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公开(公告)号：CN107851810B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201680041635.3
申请日：2016-07-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M8/02 , H01M8/0202 , H01M8/12 , H01M8/0232
Abstract: 一种燃料电池包括MEA，该MEA包括阴极、阳极和介于阴极和阳极之间的固体电解质层，该固体电解质层包含离子导电的固体氧化物；配置为与阴极和阳极的至少一方相对的至少一个第一金属多孔体；以及配置为与第一金属多孔体相对并且具有在其中形成的气体供给口和气体排出口的互连器。第一金属多孔体包括与气体供给口相对并且具有三维网状骨架的金属多孔体S，以及具有三维网状骨架并且与金属多孔体S不同的金属多孔体H。金属多孔体S的气孔率Ps和金属多孔体H的气孔率Ph满足关系：Ps
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公开(公告)号：CN111801827A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016578.7
申请日：2019-02-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M8/1213 , H01M4/86 , H01M8/1246 , H01M8/1253 , H01M8/126 , C01G25/00
Abstract: 本发明提供了包含具有钙钛矿型晶体结构的第一金属氧化物的阳极、以及包含具有钙钛矿型晶体结构的第二金属氧化物的固体电解质层。阳极包含镍和/或镍化合物。阳极呈片状形状，并且固体电解质层呈片状形状。固体电解质层层叠在阳极上。阳极的厚度Ta为850μm以上。阳极的厚度Ta和固体电解质层的厚度Te可以满足0.003≤Te/Ta≤0.036的关系。阳极的厚度Ta和阳极的直径Da可以满足55≤Ta/Da≤300的关系。
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公开(公告)号：CN105393393B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201480040766.0
申请日：2014-07-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M8/1246 , H01M4/90
CPC classification number: H01M8/1246 , H01M4/905 , H01M2008/1293 , H01M2250/20 , H01M2300/0071 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供了一种燃料电池用复合材料，其在同时烧制电解质‑阳极层叠体的情况下，抑制了固体电解质层的离子传导性降低，并能够提高燃料电池的发电性能。该燃料电池用复合材料(1)具有固体电解质层(3)以及层叠在固体电解质层上的阳极层(2)。固体电解质层由离子导体构成，在离子导体中，钙钛矿结构的A位包含钡(Ba)和/或锶(Sr)，并且B位中的一些四价阳离子被三价稀土元素取代。阳极层包含组成与固体电解质层相同的电解质成分、镍(Ni)催化剂、以及含有稀土元素的添加剂，所述添加剂至少位于阳极层与固体电解质层之间的界面区域。
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公开(公告)号：CN107851810A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041635.3
申请日：2016-07-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M8/02 , H01M8/0202 , H01M8/12
CPC classification number: H01M8/0232 , H01M4/9033 , H01M8/0241 , H01M8/0245 , H01M8/1213 , H01M8/1231 , H01M8/1253 , H01M2008/1293 , H01M2300/0077
Abstract: 一种燃料电池包括MEA，该MEA包括阴极、阳极和介于阴极和阳极之间的固体电解质层，该固体电解质层包含离子导电的固体氧化物；配置为与阴极和阳极的至少一方相对的至少一个第一金属多孔体；以及配置为与第一金属多孔体相对并且具有在其中形成的气体供给口和气体排出口的互连器。第一金属多孔体包括与气体供给口相对并且具有三维网状骨架的金属多孔体S，以及具有三维网状骨架并且与金属多孔体S不同的金属多孔体H。金属多孔体S的气孔率Ps和金属多孔体H的气孔率Ph满足关系：Ps
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公开(公告)号：CN107406332A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580077101.1
申请日：2015-08-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/48 , C04B35/50 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01M8/1246
Abstract: 固体电解质层包括：具有钙钛矿结构的质子导体，所述质子导体由下式(1)表示：BaxZryCezM1-(y-z)O3-δ，其中，元素M是从包括Y、Yb、Er、Ho、Tm、Gd和Sc的组中选择的至少一种，0.85≤x
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112564A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061586.5
申请日：2015-10-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M8/1253 , H01M8/126 , H01M8/1246
Abstract: 本发明提供了一种电池结构体，该电池结构体包括阴极、阳极、和具有质子传导性并介于所述阴极和所述阳极之间的固体电解质层。该固体电解质层包含具有钙钛矿结构并且含有锆、铈和除铈以外的稀土元素的化合物。如果T为所述固体电解质层的厚度，则在距离所述固体电解质层的阴极侧的表面0.25T的位置处的锆与铈的元素比：即ZrC/CeC，以及在距离所述固体电解质层的阳极侧的表面0.25T的位置处的锆与铈的元素比：即ZrA/CeA，满足ZrC/CeC>ZrA/CeA，且ZrC/CeC>1。
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公开(公告)号：CN106133970A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013345.3
申请日：2015-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M8/0232 , H01M8/0245
CPC classification number: H01M8/0245 , H01M8/0232 , H01M8/12 , H01M2008/1293
Abstract: 通过在由镍多孔基材形成的集电体上形成具有高强度的银层，提供了具有高度耐久性的廉价的多孔集电体。多孔集电体(8a)和(9a)用于燃料电池(101)中，所述燃料电池(101)包括固体电解质层(2)、固体电解质层的一侧上的第一电极层(3)和另一侧上的第二电极层(4)。多孔集电体各自包括：合金层(60a)，其由含锡(Sn)合金形成、至少在具有连续孔(52)的镍多孔基材(60)的连续孔(52)的表面上；以及堆积在合金层上的银层(55)。
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公开(公告)号：CN105493324A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047867.0
申请日：2014-05-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M4/9025 , H01M4/8652 , H01M4/8657 , H01M4/885 , H01M4/8875 , H01M4/9033 , H01M8/12 , H01M2004/8684 , H01M2008/1293
Abstract: 本发明提供了一种通过提高镍催化剂的还原率，可以提高燃料电池中的催化性能的电极用催化剂材料。该用于燃料电池的电极的催化剂材料包含氧化镍和氧化钴，并且相对于镍金属成分和钴金属成分的总质量，该催化剂材料包含2质量％至15质量％的钴金属成分。
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公开(公告)号：CN104205452A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017387.5
申请日：2013-03-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H01M8/1253 , C04B35/48 , C04B35/486 , C04B35/6261 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/761 , C04B2235/786 , C04B2235/9607 , H01B1/122 , H01M4/881 , H01M4/8882 , H01M4/8889 , H01M4/9025 , H01M4/9033 , H01M8/12 , H01M2008/1293 , H01M2300/0071 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供配备具有质子传导性的固体电解质层，以及包含镧锶钴复合氧化物(LSC)并层叠在该电解质层一侧的阴极电极层的固体电解质层叠体。本发明还提供该固体电解质层叠体的制造方法。该固体电解质层叠体可以进一步配备包含镍-钇掺杂锆酸钡(Ni-BZY)的阳极电极层。该固体电解质层叠体适用于在不超过600℃的中等温度区域操作的燃料电池。
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公开(公告)号：CN101469452B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200810188586.3
申请日：2008-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
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