Abstract:
PURPOSE: A nonvolatile memory device, an erasing method thereof, and a memory system including the same are provided to improve reliability by preventing ground selection transistors and string selection transistors from being programmed in an erase operation. CONSTITUTION: A plurality of cell strings comprise a plurality of cell transistors which are vertically laminated on a substrate. A target voltage with a target level is generated(S110). An erase voltage with a level which gradually increases up to the target level is generated based on the generated target voltage(S120). The erase voltage is supplied to the substrate(S130). A word line erase voltage is supplied to a plurality of word lines connected to a plurality of cell transistors.
Abstract:
신호 특성 결정 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명에 의한 신호 특성 결정 장치는, RF 신호 및 상기 RF 신호를 이치화하여 얻은 이진 데이터를 입력받아, 상기 이진 데이터를 이용하여 상기 RF 신호의 각 샘플값을 레벨 별로 분류하기 위한 선택 신호를 생성하고, 상기 선택 신호를 이용하여 상기 RF 신호의 샘플 값들을 레벨 별로 분류한 후 각 레벨별 샘플 값들의 평균값을 출력하는 레벨 검출부; 및 상기 각 레벨별 샘플 값들의 평균값을 이용하여 상기 RF 신호의 특성을 나타내는 소정의 특성 값을 연산하는 신호특성 결정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, RF 신호의 특성을 나타내는 소정의 특성값들을 보다 정확하게 결정할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 광 디스크에 기록된 데이터를 재생하기 위한 클럭의 생성에 관한 것으로, 구체적으로는 입력신호에 동기된 안정적인 클럭을 생성하기 위한 주파수 검출장치 및 방법과, 이에 사용되는 신호증폭필터에 관한 것이다. 본 발명의 주파수 검출장치는, 소정의 입력신호의 고주파 성분을 필터링하고 필터링한 고주파 성분을 증폭하는 신호증폭필터; 및 상기 고주파 성분이 증폭된 입력신호와 소정의 클럭신호를 수신하여 두 신호간의 주파수 차를 검출하고, 상기 주파수 차에 대응되는 제어전압을 생성하는 주파수 검출기를 포함한다. 본 발명의 주파수 검출장치를 사용하면, 입력 신호의 주파수와 발진 주파수간의 차이가 많이 나는 경우에도 안정적으로 주파수 에러를 구하여 안정적으로 클럭을 생성할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
에러 정정을 위한 부가정보 생성 방법 및 그 장치가 개시되어 있다. 본 발명의 방법은 메세지 워드 길이(m)의 로우와 코드 워드 길이(n)의 칼럼을 갖는 매트릭스에서 칼럼과 로우에 들어가는 1의 개수가 일정하고 나머지 원소는 모두 0인 패리티 체크 매트릭스를 이용하여 부가정보를 생성하는 에러 정정 방법에 있어서, 패리티 체크 매트릭스와 주어진 메세지 데이터를 이용하여 부가정보를 연산하는 단계를 포함하고, 연산 단계에서는 칼럼 및 로우 퍼뮤테션(permutation) 방법을 이용하여 패리티 체크 매트릭스의 n-m+1 번째의 원소부터 k개의 칼럼을 상위 3각형 영역이 0인 하위 3각형 매트릭스 형태를 생성해서 생성된 패리티 체크 매트릭스를 부가정보 연산에 이용함으로써 LDPC(Low Density Parity check Code)를 이용한 부호화 시 부가정보를 효율적으로 계산하고 계산량도 감소한다.
Abstract:
본 발명은 디스크 트랙 성형에 의해 부가 정보가 기록된 디스크형 기록 매체와, 이를 위한 디스크 트랙 성형 방법, 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록 매체에 관한 것으로, 본 발명에 따른 데이터 프레임 단위로 액세스가 가능하며, 디스크 트랙 성형에 의해 기록되는 부가 정보를 갖는 디스크형 기록 매체에 있어서, 데이터 프레임은 복수개의 싱크 프레임을 포함하며, 상기 싱크 프레임의 수는 상기 디스크형 기록 매체의 최내주의 길이를 고려하여 결정되는 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 디스크형 기록 매체에 이러한 포맷의 데이터 프레임을 사용함으로써, 디스크의 소형화에 따른 부가 정보 검출 성능이 저하되는 것을 방지하는 것이 가능하다는 효과를 가진다.
