公开(公告)号：TWI652276B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：TW103107945

申请日：2014-03-07

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 尼斯卡嫩 安提J ,  NISKANEN, ANTTI J. ,  陳尙 ,  CHEN, SHANG ,  波爾 維爾傑米 ,  PORE, VILJAMI

IPC: C07F7/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

公开(公告)号：TWI628818B

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW103115253

申请日：2014-04-29

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 謝 琦 ,  XIE, QI ,  馬高特森 弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN, VLADIMIR ,  梅茲 詹姆 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  吉文斯 麥克 ,  GIVENS, MICHAEL ,  拉薩內尼 佩托 ,  RAISANEN, PETRI

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/8239

公开(公告)号：TWI627302B

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：TW104103816

申请日：2015-02-05

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 樊 阿爾德 史蒂芬R A ,  VAN AERDE, STEVEN R. A. ,  樊 德 捷 康奈爾斯A ,  VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  亞斯特雷肯 式朵拉斯G M ,  OOSTERLAKEN, THEODORUS G. M.

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76

公开(公告)号：TW201812079A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106113604

申请日：2017-04-24

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 深澤篤毅 ,  FUKAZAWA, ATSUKI ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02326

Abstract: 一種形成填入基板溝槽且無接縫或空隙之膜的方法，包括：使用鹵化物化合物作為前驅物在置於一反應空間中之基板溝槽中沉積一順應性SiN膜，直至該溝槽以作為一填充膜之順應性SiN膜填充，該膜具有接縫及/或空隙；及接著氧化該填充膜而非沉積膜，以使該填充膜膨脹直到該填充膜之接縫及/或空隙減少。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成填入基板沟槽且无接缝或空隙之膜的方法，包括：使用卤化物化合物作为前驱物在置于一反应空间中之基板沟槽中沉积一顺应性SiN膜，直至该沟槽以作为一填充膜之顺应性SiN膜填充，该膜具有接缝及/或空隙；及接着氧化该填充膜而非沉积膜，以使该填充膜膨胀直到该填充膜之接缝及/或空隙减少。

公开(公告)号：TW201809346A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106118780

申请日：2017-06-07

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 隆吉 戴芬 ,  LONGRIE, DELPHINE ,  尼斯卡嫩 安提 具哈尼 ,  NISKANEN, ANTTI JUHANI ,  王瀚 ,  WANG, HAN ,  謝琦 ,  XIE, QI ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  陳尚 ,  CHEN, SHANG ,  渡會俊晴 ,  WATARAI, TOSHIHARU ,  小沼大 ,  ONUMA, TAKAHIRO ,  石川大 ,  ISHIKAWA, DAI ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/7685

Abstract: 可將金屬層相對於基底的第二表面選擇性地沈積於基底的一個表面上。在一些實施例中，相對於包括矽的第二表面，將金屬層選擇性地沈積於第一金屬表面上。在一些實施例中，可視情況在執行選擇性沈積製程之前對將要執行選擇性沈積的反應室進行鈍化。在一些實施例中，達成高於約50%或甚至約90%的選擇性。

Abstract in simplified Chinese: 可将金属层相对于基底的第二表面选择性地沉积于基底的一个表面上。在一些实施例中，相对于包括硅的第二表面，将金属层选择性地沉积于第一金属表面上。在一些实施例中，可视情况在运行选择性沉积制程之前对将要运行选择性沉积的反应室进行钝化。在一些实施例中，达成高于约50%或甚至约90%的选择性。

公开(公告)号：TWI609491B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW103132556

申请日：2014-09-22

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 謝琦 ,  XIE, QI ,  馬高特森 弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN, VLADIMIR ,  梅茲 詹姆 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L29/1037 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827 ,  H01L51/057 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/938

公开(公告)号：TW201740462A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106100823

申请日：2017-01-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 石川大 ,  ISHIKAWA, DAI ,  深澤篤毅 ,  FUKAZAWA, ATSUKI

