公开(公告)号：KR100799570B1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：KR1020060053897

申请日：2006-06-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박래만 ,  김상협 ,  맹성렬 ,  박종혁

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/602 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16

Abstract: 본 발명은 기판 상에 비촉매 금속 아일랜드를 형성하고, 상기 비촉매 금속 아일랜드 주위를 둘러싸게 촉매 금속 도넛을 형성하고, 상기 촉매 금속 도넛 상에 실리콘 나노튜브를 성장시켜 실리콘 나노튜브를 제조한다. 본 발명은 촉매 금속 도넛을 이용하여 실리콘 나노튜브를 효과적으로 성장시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070119358A

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：KR1020060053897

申请日：2006-06-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박래만 ,  김상협 ,  맹성렬 ,  박종혁

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/602 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16

Abstract: A method for manufacturing silicon nanotubes is provided to produce silicon nanotubes more effectively by growing silicon nanotubes using doughnut-shape catalytic metal. A method for manufacturing silicon nanotubes includes the steps of: forming non-catalytic metal islands(104) on a substrate(100); forming catalytic metal doughnuts(106) to surround the non-catalytic metal islands; and growing silicon nanotubes(108) on the catalytic metal doughnuts. The non-catalytic metal island is formed by forming a non-catalytic metal layer on the substrate, followed by heat-treating the non-catalytic metal layer. Further, the non-catalytic metal layer is chrome, platinum or vanadium.

Abstract translation: 提供一种制造硅纳米管的方法，通过使用环形催化金属生长硅纳米管，更有效地制造硅纳米管。 制造硅纳米管的方法包括以下步骤：在衬底（100）上形成非催化金属岛（104）; 形成催化金属甜甜圈（106）以包围所述非催化金属岛; 以及在催化金属甜甜圈上生长硅纳米管（108）。 通过在基板上形成非催化金属层，然后对非催化金属层进行热处理，形成非催化金属岛。 此外，非催化金属层是铬，铂或钒。

公开(公告)号：KR1020070083377A

公开(公告)日：2007-08-24

申请号：KR1020060016665

申请日：2006-02-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허철 ,  박래만 ,  신재헌 ,  김경현 ,  김태엽 ,  조관식 ,  성건용

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774

Abstract: A semiconductor light emitting device using silicon nano dots is provided to improve contact force and an electrical characteristic between an electron injection layer and a transparent conductive electrode by forming a metal layer including a metal nano dot between the electron injection layer and the transparent conductive electrode. A light emitting layer(20) emits light. A hole injection layer(10) is formed in the light emitting layer. An electron injection layer(30) is formed in the light emitting layer to confront the hole injection layer. A metal layer(40) includes metal nano dots formed in the electron injection layer. A transparent conductive electrode(50) is formed in the metal layer. The light emitting layer can include an amorphous silicon nitride including silicon nano dots.

Abstract translation: 提供使用硅纳米点的半导体发光器件，通过在电子注入层和透明导电电极之间形成包括金属纳米点的金属层，来提高电子注入层和透明导电电极之间的接触力和电特性。 发光层（20）发光。 在发光层中形成空穴注入层（10）。 在发光层中形成电子注入层（30），以面对空穴注入层。 金属层（40）包括在电子注入层中形成的金属纳米点。 在金属层中形成透明导电电极（50）。 发光层可以包括包含硅纳米点的非晶氮化硅。

公开(公告)号：KR100723882B1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：KR1020060053896

申请日：2006-06-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박래만 ,  김상협 ,  박종혁 ,  맹성렬

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 기판 상에 실리콘 나노점을 갖는 실리콘 나노점 박막을 형성하고, 상기 실리콘 나노점을 핵생성층으로 하여 상기 실리콘 나노점 박막 상에서 실리콘 나노 와이어를 성장시킨다. 본 발명은 금속 촉매 아일랜드를 사용하지 않고 실리콘 질화물 기저체 내에 실리콘 나노점이 형성된 실리콘 나노점 박막을 핵생성층으로 하여 실리콘 나노와이어를 제조할 수 있다.

