公开(公告)号：CN1842896A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024667.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  金成国 ,  田村秀贵 ,  中山一郎 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基板等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。

公开(公告)号：CN1751383A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004146.8

申请日：2004-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  中山一郎 ,  金田久隆

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/6708

Abstract: 一种液相蚀刻方法和液相蚀刻装置，该方法中，在作为被处理物的固体或固体的集合体或者胶凝状的物体上以规定速度吹附化学反应性液体进行蚀刻；该装置具有保持被处理物的机构和在被保持的被处理物上吹附化学反应性液体用的喷嘴结构。根据本发明能够维持蚀刻的精度并且能够大幅度提高蚀刻速度。

公开(公告)号：CN1577747A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03160202.9

申请日：2003-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明的掺杂装置具有其中限定有室的真空容器。所述容器具有由电介质材料制成的一个部分，该部分具有将被掺杂在基片中的杂质，其中所述基片设置在所述室中。同样，在所述室中设置用于产生等离子体的等离子体源，所述等离子体源通过形成穿过所述容器的所述部分的电场来产生等离子体。利用所述装置，等离子体中的离子撞击容器的所述部分，从而将从所述容器的所述部分中出来的杂质供至所述室中。

公开(公告)号：CN1430247A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02158815.5

申请日：2002-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 住田贤二 ,  奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  中山一郎 ,  筱原己拔 ,  神田稔 ,  又村慎一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 本发明提供一种匹配电路，该匹配电路能够实现很宽的匹配范围并且相对于负荷状态的变化稳定。第一可变电抗元件(32)的一端连接到匹配电路(30)的输入端子(31)上。第一可变电抗元件(32)的另一端连接到串联的第一固定电抗元件(33a)和第二固定电抗元件(33b)之间的点上。第一固定电抗元件(33a)接地，并且第二固定电抗元件(33b)连接到第二可变电抗元件(36)的一端上并且连接到带状线(37)的一端上。第二可变电抗元件(36)的另一端接地，并且带状线(37)的另一端连接到输出端子(38)上。

公开(公告)号：CN1106685C

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN96122849.0

申请日：1996-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中冈弘明 ,  高濑道彦 ,  中山一郎

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L29/66106 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/2236

Abstract: 向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的第1电压，用等离子中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的第2或对于等离子体变成为阳极的第3电压，边控制已混入等离子体中的硼的导入深度，边使棚导入固体样品的表面部分中去。

公开(公告)号：CN1147693A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96110303.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  柳义弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/30 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/507

Abstract: 在等离子处理方法中，通过将基片置于真空腔内的电极上、把气体导入真空腔并同时排出内部气体、向螺旋放电线圈施加高频电压并同时使真空腔内保持某一压力，以在真空腔内产生等离子体，从而处理基片，其特征在于：在处理基片时，至少改变气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一。该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择，使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。