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公开(公告)号：KR1020030069275A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：KR1020020008750
申请日：2002-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an optical integrated circuit is provided to reduce the quantity of an etch byproduct and prevent an incomplete cleaving phenomenon by selectively wet-etching the second clad layer and by dry-etching the first clad layer, a core layer and a substrate. CONSTITUTION: An active device region and a passive device region are defined in a compound substrate(100). The core layer(105a,105b) and the first clad layer(110) are sequentially stacked on the compound substrate. An etch stopper(115) is formed on the first clad layer in the passive device region. A mask pattern for forming a waveguide is formed on the active device region and the passive device region. The passive device region is covered with the first passivation layer. A predetermined thickness of the first clad layer, the core layer and the compound substrate is etched to form an active device waveguide(130) by using the mask pattern in the exposed active device region. The first passivation layer is removed. The second clad layer is formed on the resultant structure. The active device region is covered with the second passivation layer. The second clad layer is wet-etched to expose the mask pattern in the passive device region. The etch stopper is wet-etched to have the type of the mask pattern in the passive device region. The first clad layer, the core layer and the compound substrate are dry-etched by a predetermined thickness to have the mask pattern in the passive device region so that an active device waveguide is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造光学集成电路的方法，以减少蚀刻副产物的量，并通过选择性湿蚀刻第二包覆层来防止不完全的裂开现象，并且通过干蚀刻第一包覆层，芯层和 基质。 构成：在复合衬底（100）中限定有源器件区域和无源器件区域。 核心层（105a，105b）和第一覆盖层（110）依次层叠在复合基板上。 在无源器件区域中的第一覆盖层上形成蚀刻停止器（115）。 在有源器件区域和无源器件区域上形成用于形成波导的掩模图案。 无源器件区域被第一钝化层覆盖。 通过使用暴露的有源器件区域中的掩模图案来蚀刻第一覆盖层，芯层和复合衬底的预定厚度以形成有源器件波导（130）。 去除第一钝化层。 在所得结构上形成第二覆层。 有源器件区域被第二钝化层覆盖。 湿蚀刻第二覆盖层以暴露无源器件区域中的掩模图案。 蚀刻停止器被湿式蚀刻以在无源器件区域中具有掩模图案的类型。 将第一包覆层，芯层和复合衬底干蚀刻预定厚度以在无源器件区域中具有掩模图案，从而形成有源器件波导。
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公开(公告)号：KR1020030065054A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：KR1020020005204
申请日：2002-01-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
CPC classification number: H01S5/026 , H01S5/0265
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an integrated semiconductor optical device is provided, which combines an active waveguide and a passive waveguide efficiently and minimizes waveguide propagation loss. CONSTITUTION: According to the method for combining an active waveguide and a passive waveguide efficiently and minimizing waveguide propagation loss, a stripe type active layer(120b) and a stripe type passive layer(130a) connected to the active layer through a direct butt coupling are formed on an N type substrate(100). An undoped clad layer(155) is formed around the passive layer to form a passive waveguide, and a BRS(Buried Ridge Stripe) type current blocking layer(160,165) is formed around the active layer without ion implantation. And a P type current injection layer(170) is formed on the resulted structure to form an active waveguide.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造集成半导体光学器件的方法，其有效地组合有源波导和无源波导，并使波导传播损耗最小化。 构成：根据有效地组合有源波导和无源波导并最小化波导传播损耗的方法，通过直接对接耦合连接到有源层的条状有源层（120b）和条形无源层（130a） 形成在N型基板（100）上。 在无源层周围形成未掺杂的覆层（155）以形成无源波导，并且在有源层周围形成无离子注入的BRS（埋地岭条纹）型电流阻挡层（160,165）。 并且在所得到的结构上形成P型电流注入层（170）以形成有源波导。
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公开(公告)号：KR1020000018928A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036779
申请日：1998-09-07
IPC: G02F1/39
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light wavelength converter of a cross gain modulation type is provided to make an extinction ratio of a wavelength converting signal greater than that of an input signal irrespective of a wavelength direction. CONSTITUTION: A semiconductor light wavelength converter comprises a preamplifier for amplifying and outputting a data input light signal, a light coupler for inputting an input data light signal outputted from the preamplifier through a first terminal and outputting the wavelength-converted light signal through a second terminal, and a wavelength converting semiconductor light amplifier for receiving a light wavelength converting light source of a continuous wave state and outputting the wave-length signal through the second terminal of the light coupler.
