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公开(公告)号：CN104253207B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410120033.X
申请日：2014-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L41/183 , B06B1/06 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/441 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , H01L41/187 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H02N2/001 , H02N2/181
Abstract: 本发明提供一种压电材料及使用它的压电元件、液体喷射头、液体喷射装置、超声波传感器、压电电机以及发电装置，上述压电材料可减少环境负担，在宽的使用环境温度范围内压电特性、介电特性高，并且居里温度也高。上述压电材料含有：第1成分，由为菱面体晶且居里温度为Tc1的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第2成分，由为菱面体以外的晶体的且居里温度为Tc2的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第3成分，由为与上述第2成分相同的晶系且居里温度为Tc3的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成，上述Tc1比上述Tc2高，上述Tc3为上述Tc1以上。
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公开(公告)号：CN104589800A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510040800.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 滨田泰彰
IPC: B41J2/045 , H01L41/083
CPC classification number: B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , C04B35/2633 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种对环境友好且相对介电常数高的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。为一种液体喷射头，具有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设置于所述压电体层的电极，其中，所述压电体层由含有含铁酸锰酸铋和钛酸钡的钙钛矿型化合物的压电材料形成，膜厚在3μm以下，且在(110)面优先取向。
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公开(公告)号：CN104253207A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410120033.X
申请日：2014-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L41/183 , B06B1/06 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/441 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , H01L41/187 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H02N2/001 , H02N2/181
Abstract: 本发明提供一种压电材料及使用它的压电元件、液体喷射头、液体喷射装置、超声波传感器、压电电机以及发电装置，上述压电材料可减少环境负担，在宽的使用环境温度范围内压电特性、介电特性高，并且居里温度也高。上述压电材料含有：第1成分，由为菱面体晶且居里温度为Tc1的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第2成分，由为菱面体以外的晶体的且居里温度为Tc2的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第3成分，由为与上述第2成分相同的晶系且居里温度为Tc3的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成，上述Tc1比上述Tc2高，上述Tc3为上述Tc1以上。
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公开(公告)号：CN101552317B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910129911.3
申请日：2009-04-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/18 , B41J2/135
CPC classification number: H01L41/18 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1645 , H01L41/0815 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1-x)Bi(Fei-yMny)O3-xBa(ZruTi1-u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1-yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1-u)O3能够实现压电特性的提高。
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公开(公告)号：CN102189796A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050740.2
申请日：2011-03-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 滨田泰彰
IPC: B41J2/045 , H01L41/083
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2002/14491 , B41J2202/03 , C04B35/26 , C04B35/6264 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C23C18/1216 , H01L41/0805 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种对环境友好且相对介电常数高的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。为一种液体喷射头，具有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设于所述压电体层的电极，其中，所述压电体层由含有含铁酸锰酸铋和钛酸钡的钙钛矿型化合物的压电材料形成，膜厚在3μm以下，在(110)面优先取向，并且，来自该(110)面的X射线衍射峰的半峰全宽为0.24°～0.28°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1916229B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610111222.6
申请日：2006-08-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B41J2/161 , B41J2/1646 , C23C14/088 , H01L21/31691 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/29 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/13091 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100580932C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200510134103.8
申请日：2005-12-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01B3/02 , H01G4/06 , C01G1/00
CPC classification number: H01G7/06 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/6303 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C23C18/00 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/1263 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜101由用通式(Pb1-dBid)(B1-aXa)O3表示的铁电膜构成，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。根据本发明可以提供具有良好的滞后特性的铁电电容器、以及铁电存储器，此外还可以提供适用于铁电存储器和上述铁电电容器的铁电膜。
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公开(公告)号：CN100405501C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN03800602.2
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 滨田泰彰
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种能够防止干扰的强介电体记忆装置及其驱动方法以及驱动电路。在强介电体记忆装置中，对于在多条字线(14)与多条位线(16)的各交点上形成的多个强介电体记忆单元(18)的至少一个选择单元，重复进行数据读出、数据再写入、及数据写入的任意一个的动作工序。在至少实施了一次该动作工序后，实施对多个强介电体记忆单元(18)的各个，施加使各个强介电体记忆单元(18)的记忆数据不发生反转的电场方向的电压的防止干扰工序。由此，对于非选择单元(18b)以一定的频率施加使其记忆数据不发生反转的电场方向的电压，抑制数据的恶化。
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公开(公告)号：CN1983519A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610172525.9
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/82 , H01L41/22
Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，包括：在所定的基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成由含有Pb、Zr、Ti和Nb作为构成元素的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；形成保护膜，以覆盖所述下部电极、强电介质膜和上部电极的工序；和至少在形成所述保护膜之后，进行用于使所述PZTN复合氧化物结晶的热处理的工序。
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公开(公告)号：CN1295790C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410031478.7
申请日：2004-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C30/00 , C30B5/00 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1%以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔%以上、40摩尔%以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。
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