公开(公告)号：CN118019434B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410423837.0

申请日：2024-04-10

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  刘通 ,  杨长红 ,  司景翔 ,  林秀娟 ,  程新

IPC: H10N30/082 ,  H10N30/06

Abstract: 本发明属于半导体MEMS芯片制造领域，具体涉及一种降低硅衬底压电薄膜破损率的方法，该方法包括：在硅衬底上表面生长合适的压电薄膜，进行第一步光刻，使压电薄膜图形化，其中使用多个光刻板对压电薄膜的边缘进行分步光刻，制造出阶梯状；第二步光刻，将底电极图形化；第三步光刻，将顶电极图形化；第四步光刻，将桥接绝缘层图形化；第五步光刻，将桥电极图形化；在第六步光刻，对应硅衬底上表面压电薄膜的阶梯尺寸及位置，使用光刻板在硅衬底下表面进行背腔图形化工艺，采用分步光刻，在背腔边缘制造出阶梯状。最大程度的提高了硅衬底上压电薄膜对抗机械应力的强度和日后使用中的耐久度，从而降低压电薄膜的破损率。

公开(公告)号：CN118019434A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410423837.0

申请日：2024-04-10

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  刘通 ,  杨长红 ,  司景翔 ,  林秀娟 ,  程新

IPC: H10N30/082 ,  H10N30/06

Abstract: 本发明属于半导体MEMS芯片制造领域，具体涉及一种降低硅衬底压电薄膜破损率的方法，该方法包括：在硅衬底上表面生长合适的压电薄膜，进行第一步光刻，使压电薄膜图形化，其中使用多个光刻板对压电薄膜的边缘进行分步光刻，制造出阶梯状；第二步光刻，将底电极图形化；第三步光刻，将顶电极图形化；第四步光刻，将桥接绝缘层图形化；第五步光刻，将桥电极图形化；在第六步光刻，对应硅衬底上表面压电薄膜的阶梯尺寸及位置，使用光刻板在硅衬底下表面进行背腔图形化工艺，采用分步光刻，在背腔边缘制造出阶梯状。最大程度的提高了硅衬底上压电薄膜对抗机械应力的强度和日后使用中的耐久度，从而降低压电薄膜的破损率。

公开(公告)号：CN118119262A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410045559.X

申请日：2024-01-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  李春刚 ,  刘通 ,  李成龙 ,  司景翔 ,  师庆宇 ,  林秀娟 ,  黄世峰

IPC: H10N30/078 ,  H10N30/04 ,  H10N30/853 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请公开一种6英寸铁酸铋基梯度薄膜和MEMS芯片的制备方法，涉及功能薄膜材料及微加工工艺器件技术领域，得到的6英寸的大面积薄膜的制备工艺为：配置不同Gd掺杂浓度的BGFO溶胶；将制得的BGFO溶胶，依次旋涂在SOI晶圆衬底上，得到BGFO薄膜；Gd掺杂浓度沿厚度方向等比例递增；将制得的BGFO薄膜放入快速退火炉或热台中进行干燥，在快速退火炉热解和退火，经过层层退火制得所述铁酸铋基薄膜。本发明薄膜结构致密，表面起伏较小，具有良好的压电铁电性能，并且未加电场极化就具有特定的自极化方向。同时提供了MEMS芯片的制备工艺。本发明的MEMS芯片在微型化电子元器件应用方面具有很大的潜力。