불휘발성 메모리 장치, 그것의 소거 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
    71.
    发明公开
    불휘발성 메모리 장치, 그것의 소거 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 无效
    非易失性存储器件,其擦除方法和包括其的存储器系统

    公开(公告)号:KR1020120078959A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:KR1020110000277

    申请日:2011-01-03

    Inventor: 심재성 최정달

    CPC classification number: G11C16/344 G11C16/0483 G11C16/14 G11C16/3418

    Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device, an erasing method thereof, and a memory system including the same are provided to improve reliability by preventing ground selection transistors and string selection transistors from being programmed in an erase operation. CONSTITUTION: A plurality of cell strings comprise a plurality of cell transistors which are vertically laminated on a substrate. A target voltage with a target level is generated(S110). An erase voltage with a level which gradually increases up to the target level is generated based on the generated target voltage(S120). The erase voltage is supplied to the substrate(S130). A word line erase voltage is supplied to a plurality of word lines connected to a plurality of cell transistors.

    Abstract translation: 目的:提供一种非易失性存储器件及其擦除方法和包括该非易失性存储器件的存储器系统,以通过在擦除操作中防止接地选择晶体管和串选择晶体管被编程来提高可靠性。 构成:多个单元串包括垂直层叠在基板上的多个单元晶体管。 产生具有目标电平的目标电压(S110)。 基于产生的目标电压产生具有逐渐增加到目标电平的电平的擦除电压(S120)。 擦除电压被提供给基板(S130)。 字线擦除电压被提供给连接到多个单元晶体管的多个字线。

    신호 특성 결정 방법 및 그 장치
    72.
    发明授权
    신호 특성 결정 방법 및 그 장치 有权
    用于确定信号特性的装置和方法

    公开(公告)号:KR101044939B1

    公开(公告)日:2011-06-28

    申请号:KR1020040067191

    申请日:2004-08-25

    CPC classification number: G11B20/10009 G11B2020/10555

    Abstract: 신호 특성 결정 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명에 의한 신호 특성 결정 장치는, RF 신호 및 상기 RF 신호를 이치화하여 얻은 이진 데이터를 입력받아, 상기 이진 데이터를 이용하여 상기 RF 신호의 각 샘플값을 레벨 별로 분류하기 위한 선택 신호를 생성하고, 상기 선택 신호를 이용하여 상기 RF 신호의 샘플 값들을 레벨 별로 분류한 후 각 레벨별 샘플 값들의 평균값을 출력하는 레벨 검출부; 및 상기 각 레벨별 샘플 값들의 평균값을 이용하여 상기 RF 신호의 특성을 나타내는 소정의 특성 값을 연산하는 신호특성 결정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, RF 신호의 특성을 나타내는 소정의 특성값들을 보다 정확하게 결정할 수 있다.

    광 디스크의 클럭 생성을 위한 주파수 검출장치 및 방법
    73.
    发明授权
    광 디스크의 클럭 생성을 위한 주파수 검출장치 및 방법 失效
    用于时钟产生光盘的频率检测装置和方法

    公开(公告)号:KR100940204B1

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:KR1020030030361

    申请日:2003-05-13

    Inventor: 박현수 심재성

    CPC classification number: G11B20/10046 G11B20/1403

    Abstract: 본 발명은 광 디스크에 기록된 데이터를 재생하기 위한 클럭의 생성에 관한 것으로, 구체적으로는 입력신호에 동기된 안정적인 클럭을 생성하기 위한 주파수 검출장치 및 방법과, 이에 사용되는 신호증폭필터에 관한 것이다. 본 발명의 주파수 검출장치는, 소정의 입력신호의 고주파 성분을 필터링하고 필터링한 고주파 성분을 증폭하는 신호증폭필터; 및 상기 고주파 성분이 증폭된 입력신호와 소정의 클럭신호를 수신하여 두 신호간의 주파수 차를 검출하고, 상기 주파수 차에 대응되는 제어전압을 생성하는 주파수 검출기를 포함한다. 본 발명의 주파수 검출장치를 사용하면, 입력 신호의 주파수와 발진 주파수간의 차이가 많이 나는 경우에도 안정적으로 주파수 에러를 구하여 안정적으로 클럭을 생성할 수 있는 효과가 있다.

