拉丝，在熔融硅中的碳浓度4.0〜10 17原子/厘米3或6.0〜10个17原子/厘米3或更小以及氧浓度0.3〜10 17原子/厘米3或5.0〜10 17个原子/ cm3或更小和8.0？1013atoms / cm3以上和1.0的氮浓度？的1018atoms下执行/立方厘米以下调整。

公开(公告)号：JP5668786B2

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2013111442

申请日：2013-05-28

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 村上　浩紀 ,  浩紀 村上 ,  加藤　浩二 ,  浩二 加藤

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02

公开(公告)号：JP5660237B2

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：JP2014055515

申请日：2014-03-18

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 小野　敏昭 ,  敏昭 小野 ,  伊藤　亘 ,  亘 伊藤 ,  淳 藤瀬 ,  淳 藤瀬

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B33/00

公开(公告)号：JP5657219B2

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：JP2009175676

申请日：2009-07-28

Applicant: サムコ フェニックス コーポレイション ,  サムコ フェニックス コーポレイション ,  株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： オルシェル ベンノ ,  オルシェル ベンノ ,  ブチコフスキー アンジェイ ,  ブチコフスキー アンジェイ ,  カーンズ ジョエル ,  カーンズ ジョエル ,  啓一 高梨 ,  啓一 高梨 ,  トッド フォルカー ,  トッド フォルカー

IPC: C30B15/22 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/22 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1036 ,  Y10T117/104 ,  Y10T117/1044 ,  Y10T117/1048 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/106 ,  Y10T117/1064 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

公开(公告)号：JP5655319B2

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：JP2010025487

申请日：2010-02-08

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 小野　敏昭 ,  敏昭 小野 ,  淳 藤瀬 ,  淳 藤瀬

IPC: H01L21/322

公开(公告)号：JP2014236147A

公开(公告)日：2014-12-15

申请号：JP2013117816

申请日：2013-06-04

Applicant: 株式会社Sumco ,  Sumco Corp ,  株式会社Sumco

Inventor： OKABE HIDEMITSU

IPC: H01L21/304

Abstract: 【課題】貼合せSOIウェーハの製造方法において活性層側の高平坦化を得るとともに、支持側に所定厚みの酸化膜が確保できる表面研磨を両面研磨装置にて簡便に提供する。【解決手段】活性層用ウェーハを支持用ウェーハに酸化膜を介して重ね合せ、この重ね合せウェーハを酸化熱処理し接合を強化しウェーハの露出面にシリコン酸化膜を形成し、このウェーハの活性層用ウェーハを研削し研磨する工程とを含む貼合せSOIウェーハの製造方法において、貼合せウェーハの研磨が、アルカリ性水溶液に水溶性高分子添加剤を含む研磨液を用いた両面研磨処理により、活性層用ウェーハ側の表面の自然酸化膜を除去し支持用ウェーハ側の表面に形成されたシリコン酸化膜を残存するように行う。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：通过双面抛光装置以简单方便的方式提供表面抛光，这使得有可能在有源层侧实现高平坦化，并且确保在支撑侧上具有预定厚度的氧化膜 在制造层叠SOI晶片的方法中。解决方案：一种用于制造层叠SOI晶片的方法包括以下步骤：将用于有源层的晶片和支撑晶片组合在一起，以通过氧化物膜彼此重叠; 对彼此叠置的晶片进行氧化热处理，以加强它们之间的结合，并在如此结合的晶片的每个暴露表面上形成氧化硅膜; 晶片的磨削和抛光，用于有源层的晶片。 在层叠SOI晶片的制造方法中，通过使用含有碱性水溶液和水溶性聚合物添加剂的研磨液进行双面研磨处理来研磨层叠晶片，以除去表面上的天然氧化物膜 在用于有源层的晶片的侧面上，而是留下形成在支撑晶片侧的表面上的氧化硅膜。

公开(公告)号：JP5625546B2

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：JP2010147724

申请日：2010-06-29

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 利和 五十嵐 ,  利和 五十嵐 ,  佐藤　和則 ,  和則 佐藤 ,  昭浩 寺澤 ,  昭浩 寺澤 ,  鈴木　弘昭 ,  弘昭 鈴木 ,  利昭 佐藤 ,  利昭 佐藤

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP5622124B2

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：JP2012522710

申请日：2011-07-01

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 竜一 谷本 ,  竜一 谷本 ,  晋弥 佐土原 ,  晋弥 佐土原 ,  武 多久島 ,  武 多久島

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  H01L21/02024

公开(公告)号：JPWO2011033752A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：JP2011531784

申请日：2010-09-10

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 坂本　賢二 ,  賢二 坂本 ,  辻　雅之 ,  雅之 辻

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C30B25/12 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: クリーニングレシピによりエピタキシャル成長炉内のサセプタへの堆積物を除去した後(ステップS101)、プロセスレシピAに基づき、1枚目のウェーハ上にエピタキシャル層を成長させて、第1のエピタキシャルウェーハを製造する(ステップS102)。続いて、1枚目のウェーハと略等しい膜厚形状が得られるように設定した第2の制御パラメータを含むプロセスレシピBに基づき、ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させて、エピタキシャルウェーハを製造する工程(ステップS103)を複数回繰り返し、複数枚のエピタキシャルウェーハを連続して製造する(ステップS104)。この、クリーニングレシピ、プロセスレシピAおよび複数回のプロセスレシピBを繰り返し実行する(ステップS105)。

公开(公告)号：JPWO2010116761A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：JP2011508258

申请日：2010-04-09

Applicant: 株式会社Sumco ,  株式会社Sumco

Inventor： 秀一 表 ,  秀一 表 ,  栗田　一成 ,  一成 栗田

IPC: H01L21/322 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3221 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225

Abstract: このエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、3×1013atoms/cm3以上、2×1016atoms/cm3以下の濃度範囲の窒素、および/または5× 1015atoms/cm3以上、3×1017atoms/cm3以下の濃度範囲の炭素を添加して、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを引上げ、第一の熱処理と第二の熱処理を行う工程を備える。