Abstract:
본 발명은 광기록매체 재생시의 선택적 외란 보상 장치 및 3T 보정 방법에 관한 것으로서, 광 기록 매체로부터 독출된 신호를 재생하는 신호 재생 장치는, n 개의 검출기로 이뤄진 다중 검출부; 및 상기 다중 검출부 중 한 검출기를 선택해, 그 검출기를 통해 상기 독출 신호가 이진 신호로 검출되도록 하는 제어부를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광 기록매체에서 독출한 신호를 검출하기 위해 복수개의 검출기를 사용함으로써 신호와 검출기 조건 등을 고려해 최적의 검출기를 선택할 수 있고 그에 따라 신호 재생 효율을 높일 수 있다.
Abstract:
An operation method of a charge trap flash memory device is provided to assure stability of an erase state by preventing opposite charges from being left in a charge trap layer in an erase state. According to an operation method of performing erase operation in a charge trap flash memory device having a charge trap layer, erase operation is performed by applying a composite pulse of a DC pulse and a DC perturbation pulse to the charge trap flash memory device. The composite pulse has the DC perturbation pulse following the DC pulse. The DC perturbation pulse has a DC level with an opposite polarity to the DC pulse. The amplitude of the DC level of the DC perturbation pulse is smaller than the DC pulse.
Abstract:
본 발명은 광디스크에서 읽어낸 신호의 결함 여부를 검출하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 광 디스크 신호의 결함신호 발생장치는 소정의 RF 신호를 입력받고, 소정의 기간간격 동안 입력받은 상기 RF 신호의 최대값의 평균값인 평균최대값을 구하는 평균최대값 검출부, 상기 RF 신호를 입력받고, 소정의 기간간격 동안 입력받은 상기 RF 신호의 최소값의 평균값인 평균최소값을 구하는 평균최소값 검출부, 상기 RF 신호를 입력받고, 입력받는 당시의 상기 RF 신호의 최대값인 순시최대값을 구하는 순시최대값 검출부, 상기 RF 신호를 입력받고, 입력받는 당시의 상기 RF 신호의 최소값인 순시최소값을 구하는 순시최소값 검출부 및 상기 평균최대값, 상기 평균최소값, 상기 순시최대값, 상기 순시최소값을 제공받고, 소정의 상위 문턱값 및 하위 문턱값을 기준으로 상기 RF 신호가 비정상임을 나타내는 결함신호를 발생시키는 결함신호 발생부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 결함 신호를 정확히 판별할 수 있을 뿐만 아니라 결함 신호를 판별하는 조건을 조절할 수 있기 때문에 디스크 조건에 따라 원하는 사양에 맞는 결함 신호를 검출할 수 있다.
Abstract:
A method of reproducing data from an optical information storage medium is provided to confirm data recording modulation methods of a lead in area and of a user data area to a recording modulation method of the optical information storage so as to record much data and to reduce access time to the drive. Data is played from an optical information storage having a lead in area(10), a user data area(13), and a lead out area(15). The data recorded by a first recording modulation method is played in an entire or part of the lead in area. The data recorded by a second recording modulation method different from the first recording modulation method is played in the user data area. The optical information storage related information is recorded in the entire or part of the lead in area.
Abstract:
본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 제 1 선택 트랜지스터, 제 2 선택 트랜지스터, 그리고 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터들 사이에 직렬 연결된 메모리 셀들을 포함하는 적어도 하나의 스트링을 갖는 제 1 기판과; 그리고 제 1 선택 트랜지스터, 제 2 선택 트랜지스터, 그리고 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터들 사이에 직렬 연결된 메모리 셀들을 포함하는 적어도 하나의 스트링을 갖는 제 2 기판을 포함하며, 상기 제 1 기판의 스트링에 속하는 메모리 셀들의 수는 상기 제 2 기판의 스트링에 속하는 메모리 셀들의 수와 다르다.