一种平面型场致发射背光源及其制造方法

    公开(公告)号:CN104409317A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410237600.X

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01J63/06 H01J9/00 H01J63/02 H01J63/04

    Abstract: 本发明提供一种平面型场致发射背光源,包括阳极基板,阴极基板、设置于阳极基板和阴极基板之间的隔离柱以及连接阳极基板和阴极基板的封框体,其特征在于:所述阳极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的透明导电层和设置于透明导电层表面的带有若干个填充圈的荧光粉层所组成;所述阴极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的阴极电极和栅极电极、电子发射源和设置于栅极电极表面的荧光粉所组成。本发明将荧光粉层设置于平面型场发射结构的阳极基板和栅极电极表面,能有效地提高背光源的电子发射效率和发光效率;同时,还将隔离柱设置于填充圈内,有效地解决了场发射背光源隔离柱安置对准问题,从而优化场发射背光源的工艺流程,降低制造成本。

    紫外线发光材料及紫外线光源

    公开(公告)号:CN103421506A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310196888.6

    申请日:2013-05-24

    CPC classification number: C09K11/7706 H01J1/63 H01J63/06

    Abstract: 本发明涉及紫外线发光材料及紫外线光源。本发明的目的在提供一种不会对人体造成不良影响,可谋求杀菌性能的提升、寿命特性的提升、及发光效率的提升的紫外线发光材料及使用该紫外线发光材料的紫外线光源。本发明的紫外线发光材料,是在成为母体的Al2O3中添加Sc作为掺杂剂而由下述组成式(A)所表示:组成式(A):(Al1-xScx)2O3。另外,在上述组成式(A)中,x是满足0<x<1的范围,较佳为x=0.00078至0.040的范围。

    场发射灯
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102592956A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110038256.8

    申请日:2011-02-11

    Inventor: 杨宗翰

    CPC classification number: H01J63/06 H01J63/02

    Abstract: 本发明是关于一种场发射灯,尤其指一种可由设置一网状阴极部的方式增加其电子发射的点数量,以提高其所发出的光线的均匀性与亮度,且可由于其外壳部的部分内侧表面上形成其阳极部的方式的场发射灯。其包括:一外壳部,具有一内侧表面;一网状阴极部,被此外壳部包围于其中;一阳极部,形成于此外壳部的部分此内侧表面;以及一发光层,形成于此阳极部的部分表面上。其中,此发光层因电子撞击而产生的光线由此外壳部未形成此阳极部于其上的部分此内侧表面射出此场发射灯。

    场发射光源装置
    77.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102569005A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110032840.2

    申请日:2011-01-26

    Inventor: 杨宗翰 罗吉宗

    CPC classification number: H01J63/02 H01J63/06

    Abstract: 本发明是有关于一种场发射光源装置,包括:一底基板;阴极,是设置于底基板上;至少一发射块,是设置于阴极上且与阴极电性连接;一绝缘层,是设置于阴极上,其中该绝缘层具有至少一开口,遂使发射块凸出该开口;阳极,是设置于绝缘层上,并与阴极排列成m×n矩阵(matrix),且阳极个别具有对应于发射块的撞击面;以及一发光层,是设置于该撞击面上。据此,本发明可提高场发射光源装置的光利用率。

    紫外线照射装置
    78.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102484172A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080036134.9

    申请日:2010-08-03

    CPC classification number: C09K11/64 H01J1/63 H01J63/04 H01J63/06

    Abstract: 本发明提供一种能够通过没有利用pn结的简便的构造,高效地利用表面等离子体电磁声子,高效率地放射特定波长的紫外线的紫外线照射装置。在具有紫外线透过窗的真空密封的容器内,配设至少1个以上的半导体多层膜元件、和电子束放射源而成,该半导体多层膜元件具备具有基于InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1、0<y≤1、x+y≤1)的单一量子阱构造或者多重量子阱构造的活性层、和在该活性层的上表面形成的由铝或者铝合金的金属粒子构成且具有该金属粒子所构成的纳米构造的金属膜而成,通过对所述半导体多层膜元件照射来自所述电子束放射源的电子束,经由所述紫外线透过窗向外部放射紫外线。

Patent Agency Ranking