    에러 정정을 위한 부가정보 생성 방법 및 그 장치
    74.
    发明授权
    에러 정정을 위한 부가정보 생성 방법 및 그 장치 失效
    产生用于纠错的奇偶校验信息的方法及其装置

    公开(公告)号:KR100936022B1

    公开(公告)日:2010-01-11

    申请号:KR1020020082091

    申请日:2002-12-21

    CPC classification number: H03M13/1182

    Abstract: 에러 정정을 위한 부가정보 생성 방법 및 그 장치가 개시되어 있다. 본 발명의 방법은 메세지 워드 길이(m)의 로우와 코드 워드 길이(n)의 칼럼을 갖는 매트릭스에서 칼럼과 로우에 들어가는 1의 개수가 일정하고 나머지 원소는 모두 0인 패리티 체크 매트릭스를 이용하여 부가정보를 생성하는 에러 정정 방법에 있어서, 패리티 체크 매트릭스와 주어진 메세지 데이터를 이용하여 부가정보를 연산하는 단계를 포함하고, 연산 단계에서는 칼럼 및 로우 퍼뮤테션(permutation) 방법을 이용하여 패리티 체크 매트릭스의 n-m+1 번째의 원소부터 k개의 칼럼을 상위 3각형 영역이 0인 하위 3각형 매트릭스 형태를 생성해서 생성된 패리티 체크 매트릭스를 부가정보 연산에 이용함으로써 LDPC(Low Density Parity check Code)를 이용한 부호화 시 부가정보를 효율적으로 계산하고 계산량도 감소한다.

    디스크 트랙 성형에 의해 부가 정보가 기록된 디스크형기록 매체와, 이를 위한 디스크 트랙 성형 방법, 및 이를구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록 매체
    75.
    发明授权
    디스크 트랙 성형에 의해 부가 정보가 기록된 디스크형기록 매체와, 이를 위한 디스크 트랙 성형 방법, 및 이를구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록 매체 失效
    基于以上所述的信息,本发明人可以通过使用本发明的方法来解决上述问题,但本发明并不局限于此,而是可以通过使用本发明的方法来实现。

    公开(公告)号:KR100930241B1

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:KR1020030032087

    申请日:2003-05-20

    Abstract: 본 발명은 디스크 트랙 성형에 의해 부가 정보가 기록된 디스크형 기록 매체와, 이를 위한 디스크 트랙 성형 방법, 및 이를 구현하기 위한 프로그램이 기록된 기록 매체에 관한 것으로, 본 발명에 따른 데이터 프레임 단위로 액세스가 가능하며, 디스크 트랙 성형에 의해 기록되는 부가 정보를 갖는 디스크형 기록 매체에 있어서, 데이터 프레임은 복수개의 싱크 프레임을 포함하며, 상기 싱크 프레임의 수는 상기 디스크형 기록 매체의 최내주의 길이를 고려하여 결정되는 것을 특징으로 한다.
    이와 같이, 디스크형 기록 매체에 이러한 포맷의 데이터 프레임을 사용함으로써, 디스크의 소형화에 따른 부가 정보 검출 성능이 저하되는 것을 방지하는 것이 가능하다는 효과를 가진다.

    Abstract translation: 其上通过在其上形成盘轨道来记录信息的盘型记录介质,形成盘轨道的方法以及用于记录执行该方法的程序的记录介质。 在上述媒体和方法中,数据访问可以以数据帧单位呈现。 盘型记录介质包括由多个同步帧组成的数据帧。 根据盘型记录介质的最内圆周的长度确定同步帧的总数。 因此,即使当记录介质小型化时,以这种数据帧格式记录附加信息也防止了检测附加信息的速率的降低。

    전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 작동 방법
    77.
    发明公开
    전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 작동 방법 有权
    充电捕捉闪存存储器的操作方法

    公开(公告)号:KR1020080079977A

    公开(公告)日:2008-09-02

    申请号:KR1020070087691

    申请日:2007-08-30

    CPC classification number: G11C16/14 G11C16/0483 G11C16/344 H01L27/11568

    Abstract: An operation method of a charge trap flash memory device is provided to assure stability of an erase state by preventing opposite charges from being left in a charge trap layer in an erase state. According to an operation method of performing erase operation in a charge trap flash memory device having a charge trap layer, erase operation is performed by applying a composite pulse of a DC pulse and a DC perturbation pulse to the charge trap flash memory device. The composite pulse has the DC perturbation pulse following the DC pulse. The DC perturbation pulse has a DC level with an opposite polarity to the DC pulse. The amplitude of the DC level of the DC perturbation pulse is smaller than the DC pulse.