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111

Abstract: 一種用於在溝槽中製造一層結構之方法，包括：在上表面、及溝槽之底表面與側壁上同時形成含有Si-N鍵之一介電膜，其中藉由以在兩電極間施加電壓所激發之電漿轟擊，在該上表面及該底表面上形成之該膜之頂/底部份與在該等側壁上形成之該膜之一側壁部份提供不同之化學抗性，該基板平行於該等兩個電極放置於其間；且藉由濕式蝕刻實質上移除該膜之頂/底部份及該側壁部份中之任一者而非兩者，該濕式蝕刻依不同之化學抗性較該膜之頂/底部份及側壁部份之另一者更主要地移除其中一者。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于在沟槽中制造一层结构之方法，包括：在上表面、及沟槽之底表面与侧壁上同时形成含有Si-N键之一介电膜，其中借由以在两电极间施加电压所激发之等离子轰击，在该上表面及该底表面上形成之该膜之顶/底部份与在该等侧壁上形成之该膜之一侧壁部份提供不同之化学抗性，该基板平行于该等两个电极放置于其间；且借由湿式蚀刻实质上移除该膜之顶/底部份及该侧壁部份中之任一者而非两者，该湿式蚀刻依不同之化学抗性较该膜之顶/底部份及侧壁部份之另一者更主要地移除其中一者。

公开(公告)号：TW201739954A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106129090

申请日：2014-10-16

Applicant: ASM IP 控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 波爾維爾傑米 ,  PORE,VILJAMI

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111

Abstract: 本發明提供沈積含硼與碳膜的方法。在一些實施例中，提供沈積具有諸如共形性及蝕刻速率之所需性質之B,C膜的方法。可在低於約400℃之溫度下於基板上分解一或多種含硼及/或碳前驅體。在一些實施例中，提供沈積包括B與C的氮化矽膜之方法。可藉由包含形成SiN之ALD循環及向生長膜提供B與C之CVD循環的沈積製程來沈積氮化矽膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供沉积含硼与碳膜的方法。在一些实施例中，提供沉积具有诸如共形性及蚀刻速率之所需性质之B,C膜的方法。可在低于约400℃之温度下于基板上分解一或多种含硼及/或碳前驱体。在一些实施例中，提供沉积包括B与C的氮化硅膜之方法。可借由包含形成SiN之ALD循环及向生长膜提供B与C之CVD循环的沉积制程来沉积氮化硅膜。

公开(公告)号：TW201734249A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106119554

申请日：2013-08-30

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 梅特羅雷傑H. ,  MATERO,RAIJA H.

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02172 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02304 ,  H01L29/785

Abstract: 提供形成氧化鍺薄膜的原子層沈積處理。在一些實施例中，ALD處理可包括以下步驟：使基板與汽相四價Ge前驅物接觸，以使得在基板表面最多形成Ge前驅物的分子單層；如果有的話，移除過量的Ge前驅物及反應副產物；使基板與汽相氧前驅物接觸，汽相氧前驅物在基板表面與Ge前驅物反應；移除過量的氧前驅物及任何氣體副產物，且重複接觸及移除的步驟直到已形成所需厚度的氧化鍺薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供形成氧化锗薄膜的原子层沉积处理。在一些实施例中，ALD处理可包括以下步骤：使基板与汽相四价Ge前驱物接触，以使得在基板表面最多形成Ge前驱物的分子单层；如果有的话，移除过量的Ge前驱物及反应副产物；使基板与汽相氧前驱物接触，汽相氧前驱物在基板表面与Ge前驱物反应；移除过量的氧前驱物及任何气体副产物，且重复接触及移除的步骤直到已形成所需厚度的氧化锗薄膜。

公开(公告)号：TWI596227B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW102131162

申请日：2013-08-30

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 梅特羅 雷傑H ,  MATERO, RAIJA H.

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02172 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02304 ,  H01L29/785