中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

124 records (took 0.031 seconds)

    FLÄCHENLICHTLEITER UND FLÄCHENSTRAHLER
    71.
    发明申请
    FLÄCHENLICHTLEITER UND FLÄCHENSTRAHLER 审中-公开
    AREA光纤和区域聚光灯

    公开(公告)号：WO2011131446A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：PCT/EP2011/054454

    申请日：2011-03-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

    Inventor： BRICK, Peter ,  KAISER, Stephan ,  KUHN, Gerhard ,  MARKYTAN, Ales ,  MUSCHAWECK, Julius ,  NEUGIRG, Christian

    IPC: G02B6/00

    CPC classification number: G02B6/0016 ,  G02B6/0035 ,  G02B6/0041 ,  G02B6/0068 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/0076

    Abstract: Es wird ein Flächenlichtleiter (1) angegeben, der eine entlang einer Haupterstreckungsebene des Flächenlichtleiters (1) verlaufende Strahlungsaustrittsfläche (10) aufweist und für eine seitliche Einkopplung von Strahlung vorgesehen ist, wobei - der Flächenlichtleiter (1) Streustellen (4) zur Streuung der eingekoppelten Strahlung aufweist; - der Flächenlichtleiter (1) eine erste Grenzfläche (15) und eine zweite Grenzfläche (16) aufweist, die eine Lichtleitung der eingekoppelten Strahlung in vertikaler Richtung begrenzen; und - zwischen der ersten Grenzfläche (31) und der zweiten Grenzfläche (32) in vertikaler Richtung eine erste Lage (11) und eine zweite Lage (12) aufeinander ausgebildet sind. Weiterhin wird ein Flächenstrahler (100) mit zumindest einem Flächenlichtleiter (1) angegeben.

    Abstract translation: 本发明提供一种平面光导体（1），其具有延伸的一个沿着引导面的光的主延伸平面（1）辐射出射表面（10）和被设置用于辐射的侧向联接器，其中 - 所述表面光导体（1）的散射位点的耦合的散射（4） 具有辐射; - 表面光导（1）具有第一边界表面（15）并限定在垂直方向上注入的辐射的光线的第二接口（16）; 以及 - 第一接口（31）和在垂直方向上的第二接口（32）之间，依次形成的第一层（11）和第二层（12）。 此外，表面发射体（100）与所述光导（1）的至少一个表面被指定。

    FLÄCHENLICHTLEITER UND LEUCHTE
    72.
    发明申请
    FLÄCHENLICHTLEITER UND LEUCHTE 审中-公开
    AREA光纤和光

    公开(公告)号：WO2011131434A2

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：PCT/EP2011/054226

    申请日：2011-03-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  MUSCHAWECK, Julius

    Inventor： BRICK, Peter ,  MUSCHAWECK, Julius

    IPC: G02B6/00

    CPC classification number: G02B6/0041 ,  G02B6/0035 ,  G02B6/0046 ,  G02B6/0061 ,  G02B6/0068

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest ein Streumittel (5) zur Streuung von Licht auf, wobei durch das Streumittel (5) ein Auskoppelkoeffizient hervorgerufen ist. Der Auskoppelkoeffizient ist entlang einer Hauptlichtleitrichtung (z) variierend eingestellt. In eine Richtung (L) senkrecht zu Hauptseiten (2) des Flächenlichtleiters (1) beträgt ein Trübheitswert höchstens 0,10, ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,75 und ein Quotient aus einer minimalen Leuchtdichte und einer maximalen Leuchtdichte, gesehen über einen zusammenhängenden Abstrahlbereich (A) mindestens einer der Hauptseiten (2) hinweg, wenigstens 0,75.

    Abstract translation: 在引导表面的光的至少一个实施例（1）的该具有至少一个散射装置（5）用于散射光，其特征在于，一个Auskoppelkoeffizient被散射装置引起的（5）。 所述Auskoppelkoeffizient设置沿Hauptlichtleitrichtung（z）的变化。 在垂直于所述导向面的光的主面（2）的方向（L）（1）是至多0.10的浊度值，至少0.75的透射系数和最小亮度和最大亮度的比，看到在连续发射区域（A 主面）的至少一个（选择2），至少0.75。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND ANZEIGEEINRICHTUNG
    74.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND ANZEIGEEINRICHTUNG 审中-公开
    光电半导体器件及显示装置

    公开(公告)号：WO2010108761A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：PCT/EP2010/052564

    申请日：2010-03-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  WITTMANN, Michael ,  WEBER-RABSILBER, Sven

    Inventor： BRICK, Peter ,  WITTMANN, Michael ,  WEBER-RABSILBER, Sven

    IPC: H01L25/13 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses zumindest zwei optoelektronische Halbleiterchips (2), die dazu eingerichtet sind, im Betrieb in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die Halbleiterchips (2) sind auf einer Montagefläche (40) eines gemeinsamen Trägers (4) angebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens zwei nicht rotationssymmetrisch gestaltete Linsenkörper (3), die dazu eingerichtet sind, entlang zweier zueinander orthogonalen Richtungen (H, V) parallel zur Montagefläche (40) die Strahlung in voneinander verschiedene Abstrahlwinkel (α) zu formen. Jedem der Halbleiterchips (2) ist hierbei einer der Linsenkörper (3) in einer Abstrahlrichtung (z) nachgeordnet oder zugeordnet.

