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公开(公告)号：CN103898598B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201210589279.2
申请日：2012-12-29
Applicant: 富泰华精密电子(郑州)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 章绍汉
CPC classification number: C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1036
Abstract: 一种晶体生长装置，其包括第一箱体以及第二箱体，该第一箱体包括第一本体并于该第一本体内开设有长晶室，该第二箱体包括第二本体以及提拉杆，该第二本体内开设有冷却腔体及转移腔体，该提拉杆上可拆卸地装设有第一籽晶杆，该晶体生长装置还包括装设于该第二本体内的控制机构，该控制机构包括转移件以及邻近该转移件活动装设于该第二本体内的隔开组件，该隔开组件将该转移腔体及该冷却腔体隔开，该第二箱体还包括隔板以及第二籽晶杆，该隔板活动地置于该转移腔体内以将该转移腔体与该长晶室隔开，该隔开组件能够移动以使该转移腔体与该冷却腔体连通，以供该转移件转动将该第一籽晶杆与该第二籽晶杆交换。该晶体生长装置可以缩短晶体的生产周期。
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公开(公告)号：CN1494608A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN01823121.7
申请日：2001-12-20
Applicant: RWE肖特太阳公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/34 , Y10T117/10 , Y10T117/1036 , Y10T117/104 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
Abstract: 控制将硅粒引入边缘限定硅膜生长工艺(EFG)坩埚/模具单元(20A)内以在晶体生长过程中补充熔体的改进的机械装置。由供料装置(124)通过坩埚/模具单元(20A)的中心套筒(114)向上注入硅粒，由机械装置阻截注入的硅粒并将其导引，使之落入坩埚的选定区域内的熔体中而其注入速度能减少溅射，从而能减小由于在中心套筒(114)与相邻部件上形成硅固体团而中止生长过程的可能性。本发明还包括应用法拉第环(300)来改变流过加热坩埚模具单元(20A)与机械装置的初级和次级感应加热线圈的电流之比。
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公开(公告)号：CN1943918B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200610121557.6
申请日：2006-08-22
Applicant: 雅马哈株式会社
Inventor： 林高广
CPC classification number: H01L35/34 , Y10T117/10 , Y10T117/1036
Abstract: 一种制备热电材料的方法包括下述步骤。可以将热电原材料填充到第一模具的空腔内，使得填充到所述空腔内的热电原材料具有第一和第二尺寸。所述第一尺寸可以沿第一方向界定。所述第二尺寸可以沿第二方向界定。所述第二方向可以垂直于所述第一方向。所述第一尺寸可以大于等于所述第二尺寸。可以在至少为600℃/min.的冷却速率下，沿平行于所述第二方向的单轴方向使填充于所述空腔内的热电原材料冷却。
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公开(公告)号：CN101080628A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200480007486.6
申请日：2004-03-22
Applicant: 康奈尔研究基金会股份有限公司
CPC classification number: C30B29/58 , C30B35/00 , G01N23/20 , G01N23/20025 , Y10S269/90 , Y10S269/908 , Y10S269/909 , Y10T29/53961 , Y10T117/1036
Abstract: 通过使用具有被施加的曲率的、有图形的聚酰亚胺薄膜(12)、并将该薄膜附加于小金属杆(16)的弯曲外表面为X射线晶体学备制用于安装生物大分子的微晶体的试样支架。有图形的薄膜(12)较佳地包括用于保持晶体的锥形末端(24)。较佳地，在该薄膜内设置用于接纳晶体的小试样孔。还可提供通过排液通道连接于试样孔的一第二较大的孔，允许排除过多的液体和在粘性溶性中较容易的操作。施加于薄膜(12)的曲率增加了薄膜的刚度和允许用于取出晶体的方便的勺状作用。聚酰亚胺最少地影响本底和吸收，并可被处理成得到所需的疏水性或亲水性。
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公开(公告)号：CN103898598A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210589279.2
申请日：2012-12-29
Applicant: 富泰华精密电子(郑州)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 章绍汉
CPC classification number: C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1036
Abstract: 一种晶体生长装置，其包括第一箱体以及第二箱体，该第一箱体包括第一本体并于该第一本体内开设有长晶室，该第二箱体包括第二本体以及提拉杆，该第二本体内开设有冷却腔体及转移腔体，该提拉杆上可拆卸地装设有第一籽晶杆，该晶体生长装置还包括装设于该第二本体内的控制机构，该控制机构包括转移件以及邻近该转移件活动装设于该第二本体内的隔开组件，该隔开组件将该转移腔体及该冷却腔体隔开，该第二箱体还包括隔板以及第二籽晶杆，该隔板活动地置于该转移腔体内以将该转移腔体与该长晶室隔开，该隔开组件能够移动以使该转移腔体与该冷却腔体连通，以供该转移件转动将该第一籽晶杆与该第二籽晶杆交换。该晶体生长装置可以缩短晶体的生产周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101194051A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020732.0
申请日：2006-05-10
Applicant: 埃尔凯姆太阳能公司
Inventor： K·弗里斯塔德
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/003 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1036 , Y10T117/1044 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明提供一种用于使硅或其它材料定向固化的方法。使冷却板(19)下降入硅熔体(18)中并使固体硅锭(29)向下固化。
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公开(公告)号：CN100354459C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN01823121.7
申请日：2001-12-20
Applicant: 肖特太阳公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/34 , Y10T117/10 , Y10T117/1036 , Y10T117/104 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
Abstract: 控制将硅粒引入边缘限定硅膜生长工艺(EFG)坩埚/模具单元(20A)内以在晶体生长过程中补充熔体的改进的机械装置。由供料装置(124)通过坩埚/模具单元(20A)的中心套筒(114)向上注入硅粒，由机械装置阻截注入的硅粒并将其导引，使之落入坩埚的选定区域内的熔体中而其注入速度能减少溅射，从而能减小由于在中心套筒(114)与相邻部件上形成硅固体团而中止生长过程的可能性。本发明还包括应用法拉第环(300)来改变流过加热坩埚模具单元(20A)与机械装置的初级和次级感应加热线圈的电流之比。
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公开(公告)号：CN101018895A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200680000827.6
申请日：2006-03-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 羽木良明
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1036
Abstract: 一种由氮化硼制成的晶体生长坩埚(1)，包括：用于容纳籽晶晶体的柱形尖端部分(3)，以及用于生长晶体的柱形直体部分(5)，该直体部分形成在该尖端部分上并具有大于该尖端部分的直径。尖端部分的厚度T1和直体部分的厚度T2满足0.1mm≤T2＜T1≤5mm的条件，以及直体部分的内径D2和长度L2满足100mm＜D2和2＜L2/D2＜5的条件。
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公开(公告)号：CN105088330A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510342796.3
申请日：2006-05-10
Applicant: 埃尔凯姆太阳能公司
Inventor： K.弗里斯塔德
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/003 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1036 , Y10T117/1044 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明涉及用于提炼熔融材料的方法及装置。本发明提供一种用于使硅或其它材料定向固化的方法。使冷却板(19)下降入硅熔体(18)中并使固体硅锭(29)向下固化。
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公开(公告)号：CN102124150B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980132137.X
申请日：2009-08-17
Applicant: 长青太阳能股份有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/007 , C30B15/14 , C30B29/64 , Y10T117/1036 , Y10T117/1044 , Y10T117/1068
Abstract: 一种生长带状晶体的方法，它提供了容纳熔融材料的坩埚，并且将丝索穿过该熔融材料，以生长带状晶体。该方法还引导带状晶体周围的气流，使气体沿着带状晶体朝所述坩埚向下流动。
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