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    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    71.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    辐射半导体部件和方法用于产生辐射半导体元器件

    公开(公告)号：WO2009121314A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：PCT/DE2009/000333

    申请日：2009-03-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/46 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit zumindest einem Halbleiterkörper (2) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (21) aufweist. Das Halbleiterbauelement umfasst weiterhin einen Anschlussträger (3) mit einer Anschlussfläche (31), auf der der Halbleiterkörper befestigt ist, und einen Wärmeableitungskörper (4), der zumindest bereichsweise mit einer Spiegelschicht (5) versehen ist. Der Wärmeableitungskörper (4) ist mit dem Anschlussträger (3) stoffschlüssig verbunden und weist eine Aussparung (41) auf, in der der Halbleiterkörper (2) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (1) angegeben.

    Abstract translation: 有与具有用于产生辐射有源区（21），一个设置在半导体层序列的至少一个半导体主体（2）提供了一种发射辐射的半导体部件（1）。 该半导体器件还包括具有在其上的半导体主体安装的连接表面（31）的连接载体（3），以及散热体（4），其与反射镜层（5）至少部分地设置。 散热体（4）材料配合连接到连接载体（3）和具有凹部（41），其中，所述半导体主体（2）被布置。 此外，被指定用于产生辐射的半导体器件（1）的方法。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHTSTRUKTUR
    72.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHTSTRUKTUR 审中-公开
    电介质层结构的光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2009068015A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：PCT/DE2008/001973

    申请日：2008-11-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  ENGL, Karl ,  BAUR, Johannes ,  WEIMAR, Andreas

    Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  ENGL, Karl ,  BAUR, Johannes ,  WEIMAR, Andreas

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/22 ,  H01L33/46

    Abstract: Es wird ein Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (11) aufweist. An die Halbleiterschichtenfolge schließt sich eine Spiegelstruktur (2) an, die eine dielektrische Schichtstruktur (21) umfasst. Diese Spiegelstruktur reflektiert mindestens 96 % des unter einem beliebigen Winkelbereichs auf sie treffenden, in der aktiven Zone (11) erzeugten Lichtes. Die Schichten (211, 212) der dielektrischen Schichtstruktur (21) können beispielsweise ein low-index Material oder einen 3D photonischen Kristall enthalten. Neben der dielektrischen Schichtstruktur (21) kann die Spiegelstruktur (2) zusätzlich einen metallischen Spiegel (22) umfassen.

    Abstract translation: 公开是具有提供用于产生电磁辐射，有源层（11）中的开口的半导体层序列（1）的半导体芯片。 到半导体层序列，反射镜结构（2）连接，其包括介电层结构（21）。 该反射镜结构反映在其上的任意的角度范围入射产生的光的至少96％，在有源区（11）。 该介电层结构（21）的层（211，212）可以，例如，低折射率材料或3D光子晶体包括在内。 除了介电层结构（21）中，反射镜结构（2）可以另外包括一个金属镜（22）。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    73.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2009039814A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001444

    申请日：2008-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  BRICK, Peter ,  EICHLER, Christoph

    Inventor： SABATHIL, Matthias ,  BRICK, Peter ,  EICHLER, Christoph

    IPC: H01S5/04 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40

    CPC classification number: H01S5/041 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/34 ,  H01S5/4043

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers (2) weist einen zur Erzeugung einer Pumpstrahlung vorgesehenen Pumpbereich (3) und einen zur Erzeugung einer Emissionsstrahlung vorgesehenen Emissionsbereich (4) auf. Der Emissionsbereich (4) und der Pumpbereich (3) sind übereinander angeordnet. Die Pumpstrahlung pumpt den Emissionsbereich (4) im Betrieb des optoelektronischen Bauelements (1) optisch. Die Emissionsstrahlung tritt im Betrieb des optoelektronischen Bauelements (1) in lateraler Richtung aus dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge aus.

    Abstract translation: 提供了一种包括具有半导体层序列的半导体主体（2）的光电子器件（1）。 半导体本体的半导体层序列（2）具有一个用于产生一个泵浦辐射场抽（3）和用于产生发射辐射发射区域中的（4）提供。 发射区（4）和泵水区域（3）布置成一个在另一个之上。 泵浦辐射的光电子器件（1），其光学的操作期间泵的发射区（4）。 在半导体主体（2）与从半导体层序列的横向方向上的光电子器件（1）的操作期间的发射辐射通过。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL
    74.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL 审中-公开
    具有层堆栈的光电子器件

    公开(公告)号：WO2009015645A2

    公开(公告)日：2009-02-05

    申请号：PCT/DE2008/001225

    申请日：2008-07-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT, Magnus ,  BADER, Stefan ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  STRASSBURG, Martin ,  ZEHNDER, Ulrich

    Inventor： AHLSTEDT, Magnus ,  BADER, Stefan ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  STRASSBURG, Martin ,  ZEHNDER, Ulrich

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).

    Abstract translation:

    包括一个叠层（10），至少包括所述的光电子器件（20）：一个层序列，这是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4） 和光学活性区域（3）的第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括 元素铝，镓和铟和元素氮，磷中的至少一种和砷包含HOLDS，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银 设置在半导体发光二极管（15）和金属层（9）之间的透明导电氧化物的金属层（9）和中间层（8） ichnet在于，所述金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）之间和 中间层（8）设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层（4）的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层（7）

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