公开(公告)号：KR100295617B1

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1019980057576

申请日：1998-12-23

Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원 ,  철강융합신기술연구조합

Inventor： 박형국 ,  정재인

IPC: C23C14/35

Abstract: 본 발명은 진공 증착법 중의 하나인 마그네트론 스퍼터링에서 타겟 주위에 이온과 전자를 공급시켜 고진공에서도 마그네트론 스퍼터링을 작동시킬 수 있도록 한 고진공 마그네트론 스퍼터링방법에 관한 것으로, 마그네트론 스퍼터링장치를 사용하여 마그네트론 스퍼터링 작업을 행함에 있어서, 타겟(18)을 향하여 설치되어 방전가스를 공급하는 가스주입구(12)의 주위에 필라멘트(9)를 설치하고, 상기 필라멘트(9)의 주위에 양극(8)과 영구자석(7)을 설치한 후, 상기 필라멘트(9)에 전원을 공급하고 상기 양극(8)에 전압을 공급함으로써, 상기 필라멘트(9)에서 발생되는 전자와 상기 영구자석(7)의 자기장에 의해 이온화된 방전가스 이온이 상기 타겟(18)을 향하여 공급되도록 함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010017223A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990032613

申请日：1999-08-09

Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 정재인 ,  박형국

IPC: C01G23/00 ,  C23C14/06

CPC classification number: C01B21/076 ,  C01G23/00 ,  C23C14/0641

Abstract: PURPOSE: A method for preparing titanium nitride thin film is provided which is able to prevent deterioration of characteristics thereof such as an adhesive property and brightness of color according to distance increase between evaporation source and base plate. CONSTITUTION: The titanium nitride thin film is prepared by using a sputtering evaporation source having a titanium target and a glow discharge under a mixture gas of an inert gas and a reactive gas atmosphere, wherein non-equivalent magnetron sputtering evaporation source is used as the evaporation source and two evaporation sources(2)(2') are placed in opposite side of each other and the strength of the magnetic field at the center part of a base plate(4) is controlled to be more than 15 gauss by inducing a magnetic field of two electromagnets(3)(3') to be put together near the base plate(4) and wrap the base plate(4).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制备氮化钛薄膜的方法，其能够防止根据蒸发源和基板之间的距离增加的颜色的粘合性和亮度等特性的劣化。 构成：通过使用具有钛靶的溅射蒸发源和在惰性气体和反应气体气氛的混合气体下的辉光放电来制备氮化钛薄膜，其中使用非等效磁控溅射蒸发源作为蒸发 源极和两个蒸发源（2）（2'）放置在彼此的相对侧，并且通过诱导磁场将基板（4）的中心部分处的磁场的强度控制为大于15高斯 将两个电磁体（3）（3'）的场放在基板（4）附近并包裹基板（4）。

公开(公告)号：KR100262671B1

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：KR1019970071705

申请日：1997-12-22

Applicant: 철강융합신기술연구조합 ,  재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 박형국 ,  정재인 ,  문종호

IPC: C23C2/00

Abstract: PURPOSE: An evaluation method for the powdering property of a plated steel plate is provided, which can evaluate the powdering property even though the thickness of plated steel plate is changed by using scratch without any additional bending device and can evaluate the property repeatedly, thereby improving the reliability of evaluation. CONSTITUTION: The evaluation method is as follows: (i) form a scratch of a fixed depth on the plated layer of electroplated steel plate by increasing vertical drag force to 0-200 N using diamond tip of scratch tester equipped with sonic wave measuring device for causing ablation of powder (powdering) of plated layer; (ii) quantify the powdering degree by scotch tape; and (iii) evaluate the powdering degree by the quantified degree.

