公开(公告)号：CN1983462B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200610172524.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L41/22 ,  C01G33/00

Abstract: 一种强电介质膜的制造方法，包括使用溶胶凝胶溶液形成强电介质膜的工序，使用至少混合PbZrO3用溶胶凝胶溶液、PbTiO3用溶胶凝胶溶液和PbNbO3用溶胶凝胶溶液的溶液作为所述溶胶凝胶溶液。

公开(公告)号：CN100502038C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510129542.X

申请日：2005-12-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  樋口天光

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6684 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、直接形成在所述铁电体层(30)的上表面的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)；所述IV族半导体层与所述氧化物半导体层具有pn结。

公开(公告)号：CN100385669C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510064948.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: H01L27/10 ,  H01L41/083 ,  B41J2/045 ,  B41J2/135 ,  C04B35/491

Abstract: 提供一种晶体缺陷少、具有良好特性的强电介质膜层叠体。本发明的强电介质膜层叠体，其中包括电极(102)、和在该电极上形成的PZT系强电介质膜(101)。强电介质膜(101)，组成之中有2.5摩尔%以上40摩尔%以下置换成Nb，电极(102)几乎不含从强电介质膜扩散的氧。

公开(公告)号：CN1990419A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610145962.1

申请日：2006-11-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  上野真由美

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B35/624

CPC classification number: C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/493 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6325 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/768 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/1876

Abstract: 本发明提供了在液相法中，组成控制性良好的用于形成复合金属氧化物的原料组合物。复合金属氧化物用原料组合物是用于形成复合金属氧化物的原料组合物，所述复合金属氧化物用通式AB1－xCxO3表示，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf的至少一种，C元素包括Nb以及Ta的至少一种，所述原料组合物包括：热分解性有机金属化合物、水解性有机金属化合物、以及水解性有机金属化合物的部分水解物及/或缩聚物的至少一种；聚羧酸及聚羧酸酯的至少一种；以及有机溶剂，其中，该热分解性有机金属化合物含有所述A元素、所述B元素或所述C元素，该水解性有机金属化合物含有所述A元素、所述B元素或所述C元素。

公开(公告)号：CN1321442C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410031531.3

申请日：2004-03-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  木岛健 ,  柄沢润一 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述(a)和(b)的方法进行结晶化。

公开(公告)号：CN1929038A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610127756.8

申请日：2006-09-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  大桥幸司 ,  滨田泰彰

IPC: H01B3/10 ,  H01B3/12 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/00

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  Y10T428/12493

Abstract: 本发明提供一种绝缘性优良的复合氧化物层压体及其制造方法。包括：基板(20)；形成在所述基板(20)的上方、用通式ABO3表示的第一复合氧化物层(24)；以及形成在所述第一复合氧化物层(24)的上方、用通式AB1－xCxO3表示的第二复合氧化物层(26)，其中A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W及Hf中的至少一种，C元素包括Nb及Ta中的至少一种。

公开(公告)号：CN1916229A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610111222.6

申请日：2006-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  岩下节也 ,  木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN1807346A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510134113.1

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  岩下节也 ,  滨田泰彰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/632 ,  C04B35/624 ,  C09K11/02 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C09D11/30 ,  C09D11/36 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种含有用于形成铁电体的前驱体的前驱体组合物，上述铁电体用通式AB1－XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一种构成，C元素由Nb和Ta中的至少一种构成，上述前驱体至少含有上述B元素和C元素，而且局部含有酯键，上述前驱体溶解或分散于有机溶剂中，上述有机溶剂至少含有第1醇、以及沸点和粘度比该第1醇高的第2醇。由此，采用液相法提供具有良好的组成控制性且使铅等金属成分的再利用成为可能的铁电体形成用前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法、和使用了前驱体组合物的铁电膜的制造方法。

公开(公告)号：CN1677560A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510055315.7

申请日：2005-03-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 在铁电存储器元件中，有一些对于非破坏读出方法的研究，但“1”和“0”的差异小和工序上的可靠性的问题一直没有得到解决。本发明提供了一种适合于简单矩阵结构存储器元件的非破坏读出方法。根据本发明的非破坏读出型铁电存储器的非破坏读出方法包括：在铁电存储器元件串联设置的一对记录用单元和参考用单元写入1位信息的步骤；非破坏读出通过读出侧具备的谐振电路用某种谐振频率谐振对于写入在一对记录用单元和参考用单元的1位信息施加脉冲时的应答后输出的输出信号的步骤。

公开(公告)号：CN1556999A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03800602.2

申请日：2003-03-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种能够防止干扰的强介电体记忆装置及其驱动方法以及驱动电路。在强介电体记忆装置中，对于在多条字线(14)与多条位线(16)的各交点上形成的多个强介电体记忆单元(18)的至少一个选择单元，重复进行数据读出、数据再写入、及数据写入的任意一个的动作工序。在至少实施了一次该动作工序后，实施对多个强介电体记忆单元(18)的各个，施加使各个强介电体记忆单元(18)的记忆数据不发生反转的电场方向的电压的防止干扰工序。由此，对于非选择单元(18b)以一定的频率施加使其记忆数据不发生反转的电场方向的电压，抑制数据的恶化。