Abstract translation: 本发明是生长在硅纳米点的硅纳米线和所述硅纳米点的薄膜，并且形成具有在衬底上的成核层的纳米硅纳米点的硅薄膜。 本发明能够制造使用硅纳米薄膜硅形成于硅氮化物的基体，而不使用在爱尔兰成核层的金属催化剂纳米点的硅纳米线。

公开(公告)号：KR100714123B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020060014684

申请日：2006-02-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박래만 ,  김태엽 ,  성건용

IPC: H01L33/18

公开(公告)号：KR1020060064477A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050052859

申请日：2005-06-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김경현 ,  박래만 ,  김태엽 ,  성건용

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206

Abstract: 본 발명은 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 발광 소자에서 무기 발광 소자는 투명 전극과 접촉되는 상부 도핑층에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 투명 전극과 상부 도핑층과의 접촉력을 향상시킨 것이고, 또한, 본 발명에 따른 발광 소자에서 유기 발광 소자는 투명 전극이 접촉되는 기판, 특히 플라스틱 기판 상부에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 기판과 투명 전극과의 접촉력을 향상시킨 것이다. 이와 같이 본 발명에 따른 발광 소자는 투명 전극의 접촉력을 개선시킴으로써 층분리를 방지하여 발광 소자의 효율을 개선시키면서 동시에 생산 수율을 향상시킨다.
발광, 소자, 플라즈마, 접촉력

公开(公告)号：KR1020060064460A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050037623

申请日：2005-05-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김태엽 ,  박래만 ,  김경현 ,  성건용

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/26

CPC classification number: H01L33/465 ,  H01L33/34 ,  H01L33/38

Abstract: DBR (Distributed Bragg Reflector)과 n형 도핑층, p형 기판 구조물을 채용한 고효율의 실리콘 발광 소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 메사(mesa)형 p형 기판 구조물이 형성된 기판을 구비한다. 기판상에는 활성층이 형성된다. 활성층은 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가진다. 활성층의 제1 면에는 제1 반사층이 대향하고 있다. 활성층의 제2 면에는 제2 반사층이 대향하고 있다. 제2 반사층은 p형 기판 구조물을 사이에 두고 그 양측에 위치되어 있다. 활성층과 제1 반사층과의 사이에는 n형 도핑층이 개재되어 있다. 제1 전극이 n형 도핑층에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다. 그리고, 제2 전극이 p형 기판 구조물에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다.
실리콘 발광 소자, DBR, n형 도핑층, p형 기판 구조물, 실리콘 나노점

公开(公告)号：KR1020060014476A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063025

申请日：2004-08-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박래만 ,  김경현 ,  김태엽 ,  성건용

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/38

Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘계 또는 질화물계 발광소자에 있어서 발광층 또는 상부 도핑층의 상부면에 복수개의 상부전극을 형성하고, 기판 또는 하부 도핑층의 상부면에 적어도 하나의 하부전극을 형성하여 전극들로 인가되는 전류 퍼짐 특성을 향상시킴으로써, 발광층의 발광 면적을 최대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광층 전면에서 균일한 세기를 가지는 발광을 유도하여 발광소자의 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 발광소자, 발광층, 상부 도핑층, 하부 도핑층, 상부전극, 하부전극

公开(公告)号：KR1020050099739A

公开(公告)日：2005-10-17

申请号：KR1020040024917

申请日：2004-04-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박래만 ,  김태엽 ,  김경현 ,  성건용

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/26

Abstract: 본 발명은 실리콘 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 발광층과 실리콘 발광층에 전압차를 인가하기 위한 전극들을 포함하여 구성된 실리콘 발광소자에 있어서, 실리콘 발광층의 상부와 하부 중 적어도 하나에 실리콘 카본 나이트라이드막을 구비하는 실리콘 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100460504B1

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：KR1020020063423

申请日：2002-10-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상협 ,  박래만 ,  성건용

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a silicon carbide layer having silicon nano-dots is provided to emit a deposition process of an active layer or a passivasion layer and form the silicon nano-dot in the silicon carbide layer by controlling a mixing ratio between silicon carbide and silicon. CONSTITUTION: A mixed pulverulent body is formed in slurry by dissolving silicon carbide powders and silicon powders in the solvent(11). A green body is formed by drying the mixed pulverulent body in a molding frame(12). A mixed target of silicon carbide and silicon is formed by dipping the green body in metallic silicon of high purity(13). The mixed target is loaded into a reaction chamber(14). A silicon carbide layer having silicon nano-dots is deposited on a substrate by irradiating laser beam to the mixed target(15).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有硅纳米点的碳化硅层的方法，以发射活性层或钝化层的沉积过程，并且通过控制碳化硅之间的混合比例来在碳化硅层中形成硅纳米点 和硅。 构成：通过将碳化硅粉末和硅粉末溶解在溶剂（11）中而在浆料中形成混合的粉状体。 通过在模制框架（12）中干燥混合的粉状体来形成生坯。 通过将生坯浸入高纯度金属硅（13）中形成碳化硅和硅的混合靶。 将混合的靶材装载到反应室（14）中。 通过向混合靶（15）照射激光束，将具有硅纳米点的碳化硅层沉积在基板上。