一种降低硅衬底压电薄膜破损率的方法

    公开(公告)号:CN118019434A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410423837.0

    申请日:2024-04-10

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明属于半导体MEMS芯片制造领域,具体涉及一种降低硅衬底压电薄膜破损率的方法,该方法包括:在硅衬底上表面生长合适的压电薄膜,进行第一步光刻,使压电薄膜图形化,其中使用多个光刻板对压电薄膜的边缘进行分步光刻,制造出阶梯状;第二步光刻,将底电极图形化;第三步光刻,将顶电极图形化;第四步光刻,将桥接绝缘层图形化;第五步光刻,将桥电极图形化;在第六步光刻,对应硅衬底上表面压电薄膜的阶梯尺寸及位置,使用光刻板在硅衬底下表面进行背腔图形化工艺,采用分步光刻,在背腔边缘制造出阶梯状。最大程度的提高了硅衬底上压电薄膜对抗机械应力的强度和日后使用中的耐久度,从而降低压电薄膜的破损率。

    一种碳-高贝利特水泥基超级电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117809988A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202410120004.7

    申请日:2024-01-29

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种碳‑高贝利特水泥基超级电容器及其制备方法,水泥基超级电容器包括含有铜箔电极、绝缘封装、以及碳‑高贝利特水泥基电解质的电容器组件,两部分组件浸泡在人工海水电解液里,形成超级电容器储能器件。碳‑高贝利特水泥基超级电容器的制备包含以下步骤:S1:将高贝利特水泥与碳黑、碳纤维混合研磨并搅拌均匀,得到碳‑水泥混合物;S2:将酚醛或聚氨酯加入步骤S1得到的碳‑水泥混合物中并研磨均匀,然后加入去离子水得到水泥基浆体;S3:将步骤S2得到的浆体倒入模具成型后放入养护室养护至凝固成型,得到所述的碳‑高贝利特水泥基电解质;S4:将步骤S3的碳‑高贝利特水泥基电解质单面贴上铜箔并引出导线后,用防水绝缘胶密封铜箔电极构成组件,最后将两片等同组件水泥面“面对面”浸泡在人工海水里得到碳‑高贝利特水泥基超级电容器。本发明的水泥基超级电容器拥有较高的电流密度、放电速率,适合海上光伏、风能发电的应用需求,对打造“海上新能源+储能”应用带具有积极的推动作用。

    一种压电陶瓷圆管换能器的一致性控制方法

    公开(公告)号:CN114034331A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111304653.5

    申请日:2021-11-05

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷圆管换能器的一致性控制方法,包括根据工作电压和压电陶瓷抗张强度确定最大力矩,通过谐振频率计算机电耦合系数,通过力矩调整机电耦合系数,进而对换能器一致性进行判断、比较和调整的方法。本发明利用螺栓紧固力矩、静态电容和机电耦合系数对压电陶瓷圆管换能器的一致性进行调控,具备方法简单、成本低、调控准确、适用范围大等优势。

    一种利用Fe2O3改性超声探头背衬层的方法

    公开(公告)号:CN113969039A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111297776.0

    申请日:2021-11-04

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明提供一种利用Fe2O3改性超声探头背衬层的方法是由Fe2O3粉末、环氧树脂和固化剂制备超声探头的背衬层。通过调节Fe2O3含量控制背衬层声学特性,进而提高超声探头性能。本发明的目的在于提供利用Fe2O3改性超声探头背衬层声学特性的方法,具有成本低、易操作、抗腐蚀和可减小二次反射波对接收信号的影响,在提高声发射传感器提取有用信息和应用于工作环境恶劣的土木工程监测领域具有广泛的应用前景。

    一种低温烧结LTCC微波介质陶瓷及制备方法

    公开(公告)号:CN108569903B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201810618048.7

    申请日:2018-06-15

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种满足LTCC应用需求的微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷材料组成表达式为:La2Zr3‑3xTi3xMo9O36。其中0.02≤x≤0.1。本发明先将La2O3,ZrO2,TiO2和MoO3等原材料按照表达式进行配料,经球磨、干燥和过筛后于600℃的温度下进行预烧处理;再经二次球磨、干燥后添加10%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒,压制成型为直径为10 mm的圆柱坯体,于700~750℃烧结温度下对陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:较低的烧结温度(700~750℃),制备工艺较为简单,制备过程环保,成本较低,是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。

    一种低损耗岩盐矿结构微波介质陶瓷及制备方法

    公开(公告)号:CN107555986A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710786124.0

    申请日:2017-09-04

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗岩盐矿结构微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷材料组成表达式为:Li2Mg1+0.33xTi1-xNb0.67xO4,其中0.25≤x≤0.35。本发明先将Li2CO3,MgO,TiO2和Nb2O5等原材料按照表达式进行配料,经球磨、干燥、过筛后于1050°C环境下进行预烧处理;再经二次球磨、干燥后外加8%重量百分比粘合剂进行造粒,压制成型为坯体,采用埋烧法对陶瓷坯体于1400-1450°C烧结,制得高性能的锂镁钛基微波介质陶瓷。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:较高的品质因数(Q×f~160,000GHz),接近于0的谐振频率温度系数(τf~-3ppm/°C)。所制备材料介电常数(εr)约为16,制备工艺较为简单,制备过程环保,成本较低,是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。

    一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法

    公开(公告)号:CN105837211A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610174896.4

    申请日:2016-03-25

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法,其组成为Zn1?xCoxZrNb2O8,其中0≤x≤0.1;先将ZnO、ZrO2、Nb2O5和CoO按化学式配料,经过混料、烘干、过筛,预烧、造粒、压制成型等工艺后,于1100~1200℃烧结,制得掺杂离子后的Zn1?xCoxZrNb2O8陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂ZnZrNb2O8中的锌离子,在保证陶瓷微波介电性能稳定的情况下,够显著降低陶瓷材料烧结温度。制成陶瓷的介电常数达到25.73~27.26,品质因数Q·f达到55,600~61,000 GHz,谐振频率温度系数为?11.3~?15.2 ppm/℃。本发明制备工艺简单,使用设备廉价,过程环保,在工业上有着极大的应用价值。

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