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公开(公告)号:CN1462036A
公开(公告)日:2003-12-17
申请号:CN03104485.9
申请日:2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器,包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上,并至少包括铝和铪,和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间,用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直,和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层,则可改善阻挡层的特性,从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。