公开(公告)号：CN105453274B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201480001313.7

申请日：2014-05-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤健司 ,  岩崎孝 ,  鸟谷和正 ,  安彦义哉 ,  弘津研一 ,  永井阳一 ,  中幡英章 ,  三上垒

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/048 ,  H01L31/05 ,  H01L31/054 ,  H01L31/044 ,  H02S20/32

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 一种聚光光伏模块，包括：被提供为与外壳的底表面接触的柔性印刷电路；以及由被布置的多个透镜元件形成的主聚光部，每个透镜元件聚集阳光，其中柔性印刷电路包括：绝缘基底材料和导电图案；被提供在该图案上以便分别与透镜元件对应的多个发电元件；具有绝缘性能和不高于预定值的低吸水率的作为覆盖层的盖层，盖层覆盖并密封包括在绝缘基底材料上的图案的导电部；以及具有绝缘性能和不高于预定值的低吸水率的粘合剂层，粘合剂层将绝缘基底材料和覆盖层粘结在一起。

公开(公告)号：CN105745837A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480001796.0

申请日：2014-05-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 岩崎孝 ,  弘津研一 ,  中幡英章 ,  山本诚司 ,  绫井直树

IPC: H02S10/00 ,  H02S20/32 ,  H02S40/22 ,  F24J2/38 ,  G05D3/12

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 提供一种聚光光伏系统，包括：聚光光伏面板；驱动装置，其被配置为使得所述聚光光伏面板执行跟踪太阳的操作；以及控制装置，其被配置为检测在所述聚光光伏面板的发电电力的经时变化中重复发生的变动图案，以及被配置为将检测的变动图案与方位角偏差的形式特征和仰角偏差的形式特征进行比较，以检测跟踪偏差的存在/不存在。

公开(公告)号：CN102484076B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201080038234.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  中幡英章 ,  天野浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。

公开(公告)号：CN104022201A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410211067.X

申请日：2010-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L33/32

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件。所述晶片产品的制造方法为，在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。

公开(公告)号：CN101469452B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200810188586.3

申请日：2008-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  竹内久雄 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。

公开(公告)号：CN102017080B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980114395.5

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L29/267 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底易于加工且能实现处于混合晶体状态的Si(1-v-w-x)CwAlxNv晶体。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，通过脉冲激光沉积法在所述Si衬底(11)上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(12)，其中0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1。

公开(公告)号：CN102017079B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980114047.8

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C4/185 ,  C23C16/34 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所述异质衬底(11)上生长具有主面的Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的步骤。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处组成比x+v为0＜x+v＜1。组成比x+v沿着自所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面至所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面的方向单调增大或减小。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面处的组成比x+v比所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底(11)的材料的组成比x+v。

公开(公告)号：CN101466878B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200680055009.6

申请日：2006-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。

公开(公告)号：CN102084040A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125962.7

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。

公开(公告)号：CN102084039A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。