    Abstract translation: 在光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例中包括所述至少两个光电子半导体芯片（2），其适于在运行中在相互不同的波长区域，用于发射的电磁辐射。 半导体芯片（2）安装在一个共同的支撑件（4）的安装面（40）。 此外，平行于安装表面（40），所述光电子半导体器件（1）包括至少两个非旋转对称形状的透镜体（3），它们沿两个相互正交的方向（H，V），在相互不同的视角的辐射布置（A），以形成 ， 每个半导体芯片（2）的是在这种情况下的下游侧或与之一相关联，所述在发射方向（z）透镜体（3）。

    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT MEHREREN AKTIVEN ZONEN
    75.
    发明申请
    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT MEHREREN AKTIVEN ZONEN 审中-公开
    具有多个有源区面发光半导体激光器

    公开(公告)号：WO2010000231A1

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：PCT/DE2009/000881

    申请日：2009-06-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRICK, Peter ,  MÜLLER, Martin

    Inventor： BRICK, Peter ,  MÜLLER, Martin

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/14 ,  H01S5/06

    CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S3/109 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/3095

    Abstract: Es wird ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (1) angegeben, der mindestens zwei aktive Zonen (2) zur Emission von Laserstrahlung (13) aufweist, die durch einen Tunnelübergang (3) miteinander verbunden sind, und der einen außerhalb des Halbleiterkörpers (1) angeordneten externen Resonatorspiegel (11) zur Ausbildung eines Laserresonators aufweist, wobei in dem Laserresonator mindestens ein polarisationsselektives Element (4) angeordnet ist.

    Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器包括一半导体本体被指定（1），具有至少两个活性区域（2），用于发射它们通过隧道结（3）相互连接的激光辐射（13），和一个在半导体本体（1）外 具有布置外部谐振器反射镜（11），以形成一个激光谐振器具有至少一个偏振选择元件（4）被布置在所述激光谐振器。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    76.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2009039814A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001444

    申请日：2008-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  BRICK, Peter ,  EICHLER, Christoph

    Inventor： SABATHIL, Matthias ,  BRICK, Peter ,  EICHLER, Christoph

    IPC: H01S5/04 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40

    CPC classification number: H01S5/041 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/34 ,  H01S5/4043

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers (2) weist einen zur Erzeugung einer Pumpstrahlung vorgesehenen Pumpbereich (3) und einen zur Erzeugung einer Emissionsstrahlung vorgesehenen Emissionsbereich (4) auf. Der Emissionsbereich (4) und der Pumpbereich (3) sind übereinander angeordnet. Die Pumpstrahlung pumpt den Emissionsbereich (4) im Betrieb des optoelektronischen Bauelements (1) optisch. Die Emissionsstrahlung tritt im Betrieb des optoelektronischen Bauelements (1) in lateraler Richtung aus dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge aus.

    Abstract translation: 提供了一种包括具有半导体层序列的半导体主体（2）的光电子器件（1）。 半导体本体的半导体层序列（2）具有一个用于产生一个泵浦辐射场抽（3）和用于产生发射辐射发射区域中的（4）提供。 发射区（4）和泵水区域（3）布置成一个在另一个之上。 泵浦辐射的光电子器件（1），其光学的操作期间泵的发射区（4）。 在半导体主体（2）与从半导体层序列的横向方向上的光电子器件（1）的操作期间的发射辐射通过。

    OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG
    77.
    发明申请
    OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG 审中-公开
    具有垂直发射方向表面发光半导体激光元件

    公开(公告)号：WO2005117070A2

    公开(公告)日：2005-12-08

    申请号：PCT/DE2005/000791

    申请日：2005-04-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEIN, Wilhelm ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter

    Inventor： STEIN, Wilhelm ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

    Abstract: Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement, insbesondere elektrisch gepumptes Halbleiterlaser-Bauelement, mit einer vertikalen Emissionsrichtung angegeben, das zur Erzeugung von Laserstrahlung mittels eines externen optischen Resonators (4,5) vorgesehen ist, umfassend einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine laterale Haupterstreckungsrichtung und eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Zone (3) aufweist, wobei innerhalb des Resonators eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (6) angeordnet und mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist.

    Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器元件，特别是电泵浦半导体激光装置，具有垂直发射方向，这是由一个外部光谐振器（4,5）的装置，提供了一种用于激光辐射的产生，包括：具有半导体层序列的半导体主体（2）所示 具有延伸的横向主方向和提供用于产生辐射活性区（3）被布置在所述腔内的透射辐射的接触层（6）和电连接到所述半导体基体。

Patent Agency Ranking