Abstract translation: 目的：提供交叉增益调制型的半导体光波长转换器，使得波长转换信号的消光比大于输入信号的消光比，而不管波长方向如何。 构成：半导体光波长转换器包括用于放大和输出数据输入光信号的前置放大器，用于通过第一端子输入从前置放大器输出的输入数据光信号的光耦合器，并通过第二端子输出波长转换的光信号 以及波长转换半导体光放大器，用于接收连续波状态的光波长转换光源，并通过光耦合器的第二端输出波长信号。
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公开(公告)号：KR100241342B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970039416
申请日：1997-08-19
IPC: H01L31/0232
CPC classification number: G02B6/12002 , G02B6/12007 , G02B2006/12107 , G02B2006/12147
Abstract: 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100194584B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950042600
申请日：1995-11-21
IPC: H01L27/14
Abstract: 본 발명은 반도체 격자 도파로 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 광결합 손실을 작게 하는 반도체 격자 도파로 제조방법은, 기판 위에 코어층과 클레드층을 결정 성장시킨다. 이 결과물 위에 SiN
x 또는 SiO
2 유전체를 전면에 증착한 후 리소그래피 공정으로 격자 형성 부위를 개구한다. 이 개구된 부위에 도파로 진행방향과 평행하게 격자 패턴을 형성시킨 후, 그 격자 형성 부위의 상기 클레드층과 상기 코어층을 식각한다. 이후에 상부 클레드층을 결정성장시켜 제작을 완료한다. 따라서, 본 발명은 다양한 구조의 광집적화 회로에 적용이 수월하고 높은 광결합 효율을 얻을 수 있어 저가격의 광모듈을 제작할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990017960A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041044
申请日：1997-08-26
Abstract: 본 발명은 격자의 방향을 도파로의 방향과 어긋나게 하여 두 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브를 제어하는 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터에 관한 것이다. 본 발명에 의한 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터는 두 도파로와 격자층을 갖는데 두 도파로 사이의 광결합은 격자층에서 발생하며, 따라서 격자가 두 도파로 사이의 평면적 공간상으로 중앙에 위치하지 않고 옆으로 빗나간 상태가 될 경우 두 도파로 사이의 광결합효율이 감소하게 되는 원리를 이용하여 광결합효율을 공간적으로 제어할 수 있고 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970006608B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930027342
申请日：1993-12-11
Abstract: A method for fabricating an optical switch is described that performs an etching process using a self-aligned mask prior to a selective re-growing process. The method includes the steps of forming an n+-InP buffer region 3, n-InGaAsP light pass path layer 4, undoped InP layer 10 and a semi-insulated InP layer 11, depositing SiNx layer 12, forming a pattern for the part where current is applied, performing an etching until the boundary between the undoped InP layer 10 and light pass path layer 4 is exposed, forming a p+-InP layer 13 and p+-InGaAs ohmic contact layer 14 and thus forming n-ohmic layer 1, etching the SiNx layer 12 and then performing a selective etching until the boundary between the light pass path layer 4 and semi-insulated InP layer 11 is exposed, and forming an n-ohmic metal layer 1. Thereby, it is possible to make a total reflection surface, and improve a switching efficiency and ohmic characteristic.
Abstract translation: 描述了一种用于制造光开关的方法，其在选择性再生长处理之前使用自对准掩模进行蚀刻处理。 该方法包括以下步骤：形成n + -InP缓冲区3，n-InGaAsP光通路层4，未掺杂InP层10和半绝缘InP层11，沉积SiNx层12，形成电流 进行蚀刻，直到未掺杂的InP层10和光通过层4之间的边界露出，形成p + -InP层13和p + -InGaAs欧姆接触层14，从而形成n欧姆层1，蚀刻 然后进行选择性蚀刻，直到曝光光通路层4和半绝缘InP层11之间的边界，并形成n欧姆金属层1.由此，可以形成全反射面 ，提高开关效率和欧姆特性。
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公开(公告)号：KR1019970004488B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930018145
申请日：1993-09-09
IPC: H01L29/86 , H01L29/8605
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: The present invention provides a method of making a self-aligned semiconductor optical switch using variation of refractivity of optical waveguide by current application. This method includes the steps of: forming on a substrate (1) a light waveguide layer (2), an n-type InP clad layer (3), a p-type InP blocking layer (4) for blocking current, and an n-type InGaAs cap layer (5); selectively etching the cap layer (5) forming a reflecting surface to be in a groove shape and diffusing Zn all over the surface; depositing a p-type electrode (6) on the cap layer (5); and etching the cap layer (5), the p-type InP blocking layer (4), the clad layer (3), and depositing an n-type electrode (7) under the substrate (1).
Abstract translation: 本发明提供一种使用当前应用的光波导的折射率变化来制作自对准半导体光开关的方法。 该方法包括以下步骤：在基板（1）上形成光波导层（2），n型InP包覆层（3），用于阻断电流的p型InP阻挡层（4），以及n 型InGaAs覆盖层（5）; 选择性地将形成反射面的盖层（5）蚀刻成沟槽形状并使Zn全部在表面上扩散; 在所述盖层（5）上沉积p型电极（6）; 蚀刻所述盖层（5），所述p型InP阻挡层（4），所述覆盖层（3），以及在所述基板（1）的下方沉积n型电极（7）。
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