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公开(公告)号：CN101147303A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009593.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社 , 鸟取三洋电机株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的 方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN100370661C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200480015121.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 夏普株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。
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公开(公告)号：CN1961432A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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公开(公告)号：CN1933204A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159296.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1292458C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310118286.5
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34 , H01S5/00
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工序：在具有主面，且含有用与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成氮化物半导体层的工序；在该氮化物半导体层上，形成具有与支持体表面平行的底面的多个凹部的工序；在该氮化物半导体层的顶面上选择性地形成第1生长控制掩模，并使该氮化物半导体层从该凹部的侧面和底面选择性地露出来的工序；以及用气态的3族元素源和气态的氮元素源，使氮化物半导体从该氮化物半导体层的露出面生长的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1581610A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055604.2
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/007 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm－2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。
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公开(公告)号：CN1531156A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039739.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
CPC classification number: H01S5/2231 , G11B7/123 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0421 , H01S5/1014 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221
Abstract: 提供了远场图(FFP)的光轴稳定化的、在高输出下也可以进行基横模振荡的半导体激光器装置。另外，提供了FFP光轴稳定化的、在高输出下也可以通过基横模振荡进行工作的光学拾取装置。半导体激光器装置在由化合物半导体构成的倾斜衬底上形成，包含有源层和夹着该有源层的两个包覆层，所述包覆层中的一个形成台面状的脊，所述脊包含所述脊的底部的宽度基本固定的第一区域、及所述脊的底部的宽度连续变化的第二区域，所述第二区域位于所述第一区域和光路上的端面之间。
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公开(公告)号：CN1516238A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310118286.5
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34 , H01S5/00
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工序：在具有主面，且含有用与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成氮化物半导体层的工序；在该氮化物半导体层上，形成具有与支持体表面平行的底面的多个凹部的工序；在该氮化物半导体层的顶面上选择性地形成第1生长控制掩模，并使该氮化物半导体层从该凹部的侧面选择性地露出来的工序；以及用气态的3族元素源和气态的氮元素源，使氮化物半导体从该氮化物半导体层的露出面生长的工序。
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公开(公告)号：CN107306008B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710256700.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 发那科株式会社
CPC classification number: H01S5/0021 , G09G1/005 , G09G3/02 , G09G2360/14 , H01S3/0014 , H01S3/0941 , H01S3/10 , H01S5/042 , H01S5/0683 , H01S5/2201 , H01S5/4025 , H04N9/3194
Abstract: 本发明提供一种即使在以各种条件驱动光源的情况下也能准确地计算实效驱动时间的激光装置。激光装置包括：光源；电源，其向光源注入驱动电流；控制部，其控制电源；第一记录部，其计算光源的寿命负荷率并将该寿命负荷率与时间相关联地进行记录；以及计算部，其基于第一记录部的记录结果来计算激光装置实际被驱动的第一时间点与比该第一时间点靠后的第二时间点之间的寿命负荷率的时间积分来作为实效驱动时间。
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公开(公告)号：CN102834990B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180017099.0
申请日：2011-01-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/2081 , B82Y20/00 , H01S5/02288 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34306
Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。
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