公开(公告)号：KR101725112B1

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：KR1020100127787

申请日：2010-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  김성복 ,  류호준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762

Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자는, 제1 상부면, 제1 상부면보다낮은제2 상부면과, 제1 및제2 상부면사이의제1 수직면을포함하는기판, 제1 상부면에형성된제1 소스/드레인영역, 수직면으로부터, 수직면과수직인방향으로제2 상부면과이격되어연장하는제1 나노와이어, 제1 나노와이어의일 측면으로부터, 제1 나노와이어의연장방향과동일한방향으로제2 상부면과이격되어연장하고제2 불순물영역을포함하는제2 나노와이어, 제1 나노와이어상에배치되는게이트전극, 그리고, 제1 나노와이어및 게이트전극사이에개재되는유전체막을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 半导体元件，所述第一顶表面，第一上比棉降低第二顶表面，第一mitje第二基板，包括所述上表面之间的第一垂直平面中，第一源极/漏极形成在所述第一顶表面上的区域，一个垂直表面 从第二顶表面和间隔开的延伸的第一纳米线，从一个第一纳米线，在作为导线的延伸方向与所述第二顶表面垂直于所述方向上分离的垂直平面相同的方向上的第一延伸部处的一个侧 第二纳米线，包括第二杂质区，布置在第一纳米线上的栅电极以及介于第一纳米线和栅电极之间的介电膜。

公开(公告)号：KR1020170014877A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150108873

申请日：2015-07-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  정용덕 ,  한원석

IPC: G02B1/14 ,  G02B1/10

Abstract: 본발명은기계적특성이취약한장파장적외선(long wavelength infrared: LWIR) 광학소재와내 마모성을향상시키기위한경질박막사이의열 스트레스(thermal stress)를완화시키기위한열 완충층(thermal buffer layer)를삽입하는방법을제공한다. 이러한열 완충층은경질박막의균열및 벗겨짐(peeling)을방지하는장점을가진다.

公开(公告)号：KR1020160049433A

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：KR1020150067558

申请日：2015-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  고영호 ,  김동철 ,  김성복 ,  남은수

IPC: H01L33/00

Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드의제조방법에관한것으로, 기판상에순차적으로적층되는제 1 질화물반도체층, 활성층및 제 2 질화물반도체층을포함하는발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들은서로연결되지않는고립된아일랜드형태로배치되어상기제 2 질화물반도체층을부분적으로노출하고, 상기발광구조체상에마스크막들을형성하는것, 및열처리공정을수행하여상기마스크막들에의해노출된상기제 2 질화물반도체층을식각하는것을포함하고, 상기발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들을형성하는것, 및상기열처리공정을수행하는것은동일한장비내에서인-시츄방식(in-situ manner)으로수행되는질화물계발광다이오드의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物基发光二极管的方法。 该方法包括：形成包括依次层叠在基板上的第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构; 通过以彼此不连接的岛状形式设置的掩模膜部分曝光第二氮化物半导体层，并在发光结构上形成掩模膜; 并且通过进行热处理工艺来蚀刻由掩模膜暴露的第二氮化物半导体层，其中形成发光结构，形成掩模膜和进行热处理工艺是在原位进行的 方式在同一设备。

公开(公告)号：KR101616156B1

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：KR1020120018591

申请日：2012-02-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  남은수 ,  문재경 ,  김성복 ,  김해천 ,  주철원 ,  고상춘 ,  임종원 ,  안호균 ,  장우진 ,  박영락

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

Abstract: 본발명은질화물전자소자및 그제조방법에관한것으로서, 상세하게는갈륨(Gallium: Ga), 알루미늄(Aluminum: Al), 인듐(Indium: In) 등의 3족원소및 질소를포함하는 3족질화물(III-Nitride) 반도체전자소자에서사용되는반절연성질화갈륨(GaN)층의재성장기술(Epitaxially Lateral Over-Growth: ELOG)을통해다양한형태의질화물집적구조를동일기판위에구현할수 있는질화물전자소자및그 제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020090035290A

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：KR1020070100496

申请日：2007-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정용덕 ,  최광성 ,  심재식 ,  권용환 ,  김성복 ,  김제하

IPC: H04B10/00 ,  H04B1/50

CPC classification number: H04B10/25759 ,  H04W88/10

Abstract: A method for separating/converting a multiband signal and an apparatus thereof are provided to expand the service available area regardless of the type of an input/output signal by using the first switch and a photo-electric converter. A photoelectric converter(203) converts an optical signal received from the outside into an electric signal. The first switch(205) separates the converted electric signal according to each frequency band. The first mobile communication band amplifier(207) amplifies a signal of the mobile communication band among signals separated by the first switch. A broadband up-converter(209) up-converts the frequency of a baseband signal among the signals separated by the first switch. The first broadband amplifier(211) amplifies the up-converted signal. A transmitter(215) wirelessly transmits signals amplified by the broadband amplifier and a mobile communication amplifier.

