Abstract:
화학 증착 시스템에서 배출되는 미반응 유독가스의 정화 장치에 있어서, 유기 화합물의 연소를 위한 니크롬선이 내장된 열분해 시스템과, 용해성 가스를 제거할 수 있는 향류 접촉식 물세척 시스템으로 이루어지며, 상기 열분해 시스템과 상기 물세척 시스템은 상호 연결되어 있는, 소형 화학 증착 시스템의 배기가스 처리에 적합한 다단식 배기가스 정화 장치, 및 이러한 장치를 사용한 배기가스 정화 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따라 특별한 구동 장치 없이도 복합 성분으로 이루어진 유기 화합물을 고효율로 처리하는 것이 가능하며, 열분해 시스템의 구성이 극히 간단하여 스위치의 개폐에 의해서도 장치의 작동이 가능하고, 장치가 소형이고 간단하므로 유지비가 저렴하다.
Abstract:
본 발명은 유류 등으로 오염된 토양을 유동상을 이용 열 탈착하여 정화 처리하는 데 있어서 탈착 가스를 주기적으로 공급하여 토양에 흡착되어 있는 유류를 탈착하는 데 필요한 가스의 총량을 저감시키고, 반응기 자체의 탈착 효율을 처리 가스 연속 공급시와 거의 같게 할 수 있는 열 탈착 처리 장치를 제공하는 것으로서, 별도의 구동 장치를 요하지 않으면서도 연소열이 고효율로 탈착기에 전달되며, 유동상 처리 장치는 주기적으로 조작되므로 폐가스의 발생량을 원천적으로 억제할 수 있다.
Abstract:
Process for coating nitride or silicone oxide on a graphite laboratory vessel for a high temperature by a chemical vapor deposition is described. Thus, the process is composed of i)building a graphite in a shape they want, ii)coating the formed graphite by using SiH4/H2 gas at 250-400 deg.C at 1-10 Torr in a low pressure chemical vapor deposition reactor to give silicon oxide film or by using SiH4/H2/NH3 gas at 300-400 deg.C in 0.1-0.5 Torr at 50-100 W of electric power in a plasma enhanced chemical vapor deposition reactor to give silicon nitride film, iii)heat processing in nitrogen or oxygen atmosphere at 600-900 deg.C for 1 hr.
Abstract:
본 발명은 기체-고체 접촉장치에 관한 것이다. 종래에도 다양한 종류의 기체-고체 접촉장치가 안출되어 있으나, 이들은 기체-고체 접촉효율이 저하되거나 압력강하가 발생되고, 고체입자의 제류량분포의 제어가 어렵고, 고체입자의 크기 및 입자강도의 범위에 한계가 있었다. 본 발명은 수직으로 설치되는 통형의 접촉장치 본체에 상부로부터 고체입자를 투입하여 낙하시키면서 기체를 하부측에서 상부로 상향 유통시킴과 아울러 본체 내부에는 다단의 제어밸브를 설치하여 이 제어밸브의 상,하부측 압력을 측정하여 그 차압에 따라 제어밸브의 개폐정도를 제어함으로써 기체-고체의 접촉효율이 향상되고 압력의 강하가 배제되며 고체입자의 크기와 입자 강도의 범위에 한계가 없게 되며 고체입자의 체류량을 최적한 상태로 제어할 수 있도록 한 것이다.