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公开(公告)号：CN102823028A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016382.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M4/667 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种二次电池，该二次电池包括包含硅或硅化合物的电极，该电极例如包括由金属形成的集电体和设置在该集电体上的用作活性物质的硅膜。该电极的硅膜中的氢浓度为1.0×1018cm-3以上且1.0×1021cm-3以下。这种硅膜例如优选利用等离子体CVD法等在集电体上形成硅膜，并使硅膜中尽量不包含氢。为了使硅膜中尽量不包含氢，可在高温度环境下在集电体上形成硅膜。
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公开(公告)号：CN102290461A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110172777.2
申请日：2011-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/078 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种具有新的抗反射结构的光电转换装置及其制造方法。在半导体表面上使相同种类或不同种类的半导体成长来形成凹凸结构，而不是通过蚀刻半导体衬底或半导体膜的表面来形成抗反射结构。例如，通过在光电转换装置的光入射表面一侧设置其表面具有多个突出部分的半导体层，大幅度减小表面反射。该结构可以通过气相成长法形成，因此不污染半导体。
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公开(公告)号：CN118355557A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080607.8
申请日：2022-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M50/533 , H01M10/04 , H01M10/0585 , H01M50/548
Abstract: 提供一种在电极导线与集流体露出部的连接中电极的应变得到抑制的电池。该电池包括电极、含有电极的外包装体以及从外包装体的内部延伸到外部的导线，电极包括集流体及活性物质层，电极包括在集流体上层叠活性物质层的第一区域及集流体露出的第二区域，电极的第二区域包括折叠集流体的第三区域，导线在第三区域与电极连接。
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公开(公告)号：CN117795731A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054033.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0569 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种在冰点以下也具有良好的放电特性的锂离子电池。在25℃环境下直到成为4.5V的电压为止以0.1C(注意，1C＝200mA/g)的充电速率对包括包含正极活性物质的正极、电解质及包含碳材料的负极活性物质的负极的锂离子电池进行恒流充电，直到电流值成为0.01C为止以4.5V进行恒压充电，然后在‑40℃环境下直到成为2.5V的电压为止以0.1C的放电速率进行恒流放电，由此求出的放电容量的值与通过下述步骤求出的放电容量的值相比为50％以上，即在25℃环境下直到成为4.5V的电压为止以0.1C(注意，1C＝200mA/g)的充电速率对上述锂离子电池进行恒流充电，直到电流值成为0.01C为止以4.5V进行恒压充电，然后在25℃环境下直到成为2.5V的电压为止以0.1C的放电速率进行恒流放电。
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公开(公告)号：CN116134019A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180049109.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D233/58
Abstract: 提供一种可使用的温度范围宽且具有高耐热性的非水溶剂、二次电池或车辆。本发明的非水溶剂包括50体积％以上且95体积％以下的离子液体以及氟代环状碳酸酯，其中离子液体包含咪唑鎓阳离子。本发明的非水溶剂在低温下其粘度得到降低且具有高耐热性，由此可以扩大可使用的温度范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116057010A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054018.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B25/45
Abstract: 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。或者，提供一种即便反复进行充放电结晶结构也不易崩坏的正极活性物质的制造方法。一种包含锂和过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：准备锂化合物、磷化合物和水的第一步骤；混合锂化合物、磷化合物及水形成第一混合物的第二步骤；对第一混合液加入第一水溶液调整pH形成第二混合液的第三步骤；对第二混合液混合铁(II)化合物形成第三混合液的第四步骤；加热第三混合液形成第四混合液的第五步骤；以及对第四混合液进行过滤、洗涤及干燥而获得复合氧化物的第六步骤。锂化合物、磷化合物、水及铁(II)化合物使用高纯度材料。
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公开(公告)号：CN115803910A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180048953.3
申请日：2021-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/38
Abstract: 提供一种劣化少的电极或劣化少的二次电池。本发明的一个方式是一种电极，包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括含有硅的粒子，第二区域包括含有硅的粒子及石墨烯化合物，并且，第二区域覆盖第一区域的至少一部分并与其接触。另外，该电极包括多个含有硅的粒子及石墨烯化合物，多个含有硅的粒子的每一个在表面的至少一部分具有含有氧及碳的官能团、含有氧的官能团或氟原子，石墨烯化合物在石墨烯化合物的面上包含被氢终结的碳和被氟终结的碳中的至少一个，石墨烯化合物以密切缠绕多个含有硅的粒子的方式接触于多个含有硅的粒子。含有硅的粒子优选包含非晶硅或多晶硅。
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公开(公告)号：CN111328433A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201880072846.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0562
Abstract: 在全固态二次电池中，当活性物质的体积由于充放电而变化时，有时难以维持导电路径。在全固态二次电池中使用在充电状态和放电状态间的体积变化很小的正极活性物质。例如，与现有的正极活性物质相比，在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构且在充电深度为0.8左右的充电状态时具有类似于氯化镉型结晶结构的结晶结构的正极活性物质通过充放电的体积及结晶结构变化小。
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公开(公告)号：CN105679998B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201610118122.X
申请日：2012-04-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 栗城和贵
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/525
Abstract: 所公开的发明的一个方式的目的是：抑制钴酸锂被分解而产生分解生成物；抑制钴酸锂中的氧与集电体起反应；以及得到充放电容量大的蓄电装置。一种蓄电装置的制造方法，包括如下步骤：在通过以钴酸锂为靶材且使用Ar作为溅射气体的溅射法在正极集电体上形成钴酸锂层时，在使钴酸锂的结晶呈c轴取向且不产生氧化钴的温度下加热该正极集电体，其中该正极集电体的加热温度为400℃以上且低于600℃。
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