Abstract translation: 目的：提供一种电镀钢板的粉化特性的评价方法，即使在没有任何附加的弯曲装置的情况下，通过刮擦来改变镀覆钢板的厚度，也能够评价粉化性，能够重复地评价其特性， 评估的可靠性。 规定：评估方法如下：（i）通过使用装备有声波测量装置的划痕测试仪的金刚石尖端将垂直牵引力增加至0-200N，在电镀钢板的镀层上形成固定深度的划痕 引起镀层粉末（粉化）的消融; （ii）通过透明胶带量化粉化度; 和（iii）以量化度评估粉化程度。

公开(公告)号：KR1020000041638A

公开(公告)日：2000-07-15

申请号：KR1019980057577

申请日：1998-12-23

Applicant: 재단법인 포항산업과학연구원 ,  철강융합신기술연구조합

Inventor： 박형국 ,  정재인

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/46

CPC classification number: C23C14/0052 ,  C23C14/354 ,  C23C14/46

Abstract: PURPOSE: A sputtering method of high vacuum magnetron using an ion beam is provided to operate a magnetron sputtering in a high vacuum by supplying an ion around a target with using the ion beam. CONSTITUTION: An inside of a vacuum container(1) is filled with 1X10¬-4Torr by injecting an argon gas inside a discharging gas container(9) when the vacuum container(1) is reached about 1X10¬-6Torr by ventilating with a turbo molecular pump. An ion beam(6) is operated and an ion generated from the ion beam(6) is supplied to a target(7) and a substrate(3) at the same time. Because a magnetron sputtering(2) is installed to inclined face of the ion beam(6), the ion generated from the ion beam(6) is sent to the target(7) and the substrate(3) installed in the magnetron sputtering(2). When a voltage over 400V is fed to the target(7) through a voltage feeding device of sputtering(11), a plasma is generated around the target(7) by generating the magnetron sputtering(2). To inject oxygen or nitrogen in a reacting gas container(8) into the vacuum container(1) through the gas inlet(12), an intended thin film of compound is deposited.

Abstract translation: 目的：提供使用离子束的高真空磁控管的溅射方法，通过使用离子束在靶上提供离子来在高真空中操作磁控溅射。 构成：当真空容器（1）通过涡轮通风达到约1X10-6Torr时，通过在排放气体容器（9）内注入氩气，在1×10 -4乇内填充真空容器（1）的内部 分子泵。 操作离子束（6），并且从离子束（6）产生的离子同时被供给到靶（7）和基板（3）。 由于磁控管溅射（2）安装在离子束（6）的倾斜面上，所以从离子束（6）产生的离子被传送到靶（7）和安装在磁控溅射中的基片（3） 2）。 当通过溅射（11）的电压馈送装置将超过400V的电压馈送到目标（7）时，通过产生磁控溅射（2）在靶（7）周围产生等离子体。 为了通过气体入口（12）将反应气体容器（8）中的氧气或氮气注入真空容器（1）中，沉积了预期的化合物薄膜。

公开(公告)号：KR100250212B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019950055023

申请日：1995-12-22

Applicant: 주식회사 포스코 ,  재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 홍재화 ,  정인범 ,  정재인 ,  강정수

IPC: G02B21/00

Abstract: PURPOSE: A determining method of an average crystal grain size is provided to calculate a crystal grain size rapidly and to enable precise quantization by measuring surface shape of a crystal by an atomic force microscopy and by applying a fractal theory to the measured data. CONSTITUTION: A sample is prepared at a fixing plate of an atomic force microscopy, and then, measurement is performed. It is preferrable that measuring range is 10 to 20 times of a crystal grain size. The measured data are amended in lateral and longitudinal directions, and then, value of G(R) at each point to a distance R is calculated by a numerical expression(1). Then, the calculated G(R) is represented as a graph by a coordinate plane. The G(R) has linear shape in range, where the R is small, but the G(R) is saturated in range where R has considerable value. The value of R in boundary region between the two ranges corresponds to a correlation length. This correlation length corresponds to the crystal grain size.