Abstract translation: 提供一种用于分离/转换多频带信号的方法及其装置，用于通过使用第一开关和光电转换器来扩展服务可用区域，而不管输入/输出信号的类型如何。 光电转换器（203）将从外部接收的光信号转换为电信号。 第一开关（205）根据每个频带分离转换后的电信号。 第一移动通信频带放大器（207）放大由第一交换机分离的信号中的移动通信频带的信号。 宽带上变换器（209）对由第一交换机分离的信号中的基带信号的频率进行上变频。 第一宽带放大器（211）放大上变频信号。 发射机（215）无线发射由宽带放大器和移动通信放大器放大的信号。

公开(公告)号：KR1020080096634A

公开(公告)日：2008-10-31

申请号：KR1020080086907

申请日：2008-09-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  숭실대학교산학협력단

Inventor： 박경현 ,  임영안 ,  고현성 ,  김동철 ,  심은덕 ,  김성복 ,  김부균 ,  김태영

IPC: H01S5/00 ,  G02B6/13

CPC classification number: H01S5/06258 ,  G02B6/136 ,  H01S5/12

Abstract: A method for generating terahertz waves using a DFB(Distributed feedback) laser device is provided to change difference between two mode frequencies emitted from a multiregional DFB laser device from a low frequency to a THz region by changing period difference of a diffraction grating. A first diffraction grating is formed in a first DFB region including a lower waveguide(102) on a substrate(101), an active layer(110) formed on the lower waveguide, and a waveguide on the active layer. A second diffraction grating is formed in a second DFB region which is separated from the first DFB region and includes the lower waveguide, the active layer, and the upper waveguide on the substrate. A phase tuning section is formed between the first DFB region with the first diffraction grating and the second DFB region with the second diffraction grating. A first oscillating wave and a second oscillating wave are generated in the first and second DFB regions by supplying a first current to the first DFB region with the first diffraction grating and a second current to the second DFB region with the second diffraction grating. The phases of the fist and second oscillating waves are controlled by supplying a phase control current to the phase tuning section. The first and second oscillating waves with controlled phases are photo-mixed.

Abstract translation: 提供了一种使用DFB（分布式反馈）激光装置产生太赫兹波的方法，通过改变衍射光栅的周期差来改变从多波段DFB激光装置发射的两个模式频率从低频到太赫兹区域的差异。 第一衍射光栅形成在包括在基底（101）上的下波导（102），形成在下波导上的有源层（110）和有源层上的波导的第一DFB区域中。 第二衍射光栅形成在与第一DFB区分离并且在衬底上包括下波导，有源层和上波导的第二DFB区中。 在具有第一衍射光栅的第一DFB区域和具有第二衍射光栅的第二DFB区域之间形成相位调谐部分。 通过用第一衍射光栅向第一DFB区域提供第一电流，并且通过用第二衍射光栅向第二DFB区域提供第二电流，在第一和第二DFB区域中产生第一振荡波和第二振荡波。 通过向相位调谐部提供相位控制电流来控制第一和第二振荡波的相位。 具有受控相位的第一和第二振荡波是光混合的。

公开(公告)号：KR1020070059853A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020060049238

申请日：2006-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  한원석 ,  김성복 ,  오대곤

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18366 ,  H01S3/0675 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/3054

Abstract: A DBR(Distributed Bragg Reflector) in a vertical cavity surface emitting laser diode and a manufacturing method thereof, and a vertical cavity surface emitting laser diode are provided to obtain a high reflection factor without an optical loss of photons generated from an active layer by reducing an absorption band. In a DBR in a vertical cavity surface emitting laser diode, an InAlGaAs layer(341) has a predetermined reflection factor and is formed on an InP substrate. A first InAlAs layer(342) of a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(341) is formed on the InAlGaAs layer(341). An InP layer(343) of a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(341) is formed on the first InAlAs layer(342). A second InAlAs layer(344) of a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(341) is formed on the InP layer(343).

