화학 증착 시스템에서 배출되는 미반응 유독가스의 정화 장치및 방법
    71.
    发明授权
    화학 증착 시스템에서 배출되는 미반응 유독가스의 정화 장치및 방법 失效
    用于净化化学蒸气沉积系统中排出的不需要的危险气体的装置和方法

    公开(公告)号:KR100238387B1

    公开(公告)日:2000-01-15

    申请号:KR1019980000641

    申请日:1998-01-13

    Abstract: 화학 증착 시스템에서 배출되는 미반응 유독가스의 정화 장치에 있어서, 유기 화합물의 연소를 위한 니크롬선이 내장된 열분해 시스템과, 용해성 가스를 제거할 수 있는 향류 접촉식 물세척 시스템으로 이루어지며, 상기 열분해 시스템과 상기 물세척 시스템은 상호 연결되어 있는, 소형 화학 증착 시스템의 배기가스 처리에 적합한 다단식 배기가스 정화 장치, 및 이러한 장치를 사용한 배기가스 정화 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따라 특별한 구동 장치 없이도 복합 성분으로 이루어진 유기 화합물을 고효율로 처리하는 것이 가능하며, 열분해 시스템의 구성이 극히 간단하여 스위치의 개폐에 의해서도 장치의 작동이 가능하고, 장치가 소형이고 간단하므로 유지비가 저렴하다.

    유동상을 이용한 간접 가열식 유류 오염 토양의 열 탈착 처리방법 및 장치
    72.
    发明公开
    유동상을 이용한 간접 가열식 유류 오염 토양의 열 탈착 처리방법 및 장치 失效
    使用流化床对间接加热油污染土壤进行热解吸处理的方法和设备

    公开(公告)号:KR1019990073768A

    公开(公告)日:1999-10-05

    申请号:KR1019980006879

    申请日:1998-03-03

    Abstract: 본 발명은 유류 등으로 오염된 토양을 유동상을 이용 열 탈착하여 정화 처리하는 데 있어서 탈착 가스를 주기적으로 공급하여 토양에 흡착되어 있는 유류를 탈착하는 데 필요한 가스의 총량을 저감시키고, 반응기 자체의 탈착 효율을 처리 가스 연속 공급시와 거의 같게 할 수 있는 열 탈착 처리 장치를 제공하는 것으로서, 별도의 구동 장치를 요하지 않으면서도 연소열이 고효율로 탈착기에 전달되며, 유동상 처리 장치는 주기적으로 조작되므로 폐가스의 발생량을 원천적으로 억제할 수 있다.

    질화규소막(Si_3N_4) 또는 산화규소막(SiO_2)으로 코팅된 고온용 흑연 실험 용기 및 그의 제작 방법
    73.
    发明授权
    질화규소막(Si_3N_4) 또는 산화규소막(SiO_2)으로 코팅된 고온용 흑연 실험 용기 및 그의 제작 방법 失效
    用于高温硅酸盐或氧化硅涂料的高温实验用石墨容器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100120018B1

    公开(公告)日:1997-10-27

    申请号:KR1019940017484

    申请日:1994-07-20

    Abstract: Process for coating nitride or silicone oxide on a graphite laboratory vessel for a high temperature by a chemical vapor deposition is described. Thus, the process is composed of i)building a graphite in a shape they want, ii)coating the formed graphite by using SiH4/H2 gas at 250-400 deg.C at 1-10 Torr in a low pressure chemical vapor deposition reactor to give silicon oxide film or by using SiH4/H2/NH3 gas at 300-400 deg.C in 0.1-0.5 Torr at 50-100 W of electric power in a plasma enhanced chemical vapor deposition reactor to give silicon nitride film, iii)heat processing in nitrogen or oxygen atmosphere at 600-900 deg.C for 1 hr.

    Abstract translation: 描述了通过化学气相沉积在石墨实验室容器上涂覆高温的氮化物或氧化硅的方法。 因此,该方法由以下组成:i)以所需形状构造石墨,ii)在低压化学气相沉积反应器中在1-10托的250-400℃下使用SiH4 / H2气体涂覆形成的石墨 在等离子体增强化学气相沉积反应器中,在50〜100W的功率下,在0.3-4.0摄氏度下使用SiH4 / H2 / NH3气体,在0.1-0.5乇下,得到氮化硅膜,iii) 在氮气或氧气氛中在600-900℃下加热处理1小时。

    다단 기체-고체 접촉장치
    74.
    发明公开
    다단 기체-고체 접촉장치 失效
    多级气固接触装置

    公开(公告)号:KR1019970020138A

    公开(公告)日:1997-05-28

    申请号:KR1019950035388

    申请日:1995-10-13

    Abstract: 본 발명은 기체-고체 접촉장치에 관한 것이다. 종래에도 다양한 종류의 기체-고체 접촉장치가 안출되어 있으나, 이들은 기체-고체 접촉효율이 저하되거나 압력강하가 발생되고, 고체입자의 제류량분포의 제어가 어렵고, 고체입자의 크기 및 입자강도의 범위에 한계가 있었다. 본 발명은 수직으로 설치되는 통형의 접촉장치 본체에 상부로부터 고체입자를 투입하여 낙하시키면서 기체를 하부측에서 상부로 상향 유통시킴과 아울러 본체 내부에는 다단의 제어밸브를 설치하여 이 제어밸브의 상,하부측 압력을 측정하여 그 차압에 따라 제어밸브의 개폐정도를 제어함으로써 기체-고체의 접촉효율이 향상되고 압력의 강하가 배제되며 고체입자의 크기와 입자 강도의 범위에 한계가 없게 되며 고체입자의 체류량을 최적한 상태로 제어할 수 있도록 한 것이다.

    플러렌을 전구체로 이용하는 대면적 그래핀의 제조방법
    79.
    发明公开
    플러렌을 전구체로 이용하는 대면적 그래핀의 제조방법 审中-实审
    使用富勒烯作为前体的大面积石墨烯的制造方法

    公开(公告)号:KR1020170109938A

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:KR1020160034183

    申请日:2016-03-22

    Abstract: 본발명은플러렌(C)을전구체로이용하는대면적그래핀의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는실리콘기판표면의이산화실리콘막상에스퍼터법으로금속촉매인니켈박막을적층하는단계; 플러렌을전구체로사용하여진공열증착법으로상기니켈박막상에분해된플러렌의박막을적층하는단계; 및상기적층된구조체를어닐링하여다층의시트형그래핀을얻는단계;를포함함으로써, 종래의식각공정및 전이공정을거치지않으므로공정이단순하고친환경적이며, 조각형태의그래핀이아닌대면적시트형그래핀을효과적으로제조할수 있는장점이있다.

    Abstract translation: 本发明包括:沉积镍金属催化剂的薄膜的步骤,涉及使用富勒烯(C)作为前体产生的区域的石墨烯haneundae的方法,并且更具体地,涉及在硅衬底表面上形成二氧化硅膜的溅射方法; 使用富勒烯作为前体,通过真空热蒸镀在镍薄膜上沉积分解的富勒烯薄膜; 并获得通过退火多层的片状石墨烯,所述堆叠结构;通过包括,并且因此通过常规蚀刻工艺和过渡过程去,这个过程是简单的和环境友好的,在是的非针大型片状石墨的形式的片 可以有效地制造。

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