Abstract translation: 目的：提供平均晶粒尺寸的确定方法以快速计算晶粒尺寸，并且通过用原子力显微镜测量晶体的表面形状并通过将分形理论应用于测量数据来实现精确的量化。 构成：在原子力显微镜的固定板上制备样品，然后进行测量。 优选的是，测量范围是晶粒尺寸的10至20倍。 测量数据沿横向和纵向进行修正，然后通过数值表达式（1）计算每个点处距离R的G（R）值。 然后，所计算的G（R）由坐标平面表示为图形。 G（R）具有线性范围的范围，其中R小，但是G（R）在R具有相当大的值的范围内是饱和的。 两个范围之间的边界区域中的R值对应于相关长度。 该相关长度对应于晶粒尺寸。

公开(公告)号：KR100122233B1

公开(公告)日：1997-09-03

申请号：KR1019930014284

申请日：1993-07-27

Applicant: 주식회사 포스코 ,  재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 정재인 ,  정창영 ,  이영백

IPC: H01L27/142

公开(公告)号：KR1019970042350A

公开(公告)日：1997-07-24

申请号：KR1019950055021

申请日：1995-12-22

Applicant: 주식회사 포스코 ,  재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 정재인 ,  문종호

IPC: C03C4/02 ,  C23C14/08

Abstract: 본 발명은 진공중에서 유리의 표면에 산화막과 반사막을 형성시켜 착색 유리를 제조하는 방법에 관한 것보다 상세하게는 진공중에서 산소가스의 분위기에서 금속인듐을 증발시켜 유리에 산화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 착색유리의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960004270B1

公开(公告)日：1996-03-30

申请号：KR1019930023958

申请日：1993-11-11

Applicant: 주식회사 포스코 ,  재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 정재인 ,  이영백

IPC: C25D13/00

Abstract: The manufacturing method reduces the manufacturing cost by eliminating heat treatment process. The manufacturing method comprises: loading the substrate(5) and facing the metal wire(2) with ionized electrode(3); removing gas to maintain the pressure below 10-5 torr; injecting oxygen gas and applying the voltage to the ionized electrode after preheating a metal wire(2); and depositing a metal oxide film on the substrate(5) after evaporating the metal wire(2).

Abstract translation: 制造方法通过消除热处理工艺来降低制造成本。 该制造方法包括：用电离电极（3）装载基板（5）并面对金属线（2）; 去除气体以保持压力低于10-5乇; 在预热金属线（2）之后注入氧气并向电离电极施加电压; 在金属线（2）蒸发后，在基板（5）上沉积金属氧化物膜。

公开(公告)号：KR1019950014374A

公开(公告)日：1995-06-16

申请号：KR1019930023958

申请日：1993-11-11

Applicant: 주식회사 포스코 ,  재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 정재인 ,  이영백

IPC: C25D13/00

Abstract: 본 발명은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 물질에 코팅되어 전류를 통과시킴으로서 색깔이 가역적으로 변화되는 전색 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 증발물질로서 산화물이 아닌 금속선을 이용하여 증착시킴으로써 제조공정이 간단하고 별도의 열처리공정을 필요로 하지 않고도 화학양론에 맞는 전색박막을 제조하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 물질에 코팅되어 전류인가 여부에 따라 색깔이 가역적을 변화되는 전색 박막을 제조함에 있어서, 증발물질로 금속선을 이용하된 금속선을 일정한 온도로 유지하고, 산화물 박막을 위해 산소개스를 주입하며, 금속선에 음의 바이오스전압을 인가하였으며, 개스 및 증발물의 이온화를 위한 이온화전극이 설치되어 별도의 열처리 공정을 거치지 않고도 원하는 화학양론에 가까운 전이금속 산화물 전색 박막의 제조방법을 그 요지로 한다.

公开(公告)号：KR1019950004779B1

公开(公告)日：1995-05-10

申请号：KR1019920026465

申请日：1992-12-30

Applicant: 주식회사 포스코 ,  재단법인 포항산업과학연구원

Inventor： 정재인 ,  이영백

IPC: C23C14/22

Abstract: The method improves adherence of black-colored hard film by controlling gas content during active ion plating process. The method comprises (A) evaporating titanium from the source (2) and ionizing the titanium using ionized electrode (3); and (B) forming black-colored film on the substrate (5) by feeding gas and heating the substrate to 700≦̸C using heating device (7).

Abstract translation: 该方法通过控制活性离子电镀过程中的气体含量来提高黑色硬膜的粘附性。 该方法包括（A）从源（2）蒸发钛并使用电离电极（3）离子化钛。 和（B）通过供给气体在基板（5）上形成黑色膜，并使用加热装置（7）将基板加热至700℃。