    Abstract translation: 提供电荷捕捉闪存器件的操作方法,以通过防止在擦除状态下的电荷陷阱层中相反的电荷被保留以确保擦除状态的稳定性。 根据在具有电荷陷阱层的电荷阱闪存器件中执行擦除操作的操作方法,通过将DC脉冲和DC扰动脉冲的复合脉冲施加到电荷陷阱闪存器件来执行擦除操作。 复合脉冲具有跟随DC脉冲的直流扰动脉冲。 DC扰动脉冲具有与DC脉冲具有相反极性的DC电平。 DC扰动脉冲的DC电平的幅度小于DC脉冲。

    광 디스크의 결함신호 발생장치 및 그 방법
    78.
    发明授权
    광 디스크의 결함신호 발생장치 및 그 방법 有权
    产生光盘缺陷信号的方法及其装置

    公开(公告)号:KR100850707B1

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:KR1020020029556

    申请日:2002-05-28

    Inventor: 박현수 심재성

    CPC classification number: G11B7/00375 G11B20/1816 G11B27/36 G11B2220/20

    Abstract: 본 발명은 광디스크에서 읽어낸 신호의 결함 여부를 검출하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 광 디스크 신호의 결함신호 발생장치는 소정의 RF 신호를 입력받고, 소정의 기간간격 동안 입력받은 상기 RF 신호의 최대값의 평균값인 평균최대값을 구하는 평균최대값 검출부, 상기 RF 신호를 입력받고, 소정의 기간간격 동안 입력받은 상기 RF 신호의 최소값의 평균값인 평균최소값을 구하는 평균최소값 검출부, 상기 RF 신호를 입력받고, 입력받는 당시의 상기 RF 신호의 최대값인 순시최대값을 구하는 순시최대값 검출부, 상기 RF 신호를 입력받고, 입력받는 당시의 상기 RF 신호의 최소값인 순시최소값을 구하는 순시최소값 검출부 및 상기 평균최대값, 상기 평균최소값, 상기 순시최대값, 상기 순시최소값을 제공받고, 소정의 상위 문턱값 및 하위 문턱값을 기준으로 상기 RF 신호가 비정상임을 나타내는 결함신호를 발생시키는 결함신호 발생부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따르면 결함 신호를 정확히 판별할 수 있을 뿐만 아니라 결함 신호를 판별하는 조건을 조절할 수 있기 때문에 디스크 조건에 따라 원하는 사양에 맞는 결함 신호를 검출할 수 있다.

    광정보 저장매체의 데이터 재생 방법
    79.
    发明公开
    광정보 저장매체의 데이터 재생 방법 有权
    从光信息存储媒体重现数据的方法

    公开(公告)号:KR1020080051120A

    公开(公告)日:2008-06-10

    申请号:KR1020080044730

    申请日:2008-05-14

    Abstract: A method of reproducing data from an optical information storage medium is provided to confirm data recording modulation methods of a lead in area and of a user data area to a recording modulation method of the optical information storage so as to record much data and to reduce access time to the drive. Data is played from an optical information storage having a lead in area(10), a user data area(13), and a lead out area(15). The data recorded by a first recording modulation method is played in an entire or part of the lead in area. The data recorded by a second recording modulation method different from the first recording modulation method is played in the user data area. The optical information storage related information is recorded in the entire or part of the lead in area.

    Abstract translation: 提供一种从光信息存储介质再现数据的方法,用于确认数据记录领域和用户数据区域的调制方法,以便记录光信息存储的调制方法,以便记录大量数据并减少访问 时间到驱动器。 从具有导入区域(10),用户数据区域(13)和导出区域(15)的光学信息存储器播放数据。 通过第一记录调制方法记录的数据在整个或部分引导区域中播放。 在用户数据区域中播放由与第一记录调制方法不同的第二记录调制方法记录的数据。 光信息存储相关信息被记录在整个或部分领先区域中。

    3차원 어레이 구조를 갖는 반도체 메모리 장치
    80.
    发明授权
    3차원 어레이 구조를 갖는 반도체 메모리 장치 失效
    具有三维阵列结构的半导体存储器件

    公开(公告)号:KR100813618B1

    公开(公告)日:2008-03-17

    申请号:KR1020060069892

    申请日:2006-07-25

    Abstract: 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 제 1 선택 트랜지스터, 제 2 선택 트랜지스터, 그리고 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터들 사이에 직렬 연결된 메모리 셀들을 포함하는 적어도 하나의 스트링을 갖는 제 1 기판과; 그리고 제 1 선택 트랜지스터, 제 2 선택 트랜지스터, 그리고 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터들 사이에 직렬 연결된 메모리 셀들을 포함하는 적어도 하나의 스트링을 갖는 제 2 기판을 포함하며, 상기 제 1 기판의 스트링에 속하는 메모리 셀들의 수는 상기 제 2 기판의 스트링에 속하는 메모리 셀들의 수와 다르다.

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