Abstract translation: 提供了垂直腔表面发射激光二极管中的DBR（分布式布拉格反射器）及其制造方法，以及垂直腔表面发射激光二极管，以获得高反射系数，而不会通过减少从有源层产生的光子的光学损耗 吸收带。 在垂直腔表面发射激光二极管的DBR中，InAlGaAs层（341）具有预定的反射系数并形成在InP衬底上。 在InAlGaAs层（341）上形成比InAlGaAs层（341）低的反射系数的第一InAlAs层（342）。 在第一InAlAs层（342）上形成比InAlGaAs层（341）低的反射系数的InP层（343）。 在InP层（343）上形成比InAlGaAs层（341）低的反射系数的第二InAlAs层（344）。

公开(公告)号：KR100576776B1

公开(公告)日：2006-05-08

申请号：KR1020040103665

申请日：2004-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박문호 ,  박상기 ,  오수환 ,  백용순 ,  오광룡 ,  김경옥 ,  김성복

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 가입자용이나 파장분할다중(WDM) 방식의 광통신 시스템에 사용되는 반도체 광소자의 제작 방법에 관한 것으로, 단일 활성층에 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA)가 집적된다. 레이저 다이오드와 반도체 광증폭기는 서로 광학적으로 연결되며, 이온 주입에 의해 전기적으로 절연된다. 각각의 전극을 통해 독립적으로 전류를 주입하면 레이저 다이오드(LD)에서 생성된 광이 반도체 광증폭기(SOA)에 의해 증폭되기 때문에 발진개시전류가 낮고 출력광의 세기가 높다.
반도체 광증폭기, 레이저 다이오드, 전류차단층, 전류주입층, 이온주입

Abstract translation: 激光二极管（LD）和半导体光放大器（SOA）用于单个有源层， 被集成。 激光二极管和半导体光放大器彼此光学连接并通过离子注入电绝缘。 当注入电流独立地通过每个电极为低时，振荡起动电流高时，由于在激光二极管（LD）产生的光由半导体光学放大器（SOA）放大的光的输出强度。

公开(公告)号：KR100519922B1

公开(公告)日：2005-10-10

申请号：KR1020020080707

申请日：2002-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  이대수 ,  김동철 ,  임영안 ,  김성복

IPC: H01S5/065

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306

Abstract: 본 발명은 레이저 광의 위상 변화에도 모드 호핑이나 다중 모드로 되는 일이 없도록 하기 위하여, 복합결합 회절격자 및 발진되는 레이저 빛의 세기를 조절하는 활성구조를 갖추어 레이저 빛을 단일 모드로 발진하는 DFB 레이저영역과, 귀환되는 레이저 빛의 위상변화를 조절하는 도파층을 갖춘 위상조절영역, 귀환되는 레이저 빛의 세기를 조절하는 활성구조를 갖춘 증폭영역으로 이루어진 외부 공진기를 단일 기판상에 일체로 집적한 다영역 반도체 레이저 다이오드로서, 3영역들의 주입전류를 적절히 조절하고 변화시킴으로써 고주파의 광펄스를 발생하고 안정적으로 주파수가 변화한다.

公开(公告)号：KR1020030070163A

公开(公告)日：2003-08-29

申请号：KR1020020009177

申请日：2002-02-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  백용순 ,  김성복 ,  오광룡

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/106 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/34373

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor photonic device is provided to form simultaneously two waveguides by performing a lithography process using a self-alignment method. CONSTITUTION: The first waveguide layer(302), the first clad layer(304), the second waveguide layer(306), and the second clad layer are sequentially stacked on a semiconductor substrate(300). The first hard mask is deposited on the second clad layer in order to form the first hard mask pattern. The second clad layer and the second waveguide layer are etched by using the first hard mask as an etch mask. An undoped InP layer is selectively grown on the etched part of the second clad layer and the second waveguide layer. The first hard mask pattern is removed. The second had mask pattern is formed on the resultant. The second waveguide layer and the first waveguide layer having different width are simultaneously formed by etching the undoped InP layer, the second clad layer, the second waveguide layer, the first clad layer, and the first waveguide layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体光子器件的方法，以通过使用自对准方法执行光刻工艺同时形成两个波导。 构成：第一波导层（302），第一覆盖层（304），第二波导层（306）和第二覆盖层依次层叠在半导体基板（300）上。 为了形成第一硬掩模图案，第一硬掩模沉积在第二覆盖层上。 通过使用第一硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻第二覆盖层和第二波导层。 在第二覆盖层和第二波导层的蚀刻部分上选择性地生长未掺杂的InP层。 第一个硬掩模图案被去除。 第二个在结果上形成了掩模图案。 通过蚀刻未掺杂的InP层，第二覆盖层，第二波导层，第一覆盖层和第一波导层，同时形成具有不同宽度的第二波导层和第一波导层。